淺談晶圓制造工藝過(guò)程.doc

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1、淺談晶圓制造工藝過(guò)程　　晶圓制造工藝流程　　1、表面清洗　　2、初次氧化　　3、CVD(ChemicalVapordeposiTIon)法沉積一層Si3N4(HotCVD或LPCVD)。（1）常壓CVD(NormalPressureCVD)（2）低壓CVD(LowPressureCVD)（3）熱CVD(HotCVD)/(thermalCVD)（4）電漿增強(qiáng)CVD(PlasmaEnhancedCVD)（5）MOCVD(MetalOrganicCVD)&分子磊晶成長(zhǎng)(MolecularBeamEpi

2、taxy)（6）外延生長(zhǎng)法(LPE)　　4、涂敷光刻膠（1）光刻膠的涂敷（2）預(yù)烘(prebake)（3）曝光（4）顯影（5）后烘(postbake)（6）腐蝕(etching)（7）光刻膠的去除　　5、此處用干法氧化法將氮化硅去除　　　　6、離子布植將硼離子(B+3)透過(guò)SiO2膜注入襯底，形成P型阱　　7、去除光刻膠，放高溫爐中進(jìn)行退火處理　　8、用熱磷酸去除氮化硅層，摻雜磷(P+5)離子，形成N型阱　　9、退火處理，然后用HF去除SiO2層　　10、干法氧化法生成一層SiO2層，然后LPC

3、VD沉積一層氮化硅　　11、利用光刻技術(shù)和離子刻蝕技術(shù)，保留下柵隔離層上面的氮化硅層　　12、濕法氧化，生長(zhǎng)未有氮化硅保護(hù)的SiO2層，形成PN之間的隔離區(qū)　　13、熱磷酸去除氮化硅，然后用HF溶液去除柵隔離層位置的SiO2，并重新生成品質(zhì)更好的SiO2薄膜,作為柵極氧化層?！　?4、LPCVD沉積多晶硅層，然后涂敷光阻進(jìn)行光刻，以及等離子蝕刻技術(shù)，柵極結(jié)構(gòu)，并氧化生成SiO2保護(hù)層。　　15、表面涂敷光阻，去除P阱區(qū)的光阻，注入砷(As)離子，形成NMOS的源漏極。用同樣的方法，在N阱區(qū)，注入

4、B離子形成PMOS的源漏極?！　?6、利用PECVD沉積一層無(wú)摻雜氧化層，保護(hù)元件，并進(jìn)行退火處理。　　17、沉積摻雜硼磷的氧化層18、濺鍍第一層金屬（1）薄膜的沉積方法根據(jù)其用途的不同而不同，厚度通常小于1um。（2）真空蒸發(fā)法（EvaporaTIonDeposiTIon）（3）濺鍍（SputteringDeposiTIon）　　19、光刻技術(shù)定出VIA孔洞，沉積第二層金屬，并刻蝕出連線結(jié)構(gòu)。然后，用PECVD法氧化層和氮化硅保護(hù)層?！　?0、光刻和離子刻蝕，定出PAD位置　　21、最后進(jìn)行退

5、火處理，以保證整個(gè)Chip的完整和連線的連接性　　晶圓制造總的工藝流程芯片的制造過(guò)程可概分為晶圓處理工序（WaferFabrication）、晶圓針測(cè)工序（WaferProbe）、構(gòu)裝工序（Packaging）、測(cè)試工序（InitialTestandFinalTest）等幾個(gè)步驟?！　∑渲芯A處理工序和晶圓針測(cè)工序?yàn)榍岸危‵rontEnd）工序，而構(gòu)裝工序、測(cè)試工序?yàn)楹蠖危˙ackEnd）工序。　　1、晶圓處理工序：本工序的主要工作是在晶圓上制作電路及電子元件（如晶體管、電容、邏輯開(kāi)關(guān)等），其處

6、理程序通常與產(chǎn)品種類(lèi)和所使用的技術(shù)有關(guān)，但一般基本步驟是先將晶圓適當(dāng)清洗，再在其表面進(jìn)行氧化及化學(xué)氣相沉積，然后進(jìn)行涂膜、曝光、顯影、蝕刻、離子植入、金屬濺鍍等反復(fù)步驟，最終在晶圓上完成數(shù)層電路及元件加工與制作?！　?、晶圓針測(cè)工序：經(jīng)過(guò)上道工序后，晶圓上就形成了一個(gè)個(gè)的小格，即晶粒，一般情況下，為便于測(cè)試，提高效率，同一片晶圓上制作同一品種、規(guī)格的產(chǎn)品；但也可根據(jù)需要制作幾種不同品種、規(guī)格的產(chǎn)品。在用針測(cè)（Probe）儀對(duì)每個(gè)晶粒檢測(cè)　　其電氣特性，并將不合格的晶粒標(biāo)上記號(hào)后，將晶圓切開(kāi)，分割

7、成一顆顆單獨(dú)的晶粒，再按其電氣特性分類(lèi)，裝入不同的托盤(pán)中，不合格的晶粒則舍棄?！　?、構(gòu)裝工序：就是將單個(gè)的晶粒固定在塑膠或陶瓷制的芯片基座上，并把晶粒上蝕刻出的一些引接線端與基座底部伸出的插腳連接，以作為與外界電路板連接之用，最后蓋上塑膠蓋板，用膠水封死。其目的是用以保護(hù)晶粒避免受到機(jī)械刮傷或高溫破壞。到此才算制成了一塊集成電路芯片（即我們?cè)陔娔X里可以看到的那些黑色或褐色，兩邊或四邊帶有許多插腳或引線的矩形小塊）。　　4、測(cè)試工序：芯片制造的最后一道工序?yàn)闇y(cè)試，其又可分為一般測(cè)試和特殊測(cè)試，前

8、者是將封裝后的芯片置于各種環(huán)境下測(cè)試其電氣特性，如消耗功率、運(yùn)行速度、耐壓度等。經(jīng)測(cè)試后的芯片，依其電氣特性劃分為不同等級(jí)。而特殊測(cè)試則是根據(jù)客戶(hù)特殊需求的技術(shù)參數(shù)，從相近參數(shù)規(guī)格、品種中拿出部分芯片，做有針對(duì)性的專(zhuān)門(mén)測(cè)試，看是否能滿(mǎn)足客戶(hù)的特殊需求，以決定是否須為客戶(hù)設(shè)計(jì)專(zhuān)用芯片。經(jīng)一般測(cè)試合格的產(chǎn)品貼上規(guī)格、型號(hào)及出廠日期等標(biāo)識(shí)的標(biāo)簽并加以包裝后即可出廠。而未通過(guò)測(cè)試的芯片則視其達(dá)到的參數(shù)情況定作降級(jí)品或廢品。