鈣鈦礦太陽能電池商業(yè)化獲新突破.doc

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1、鈣鈦礦太陽能電池商業(yè)化獲新突破【引言】  鈣鈦礦太陽能電池自從2009年首次報道以來已經(jīng)取得了巨大進展。大部分溶液法制備的鈣鈦礦太陽能電池已認證的效率達到20%以上。然而幾乎所有高效率的鈣鈦礦太陽能電池都是用旋涂法制備的,這種制備方法無法滿足工業(yè)化的高吞吐量與規(guī)?;苽涞囊?。研究者研發(fā)了幾種適用于規(guī)?;a(chǎn)的鈣鈦礦薄膜制備方法,如:刮刀涂布法、噴霧沉積法、噴墨打印法和電沉積等。其中,由于刮刀涂布法的基底溫度可控,因此在規(guī)?;苽涓哔|(zhì)量、大晶粒鈣鈦礦薄膜方法中脫穎而出。值得欣慰的是刮刀涂布法制備的鈣鈦礦太陽電池效率以及高達

2、19%,已經(jīng)十分接近旋涂法制備的器件?! ∩虡I(yè)化生產(chǎn)不僅要滿足與規(guī)?;a(chǎn),還要滿足制造成本低。但是現(xiàn)在鈣鈦礦太陽能電池都需要昂貴的空穴傳輸層來實現(xiàn)高效率,如spiro-OMeTAD等。此外,疏水性的空穴傳輸層的存在導致將鈣鈦礦薄膜很難刮涂上去。因此考慮將空穴傳輸層去掉不僅有利于降低材料成本,還有利于降低制造成本,節(jié)約時間?! ∪欢谌サ艨昭▊鬏攲雍?,鈣鈦礦薄膜與ITO的功函數(shù)不匹配導致空穴很難從鈣鈦礦傳輸至ITO層,因此導致器件效率低下。如何解決功函數(shù)匹配問題是制備無空穴層高效鈣鈦礦太陽能電池面臨的巨大挑戰(zhàn)?!境晒喗椤?/p>

3、  近日,北卡羅納大學和內(nèi)布拉斯加大學林肯分校的黃勁松教授在Nat.Commun.上發(fā)表了一篇題為“Moleculardopingenabledscalablebladingofefficienthole-transport-layer-freeperovskitesolarcells”的文章。該文章報道了一種分子摻雜策略成功的解決了鈣鈦礦與ITO的能帶不匹配問題,實現(xiàn)了效率高達20%的無空穴傳輸層鈣鈦礦太陽能電池,此外該研究配合刮刀涂布法成功實現(xiàn)了高效太陽能電池的量產(chǎn)化?!緢D文簡介】  圖1:刮刀涂布法和摻雜F4TCNQ

4、分子的鈣鈦礦薄膜   ?。╝).刮刀涂布鈣鈦礦薄膜示意圖和F4TCNQ摻雜劑的化學結(jié)構(gòu)式; ?。╞).基底為150攝氏度,刮涂在ITO上的鈣鈦礦薄膜的側(cè)面SEM圖; ?。╟-h(huán)).無摻雜鈣鈦礦薄膜的AFM圖(c)和表面勢壘圖(f);F4TCNQ摻雜鈣鈦礦薄膜的AFM圖(d)和表面勢壘圖g);將F4TCNQ顆粒灑在雜鈣鈦礦薄膜的AFM圖(e)和表面勢壘圖(h); ?。╥).不同鈣鈦礦膜表面電位分布;  (j).MAPbI3:F4TCNQ共混物能量圖和電子轉(zhuǎn)移過程示意圖。  圖2:純鈣鈦礦薄膜和摻雜鈣鈦礦薄膜的電導率和光致發(fā)光

5、壽命   ?。╝).鈣鈦礦薄膜橫向電導率的測試模型; ?。╞).摻雜與無摻雜鈣鈦礦薄膜的I-V曲線;  (c).時間分辨光致發(fā)光曲線; ?。╠).導電原子力顯微鏡測試方法; ?。╡-h(huán)).無摻雜的鈣鈦礦薄膜的晶粒形貌AFM圖(e)和在晶粒上與晶界上的C-V圖(f);摻雜的鈣鈦礦薄膜的晶粒形貌AFM圖(g)和在晶粒上與晶界上的C-V圖(h)。  圖3:鈣鈦礦薄膜形貌,器件結(jié)構(gòu)與光伏性能    (a-b).摻雜鈣鈦礦薄膜的低分辨率與高分辨率SEM圖;  (c).無空穴層鈣鈦礦電池器件結(jié)構(gòu)圖; ?。╠).J-V曲線; ?。╡).

6、穩(wěn)態(tài)電流和穩(wěn)態(tài)PCE測試; ?。╢).EQE和積分電流; ?。╣).器件效率的統(tǒng)計分布圖?! D4:界面空穴轉(zhuǎn)移機理   ?。╝).空穴在ITO/MAPbI3界面轉(zhuǎn)移示意圖; ?。╞).空穴在ITO/F4TCNQ-MAPbI3界面轉(zhuǎn)移示意圖?!  拘〗Y(jié)】  該研究首先利用刮刀涂布法克服了大規(guī)模制備高質(zhì)量鈣鈦礦薄膜難題,然后通過分子摻雜法解決了高效率無空穴傳輸層鈣鈦礦電池的難題。最后器件效率高達20%,并且?guī)缀鯚o遲滯效應。該研究為鈣鈦礦太陽能電池商業(yè)化帶來了曙光。

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