資源描述：
《多孔硅制備方法形成機(jī)理》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在教育資源-天天文庫(kù)。
1、-多孔硅的制備方法及形成機(jī)理摘要：對(duì)目前國(guó)內(nèi)外制備多孔硅的幾種主要方法：電化學(xué)方法、光化學(xué)方法、刻蝕法、水熱腐蝕法等進(jìn)行了介紹，并簡(jiǎn)單比較分析了各自的優(yōu)缺點(diǎn)。并闡述了多孔硅形成的三種理論模型。關(guān)鍵詞：多孔硅；制備方法；形成機(jī)理PreparationofPorousSiliconandmechanismAbstract：Severalnovelpreparationmethodsoftheporoussiliconsuchaselectrochemicalmethods,photochemicalmethod,etchingmethodan
2、dhydrothermaletchingmethodsareintroducedindetail.Theadvantagesanddisadvantagesofthesetechnologiesarepresentedbriefly．Thispaperexpoundsthreetheoreticalmodelformationoftheporoussilicon.Keyword：poroussilicon；preparationmethod；preparationmechanism1990年，由Canham[1]報(bào)道了在UV激發(fā)下多孔膜表
3、現(xiàn)出強(qiáng)且寬的可見光致發(fā)光帶，從那以后多孔硅引起人們的廣泛關(guān)注，從那以后人們對(duì)多孔硅開展了大量工作，來(lái)研究開發(fā)它的制備方法和形成的相關(guān)機(jī)理以及它的運(yùn)用。關(guān)于多孔硅的制備方法，目前已有多種，然而不同的制備方法與制備條件對(duì)多孔硅的結(jié)構(gòu)、性能有很大的影響，所以研究不同制備方法的優(yōu)缺點(diǎn)就顯得尤為重要。雖然，國(guó)內(nèi)外出現(xiàn)的制備多孔硅的方法有多種，但總體可歸納為電化學(xué)方法，光化學(xué)腐蝕法、刻蝕法和水熱腐蝕法，分別介紹如下。1．電化學(xué)腐蝕法(陽(yáng)極腐蝕法)由于電化學(xué)方法制備多孔硅工藝簡(jiǎn)單，形成的多孔硅具有孔徑小(最小可達(dá)幾個(gè)納米)、多孔硅層深度較大且可根據(jù)需要
4、控制，操作方便等優(yōu)點(diǎn)，所以電化學(xué)方法是形成多孔硅最傳統(tǒng)、使用最廣的方法。1.1單槽電化學(xué)方法制備多孔硅單槽電化學(xué)制備多孔硅[2,3]的具體做法是先用真空濺射的方法在清洗好拋光的硅片背面濺射一層金屬鉑膜作為電極，再按照?qǐng)D1[4].---所示的方法將直流穩(wěn)壓電源、硅片、電流表、陰極串聯(lián)成通路，打開電源即可進(jìn)行腐蝕。單槽電化學(xué)方法是人們對(duì)制備多孔硅研究較多的一種方法，該方法的優(yōu)點(diǎn)是工藝比較成熟，人們對(duì)溫度、腐蝕液成分、摻雜、電流密度等制備條件對(duì)樣品的形貌、光致發(fā)光等特性的影響已有較多的認(rèn)識(shí)，目前紅光發(fā)射多孔硅制備的重復(fù)率已經(jīng)很高。缺點(diǎn)是如果陽(yáng)極
5、和陰極的相對(duì)位置不合適及在其表面形成氫氣泡的絕緣效應(yīng)引起電解質(zhì)電流密度空間的變化，從而導(dǎo)致不均勻腐蝕的發(fā)生[5]。圖1單槽電化學(xué)腐蝕裝置圖2單槽電化學(xué)腐蝕制備的多孔硅SEM1.2雙槽電化學(xué)法制備多孔硅取槽電化學(xué)方法制備多孔硅[6,7]的具體做法是將硅片插入裝有腐蝕液的電解槽中間的固定架上，硅片把電解槽分成兩個(gè)相互獨(dú)立的電解槽，用兩片鋪片分別面對(duì)面放在硅片的兩側(cè)作為陰極和陽(yáng)極。結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)圖如圖3所示。給電極施加電壓后，由于電場(chǎng)的作用，電流通過(guò)硅襯底從一個(gè)“半槽”流向另一個(gè)“半槽”，村底中的空穴就會(huì)流向面向陰極面的硅表面，從而使陰極的硅村底發(fā)生電
6、化學(xué)腐蝕，而面向陽(yáng)極面的硅表面幾乎保持不變。通過(guò)改變腐蝕電流的大小，可以得到不同太小的孔，改變腐蝕時(shí)間可得到不同厚度的多孔硅層。雙槽電化學(xué)方法因?yàn)楣に嚭?jiǎn)單、條件容易控制，與單槽電化學(xué)腐蝕法相比，職槽電化學(xué)腐蝕法制備的多孔硅在孔徑尺寸、孔隙率、表面均勻性和多孔硅層厚度等性能上具有明顯的優(yōu)點(diǎn)，因此是目前制各多孔硅最常用的方法，其優(yōu)點(diǎn)主要表現(xiàn)為：(1)在雙槽裝置中采用Pt電極作為陰極和陽(yáng)極，不必考慮硅基體背面的金屬化問(wèn)題，降低了操作的復(fù)雜性。(2)在雙槽裝置中，兩個(gè)電極相對(duì)放置．暴露的硅片是電流的唯一通路，所以流過(guò)硅片的電流密度較均勻，更易在大
7、尺寸的硅基體表面形成均勻的多孔硅層。.---圖3雙槽電化學(xué)腐蝕裝置圖4雙電槽腐蝕制備的多孔硅SEM1.3電偶電流法制備多孔硅電偶電流法[8,9]是一種新興的多孔硅制各方法，這種方法的基本依據(jù)是原電池原理[10]。其工作原理如圖5所示，工作示意圖如圖6所示。在硅基片的一面鍍一層貴金屬(一般為鉑)作為電極，電偶部分是通過(guò)硅基片與其背面的金屬電極在電解液中相接觸組成的。由于硅的原電動(dòng)勢(shì)比所用的貴金屬低，與之接觸時(shí)會(huì)產(chǎn)生原電動(dòng)勢(shì)差，進(jìn)而產(chǎn)生從金屬流向硅基片的電偶電流，導(dǎo)致硅基片中的正電荷(即空穴)在電場(chǎng)作用下遷移到基片表面并與電解液發(fā)生電化學(xué)反應(yīng)
8、，從而使硅原子從硅基體上脫落，形成多孔硅。圖5原電池原理圖6原電池法示意圖2光化學(xué)腐蝕法單純的氫氟酸對(duì)硅的腐蝕作用很慢。甚至難以覺(jué)察到，在光的作用下，浸泡在HF水溶液或乙醇溶液中的C-Si可以
