微電子工藝答案,整理好的了

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1、1.1.保護器件避免劃傷和沾污?2.限制帶電載流子場區(qū)隔離（表面鈍化）?3.柵氧或存儲單元結(jié)構(gòu)中的介質(zhì)材料?4.摻雜中的注入掩蔽5.金屬導(dǎo)電層間的電介質(zhì)?6.減少表面懸掛鍵?2.化學(xué)反應(yīng)：Si+2H2O->SiO2+2H2?水汽氧化與干氧氧化相比速度更快，因為水蒸氣比氧氣在二氧化硅中擴散更?快、溶解度更高?3.、1.干氧：Si＋O2SiO2氧化速度慢，氧化層干燥、致密，均勻性、重復(fù)性好，與光刻膠的粘附性好2、水汽氧化：Si+H2OSiO2（固）+H2(氣)氧化速度快，氧化層疏松，均勻性差，與光刻膠的粘附性差3、濕氧：氧氣攜帶水汽，

2、故既有Si與氧氣反應(yīng)，又有與水汽反應(yīng)氧化速度、氧化質(zhì)量介于以上兩種方法之間4.摻雜物、晶體晶向、壓力、溫度、水蒸氣5.界面陷阱電荷、可移動氧化物電荷6.工藝腔、硅片傳輸系統(tǒng)、氣體分配系統(tǒng)、尾氣系統(tǒng)、溫控系統(tǒng)?4.工藝腔是對硅片加熱的場所，由垂直的石英罩鐘、多區(qū)加熱電阻絲和加熱管?套組成硅片傳輸系統(tǒng)在工藝腔中裝卸硅片，自動機械在片架臺、爐臺、裝片臺、冷卻臺之間移動氣體分配系統(tǒng)通過將正確的氣體通到爐管中來維持爐中氣氛?控制系統(tǒng)控制爐子所有操作，如工藝時間和溫度控制、工藝步驟的順序、氣體種類、氣流速率、升降溫速率、裝卸硅片...1.(1

3、)薄膜：指某一維尺寸遠(yuǎn)小于另外兩維上的尺寸的固體物質(zhì)。?.（2）.好的臺階覆蓋能力?..高的深寬比填隙能力(>3:1)厚度均勻(避免針孔、缺陷）?..高純度和高密度?..受控的化學(xué)劑量?..結(jié)構(gòu)完整和低應(yīng)力（?導(dǎo)致襯底變形,?..好的粘附性????????避免分層、開裂致漏電）2.（1）晶核形成?分離的小膜層形成于襯底表面，是薄膜進一步生長的基礎(chǔ)。?（2）凝聚成束形成(Si)島，且島不斷長大?（3）連續(xù)成膜島束匯合并形成固態(tài)的連續(xù)的薄膜?淀積的薄膜可以是單晶（如外延層）、多晶（多晶硅柵）和無定形（隔離介質(zhì)，金屬膜）的3.答：..多

4、層金屬化：用來連接硅片上高密度器件的金屬層和絕緣層?..關(guān)鍵層：線條寬度被刻蝕為器件特征尺寸的金屬層。?..對于ULSI集成電路而言，特征尺寸的范圍在形成柵的多晶硅、柵氧以及距離硅片表面最近的金屬層。?介質(zhì)層?..層間介質(zhì)（ILD）?ILD－1：隔離晶體管和互連金屬層；隔離晶體管和表面雜質(zhì)。?采用低k介質(zhì)作為層間介質(zhì)，以減小時間延遲，增加速度。4.答：膜淀積技術(shù)分類?化學(xué)方法?（1）CVD?a.APCVD(Atmosphere?Pressure?Chemical?Vapor?Deposition)?b.LPCVD?c.等離子體輔助

5、CVD：HDPCVD(High-Density?Plasma?CVD)、PECVD(Plasma?enhanced?CVD)?d.VPE和金屬有機化學(xué)氣相淀積?(2)電鍍：電化學(xué)淀積（ECD）、化學(xué)鍍層?物理方法：?（1）PVD?（2）蒸發(fā)(含MBE)?（3）旋涂(?SOG,?SOD)5.答：1)?質(zhì)量傳輸?2)?薄膜先驅(qū)物反應(yīng)?3)?氣體分子擴散?4)?先驅(qū)物吸附?5)?先驅(qū)物擴散進襯底?6)?表面反應(yīng)?7)?副產(chǎn)物解吸?8)?副產(chǎn)物去除6.答：（1）低k介質(zhì)須具備?低泄漏電流、低吸水性、低應(yīng)力、高附著力、高硬度、?高穩(wěn)定性、好

6、的填隙能力，便于圖形制作和平坦化、耐?酸堿以及低接觸電阻。?研究較多的幾種無機低介電常數(shù)?（二）高k介質(zhì)?應(yīng)DRAM存儲器高密度儲能的需要，引入了高?k介質(zhì)，在相同電容（或儲能密度）可以增加?柵介質(zhì)的物理厚度，避免薄柵介質(zhì)隧穿和大的?柵漏電流。同時，降低工藝難度。?有潛力的高k介質(zhì)：Ta2O5,?(BaSr)TiO3.7.答：（1）CVD、化學(xué)氣相淀積（Chemical?Vapor?Deposition）是指利用熱?能、輝光放電等離子體或其它形式的能源，使氣態(tài)物質(zhì)在固體?的熱表面上發(fā)生化學(xué)反應(yīng)并在該表面上淀積，形成穩(wěn)定的固態(tài)?物質(zhì)

7、的工藝過程。?（2）低壓CVD（LPCVD）裝片；?爐子恒溫并對反應(yīng)室抽真空到1.3?Pa?；充N2?氣或?其它惰性氣體進行吹洗；再抽真空到1.3?Pa?；完成淀積；關(guān)閉所有氣流，反應(yīng)室重新抽到1.3?Pa?；回充N2?氣到常壓，取出硅片。?（3）等離子體增強CVD（PECVD）淀積溫度低，冷壁等離子體反應(yīng)，產(chǎn)生顆粒少，需要?少的清洗空間等等離子體輔助CVD的優(yōu)點。?（4）VPE氣相外延：硅片制造中最常用的硅外延方法是氣相外延，屬于CVD范疇。在溫度為800-1150℃的硅片表面通過含有所需化學(xué)物質(zhì)的氣體化合物，就可以實現(xiàn)氣相外延

8、。?（5）BPSG：?硼磷硅玻璃（boro-phospho-silicate-glass，BPSG）：???這是一種摻硼的SiO2玻璃。可采用CVD方法（SiH4+O2+PH3+B2H6，400oC~450oC）來制備。BPSG與PSG（磷硅玻璃）