半導(dǎo)體硅材料試題

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1、為了適應(yīng)公司新戰(zhàn)略的發(fā)展，保障停車場(chǎng)安保新項(xiàng)目的正常、順利開(kāi)展，特制定安保從業(yè)人員的業(yè)務(wù)技能及個(gè)人素質(zhì)的培訓(xùn)計(jì)劃半導(dǎo)體硅材料試題　　一填空題　　1.根據(jù)單晶硅的使用目的不同，單晶硅的制備工藝也不同，主要的制備工藝有兩種，分別是。　　3.在熱平衡狀態(tài)半導(dǎo)體中,載流子的產(chǎn)生和復(fù)合的過(guò)程保持動(dòng)態(tài)平衡，從而使載流子濃度保持定值，則處于此種狀態(tài)下的載流子為(平衡載流子)。處于非平衡狀態(tài)的半導(dǎo)體，其載流子濃度也不再是n0和p0，可以比他們多出一部分。比平衡狀態(tài)多出來(lái)的這部分載流子稱為?！　?使縱向電阻率逐漸降低的效果

2、與使電阻率逐漸升高的效果達(dá)到平衡，就會(huì)得到縱向電阻率比較均勻的晶體。方法：，?！　?多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：(SiCl4法、硅烷法、流化床法、西門子改良法)。6硅片的主要工藝流程包括：?jiǎn)尉L(zhǎng)→整形→(切片)→晶片研磨及磨邊→蝕刻→(拋光)→硅片檢測(cè)→打包?！　?純凈半導(dǎo)體Si中摻V族元素的雜質(zhì)，當(dāng)雜質(zhì)電離時(shí)釋放電子。這種雜質(zhì)稱(施主雜質(zhì))　　8.在P型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是：(空穴)　　9.總厚度變差TTV是指：(硅片厚度的最大值與最小值之差)目的-通過(guò)該培訓(xùn)員工可對(duì)保安行業(yè)有初步了解，并感受到安保行業(yè)

3、的發(fā)展的巨大潛力，可提升其的專業(yè)水平，并確保其在這個(gè)行業(yè)的安全感。為了適應(yīng)公司新戰(zhàn)略的發(fā)展，保障停車場(chǎng)安保新項(xiàng)目的正常、順利開(kāi)展，特制定安保從業(yè)人員的業(yè)務(wù)技能及個(gè)人素質(zhì)的培訓(xùn)計(jì)劃半導(dǎo)體硅材料試題　　一填空題　　1.根據(jù)單晶硅的使用目的不同，單晶硅的制備工藝也不同，主要的制備工藝有兩種，分別是。　　3.在熱平衡狀態(tài)半導(dǎo)體中,載流子的產(chǎn)生和復(fù)合的過(guò)程保持動(dòng)態(tài)平衡，從而使載流子濃度保持定值，則處于此種狀態(tài)下的載流子為(平衡載流子)。處于非平衡狀態(tài)的半導(dǎo)體，其載流子濃度也不再是n0和p0，可以比他們多出一部分。比

4、平衡狀態(tài)多出來(lái)的這部分載流子稱為。　　4使縱向電阻率逐漸降低的效果與使電阻率逐漸升高的效果達(dá)到平衡，就會(huì)得到縱向電阻率比較均勻的晶體。方法：，?！　?多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：(SiCl4法、硅烷法、流化床法、西門子改良法)。6硅片的主要工藝流程包括：?jiǎn)尉L(zhǎng)→整形→(切片)→晶片研磨及磨邊→蝕刻→(拋光)→硅片檢測(cè)→打包?！　?純凈半導(dǎo)體Si中摻V族元素的雜質(zhì)，當(dāng)雜質(zhì)電離時(shí)釋放電子。這種雜質(zhì)稱(施主雜質(zhì))　　8.在P型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是：(空穴)　　9.總厚度變差TTV是指：(硅片厚度的最大值與最小值

5、之差)目的-通過(guò)該培訓(xùn)員工可對(duì)保安行業(yè)有初步了解，并感受到安保行業(yè)的發(fā)展的巨大潛力，可提升其的專業(yè)水平，并確保其在這個(gè)行業(yè)的安全感。為了適應(yīng)公司新戰(zhàn)略的發(fā)展，保障停車場(chǎng)安保新項(xiàng)目的正常、順利開(kāi)展，特制定安保從業(yè)人員的業(yè)務(wù)技能及個(gè)人素質(zhì)的培訓(xùn)計(jì)劃　　10..常用的半導(dǎo)體電阻率測(cè)量方法有：(直接法、二探針?lè)?、三探針?lè)ā⑺奶结樂(lè)?、多探針。）?！　?、在晶格中，通過(guò)任意兩點(diǎn)連一直線，則這直線上包含了無(wú)數(shù)個(gè)相同的格點(diǎn)，此直線稱為_(kāi)______晶列_____?！　?、精餾是利用不同組分有不同的______沸點(diǎn)____

6、__，在同一溫度下，各組分具有不同蒸汽壓的特點(diǎn)進(jìn)行分離的?！　?、物理吸附的最大優(yōu)點(diǎn)是其為一種_____可逆_______過(guò)程，吸附劑經(jīng)脫附后可以循環(huán)使用，不必每次更換吸附劑?！　?、多晶硅的定向凝固，是在凝固過(guò)程中采用強(qiáng)制手段，在凝固金屬和未凝固體中建立起特定方向的____溫度梯度________?！　?、工業(yè)硅生產(chǎn)過(guò)程中一般要做好以下幾個(gè)方面：_、觀察爐子情況，及時(shí)調(diào)整配料比_、_____選擇合理的爐子結(jié)構(gòu)參數(shù)和電氣參數(shù)___；及時(shí)搗爐，幫助沉料_和______保持料層有良好的透氣性　　6、改良西門子

7、法包括五個(gè)主要環(huán)節(jié)：SiHCl3的合成；SiHCl3精餾提純；SiHCl3的氫還原；尾氣的回收；SiCl4的氫化分離　　7、由高純的多晶硅生長(zhǎng)單晶硅基本是以_____區(qū)熔法；直拉法兩種物理提純生長(zhǎng)方法為主。目的-通過(guò)該培訓(xùn)員工可對(duì)保安行業(yè)有初步了解，并感受到安保行業(yè)的發(fā)展的巨大潛力，可提升其的專業(yè)水平，并確保其在這個(gè)行業(yè)的安全感。為了適應(yīng)公司新戰(zhàn)略的發(fā)展，保障停車場(chǎng)安保新項(xiàng)目的正常、順利開(kāi)展，特制定安保從業(yè)人員的業(yè)務(wù)技能及個(gè)人素質(zhì)的培訓(xùn)計(jì)劃　　8、CZ法生長(zhǎng)單晶硅工藝主要包括加料，熔化，縮頸生長(zhǎng)_，放肩生

8、長(zhǎng)，等徑生長(zhǎng)，_______尾部生長(zhǎng)____6個(gè)主要步驟?！　?、以硅石和碳質(zhì)還原劑等為原料經(jīng)碳熱還原法生產(chǎn)的含硅97%以上的產(chǎn)品，在我國(guó)通稱為工業(yè)硅或_______冶金級(jí)硅_____?！　?0、總厚度變差TTV是指：_____硅片厚度的最大值與最小值之差_______；翹曲度WARP是指__硅片的中面與參考面之間的最大距離與最小距離之差__________。　　1.晶體缺陷主要包含有以下四種，分別為：點(diǎn)缺陷、線缺陷、面缺陷和