微晶半導(dǎo)體材料

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1、為了適應(yīng)公司新戰(zhàn)略的發(fā)展，保障停車場(chǎng)安保新項(xiàng)目的正常、順利開展，特制定安保從業(yè)人員的業(yè)務(wù)技能及個(gè)人素質(zhì)的培訓(xùn)計(jì)劃微晶半導(dǎo)體材料　　1．引言　　半導(dǎo)體材料是最重要最有影響的功能材料之一，它在微電子領(lǐng)域具有獨(dú)一無二的地位，同時(shí)又是光電子領(lǐng)域的主要材料[1]。其發(fā)展大致經(jīng)歷了以下幾個(gè)階段:上世紀(jì)中葉，單晶硅和半導(dǎo)體晶體管的發(fā)明及其硅集成電路的研制成功，導(dǎo)致了電子工業(yè)革命；上世紀(jì)70年代初石英光導(dǎo)纖維材料和GaAs激光器的發(fā)明，促進(jìn)了光纖通信技術(shù)迅速發(fā)展并逐步形成了高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)，使人類進(jìn)入了信息時(shí)代;超晶格概念的提出及其半導(dǎo)體超晶格、量子阱材料的研制成功，徹底改變了光電器件的設(shè)計(jì)思想，使

2、半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)與制造從“雜質(zhì)工程”發(fā)展到“能帶工程”,使人類跨入到量子效應(yīng)和低維結(jié)構(gòu)特性的新一代半導(dǎo)體器件和電路時(shí)代[2]?！　‖F(xiàn)階段，國(guó)際上已經(jīng)發(fā)展并且最有前途的半導(dǎo)體材料主要包括[3]：硅(Si）、鍺(Ge)、III-V族化合物，II-VI族化合物等單晶，IV-IV族化合物單晶、微晶、納米晶和非晶半導(dǎo)體?！　?．半導(dǎo)體材料摻雜　　半導(dǎo)體摻雜原因目的-通過該培訓(xùn)員工可對(duì)保安行業(yè)有初步了解，并感受到安保行業(yè)的發(fā)展的巨大潛力，可提升其的專業(yè)水平，并確保其在這個(gè)行業(yè)的安全感。為了適應(yīng)公司新戰(zhàn)略的發(fā)展，保障停車場(chǎng)安保新項(xiàng)目的正常、順利開展，特制定安保從業(yè)人員的業(yè)務(wù)技能及個(gè)人素質(zhì)的培訓(xùn)

3、計(jì)劃　　完全純凈、具有完整晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體[4]，在絕對(duì)零度溫度下，本征半導(dǎo)體的價(jià)帶是滿帶，受到光電注入或熱激發(fā)后，價(jià)帶中的部分電子會(huì)獲得足夠的能量，越過禁帶進(jìn)入能量較高的空帶，并在價(jià)帶中形成帶正電的空位(空穴)，上述產(chǎn)生的電子和空穴均能自由移動(dòng)，成為載流子。但是常溫下本征半導(dǎo)體中載流子濃度很低，電導(dǎo)率較小，載流子濃度對(duì)溫度變化敏感，所以很難對(duì)半導(dǎo)體特性進(jìn)行控制，因此實(shí)際應(yīng)用不多?！　楦淖儼雽?dǎo)體材料的載流子濃度和導(dǎo)電類型，我們將一定數(shù)量和一定種類的雜質(zhì)摻入其中，以硅晶體為例，摻入的雜質(zhì)主要有Ⅲ、Ⅴ族的硼、磷、砷、銻等，這些雜質(zhì)在晶體中一般能替代硅原子，占據(jù)晶格位置

4、，并能在適當(dāng)溫度下電離形成自由電子或空穴，控制和改變晶體的導(dǎo)電能力，上述過程就稱為摻雜。根據(jù)所摻雜質(zhì)不同，又可以形成P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體。　　摻雜方法介紹　　半導(dǎo)體摻雜的兩種主要方式包括高溫?cái)U(kuò)散和離子注入?！　「邷?cái)U(kuò)散：一直到20世紀(jì)70年代，雜質(zhì)摻雜主要是由高溫?cái)U(kuò)散的方式來完成，雜質(zhì)原子通過氣相源或摻雜過的氧化物擴(kuò)散或淀積到硅晶片的表面，這些雜質(zhì)濃度將從表面到體內(nèi)單調(diào)下降，而雜質(zhì)分布主要是由高溫與擴(kuò)散時(shí)間來決定?！　‰x子注入：摻雜離子以離子束的形式注入半導(dǎo)體內(nèi)，雜質(zhì)濃度在半導(dǎo)體內(nèi)有個(gè)峰值分布，雜質(zhì)分布主要由離子質(zhì)量和注入能量決定。目的-通過該培訓(xùn)員工可對(duì)保安行業(yè)有初步了解，并

5、感受到安保行業(yè)的發(fā)展的巨大潛力，可提升其的專業(yè)水平，并確保其在這個(gè)行業(yè)的安全感。為了適應(yīng)公司新戰(zhàn)略的發(fā)展，保障停車場(chǎng)安保新項(xiàng)目的正常、順利開展，特制定安保從業(yè)人員的業(yè)務(wù)技能及個(gè)人素質(zhì)的培訓(xùn)計(jì)劃　　在半導(dǎo)體制造剛剛開始的階段，高溫?cái)U(kuò)散是晶片摻雜的主要手段。而隨著超　　大規(guī)模集成電路技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體芯片的特征尺寸越來越小，相應(yīng)的器件也越來越小，擴(kuò)散工藝已很難滿足生產(chǎn)要求，現(xiàn)在晶片制造中幾乎所有的摻雜工藝都是用離子注入實(shí)現(xiàn)的?！　〈送猓壳鞍l(fā)展的一些摻雜新技術(shù)還包括以下幾種：　　等離子體浸沒摻雜：該技術(shù)最初是1986年在制備冶金工業(yè)中抗蝕耐磨合金時(shí)提出的，1988年，該技術(shù)開始進(jìn)入半

6、導(dǎo)體材料摻雜領(lǐng)域，用于薄膜晶體管的氧化、高劑量注入形成埋置氧化層、溝槽摻雜、吸雜重金屬的高劑量氫注入等工序。具有如下優(yōu)點(diǎn)：以極低的能量實(shí)現(xiàn)高劑量注入；注入時(shí)間與晶片的大小無關(guān)；設(shè)備和系統(tǒng)比傳統(tǒng)的離子注入機(jī)簡(jiǎn)單，成本低?！　⊥渡涫綒怏w浸入激光摻雜[6]:該技術(shù)是一種變革性的摻雜技術(shù)，它可以得到其他方法難以獲得的突變摻雜分布、超淺結(jié)深度和相當(dāng)?shù)偷拇?lián)電阻。通過在一個(gè)系統(tǒng)中相繼完成摻雜、退火和形成圖形，P-GILD技術(shù)對(duì)工藝有著極大的簡(jiǎn)化，這大大地降低了系統(tǒng)的工藝設(shè)備成本。近年來，該技術(shù)已被成功地用于CMOS器件和雙極器件的制備中。目的-通過該培訓(xùn)員工可對(duì)保安行業(yè)有初步了解，并感受到安

7、保行業(yè)的發(fā)展的巨大潛力，可提升其的專業(yè)水平，并確保其在這個(gè)行業(yè)的安全感。為了適應(yīng)公司新戰(zhàn)略的發(fā)展，保障停車場(chǎng)安保新項(xiàng)目的正常、順利開展，特制定安保從業(yè)人員的業(yè)務(wù)技能及個(gè)人素質(zhì)的培訓(xùn)計(jì)劃　　快速汽相摻雜該技術(shù)以汽相摻雜劑方式直接擴(kuò)散到硅片中，以形成超淺結(jié)的快速熱處理工藝。其中，摻雜濃度通過氣體流量來控制，對(duì)于硼摻雜，使用B2H6為摻雜劑；對(duì)于磷摻雜，使用PH3為摻雜劑；對(duì)于砷摻雜，使用砷或TBA　　為摻雜劑。目前，RVD技術(shù)已被成功地用于制備的PMOS器件，其結(jié)深為50nm。該P(yáng)M