材料物理李志林

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1、為了適應(yīng)公司新戰(zhàn)略的發(fā)展，保障停車場(chǎng)安保新項(xiàng)目的正常、順利開(kāi)展，特制定安保從業(yè)人員的業(yè)務(wù)技能及個(gè)人素質(zhì)的培訓(xùn)計(jì)劃材料物理李志林　　一、材料的電子理論　　1、說(shuō)明自由電子近似的基本假設(shè)。在該假設(shè)下，自由電子在一維金屬晶體中如何分　　布？電子的波長(zhǎng)、能量各如何分布？　　自由電子近似假設(shè)：自由電子在金屬內(nèi)受到一個(gè)均勻勢(shì)場(chǎng)的作用，使電子保持在金屬內(nèi)部，金屬中的價(jià)電子是完全自由的；自由電子的狀態(tài)不符合麥克斯韋-波爾茲曼統(tǒng)計(jì)規(guī)律，但服從費(fèi)米-狄拉克的量子統(tǒng)計(jì)規(guī)律。分布：電子的勢(shì)能在整個(gè)長(zhǎng)度L內(nèi)都一樣，當(dāng)0=L

2、時(shí)U(x)=∞，以此建立一維勢(shì)阱模型。一維勢(shì)阱中自由電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)滿足的薛定諤方程為　　為：φ=??2??????+4??2????=0，在一維晶體中的解??????2??　　??1　　????。在長(zhǎng)度L內(nèi)的金屬絲中某處找到電子的幾?2??2　　8????2??n率為

3、φ

4、2=φφ*=，與位置x無(wú)關(guān)，即在某處找到電子的幾率相等，電子在金屬中呈均勻分布。自由電子的能量：E=、2、3??)電子波長(zhǎng)：λ=目的-通過(guò)該培訓(xùn)員工可對(duì)保安行業(yè)有初步了解，并感受到安保行業(yè)的發(fā)展的巨大潛力，可提升其的專業(yè)水平，并確

5、保其在這個(gè)行業(yè)的安全感。為了適應(yīng)公司新戰(zhàn)略的發(fā)展，保障停車場(chǎng)安保新項(xiàng)目的正常、順利開(kāi)展，特制定安保從業(yè)人員的業(yè)務(wù)技能及個(gè)人素質(zhì)的培訓(xùn)計(jì)劃　　近自由電子近似基本假設(shè)：點(diǎn)陣完整，晶體無(wú)窮大，不考慮表面效應(yīng)；不考慮離子熱運(yùn)動(dòng)對(duì)電子運(yùn)動(dòng)的影響；每個(gè)電子獨(dú)立的在離子勢(shì)場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)，不考慮電子間的相互作用；周期勢(shì)場(chǎng)隨空間位置的變化較小，可當(dāng)作微擾處理。電子在一維周期勢(shì)場(chǎng)中的運(yùn)動(dòng)薛定諤方程：　　φ(x)=??????????2φ????+8??2??????????=0，方程的解為?2　　2????2??(??)。

6、自由電子近似下的E-K關(guān)系有：E==?22????2，為拋物線?！　??在近自由電子近似下，對(duì)應(yīng)于許多K值，這種關(guān)系仍然成立；但對(duì)于另一些K值，????能量E與這種平方關(guān)系相差許多。在某些K值，能量E發(fā)生突變，即在K=±處　　能量E=En±

7、Un

8、不再是準(zhǔn)連續(xù)的。近自由電子近似下有些能量是允許電子占據(jù)的，　　稱為允帶；另外一些能量范圍是禁止電子占據(jù)的，稱為禁帶?！　?、何為K空間？K空間中的和兩點(diǎn)哪個(gè)代表的能級(jí)能量高？　　K空間：取波數(shù)矢量K為單位矢量建立一個(gè)坐標(biāo)系統(tǒng)，他在正交坐標(biāo)系的投影分別為K

9、x、Ky、Kz，這樣建立的空間稱為K空間?！　?2+22+22>12+12+32，故比高?！　?、何謂狀態(tài)密度？三維晶體中自由電子的狀態(tài)密度與電子能量是何種關(guān)系？目的-通過(guò)該培訓(xùn)員工可對(duì)保安行業(yè)有初步了解，并感受到安保行業(yè)的發(fā)展的巨大潛力，可提升其的專業(yè)水平，并確保其在這個(gè)行業(yè)的安全感。為了適應(yīng)公司新戰(zhàn)略的發(fā)展，保障停車場(chǎng)安保新項(xiàng)目的正常、順利開(kāi)展，特制定安保從業(yè)人員的業(yè)務(wù)技能及個(gè)人素質(zhì)的培訓(xùn)計(jì)劃　　狀態(tài)密度：自由電子的能級(jí)密度亦稱為狀態(tài)密度，即單位能量范圍內(nèi)所容納的自由電子數(shù)。關(guān)系：三維，能級(jí)為

10、E及其以下的能級(jí)狀態(tài)總數(shù)為Z(E)=C，式中C=4πV3(2m)?3即能級(jí)密度與E的平方根成正比；二維的Z(E)為常數(shù)；　　一維的能級(jí)密度Z(E)與E的平方根成反比?！　??4、用公式??(??)=0K和TK時(shí)的能量分布，并說(shuō)明T改變時(shí)????????+??　　該能量分布如何變化。　　分布：當(dāng)T=0K時(shí)，若E>EF，則f(E)=0，若E≤EF，則f(E)=1。當(dāng)T>0K時(shí)，一般　　1有EF?kT，當(dāng)E=EF，則f(E)=若EEF，則當(dāng)E?EF時(shí)，f(E)=0；當(dāng)E-EF則稱為間隙化合物　　超結(jié)構(gòu)：

11、是指在一定溫度下，成分接近于一定原子比的短程有　　序的固溶體可能轉(zhuǎn)變?yōu)殚L(zhǎng)程有序，即超結(jié)構(gòu)　　特種陶瓷：一般由人工原料制成，是較純的化合物或數(shù)種較純的化合物的簡(jiǎn)單混合體多晶體：取向不同的多個(gè)小晶粒形成的晶體　　晶體缺陷：晶體中偏離理想結(jié)構(gòu)的區(qū)域　　化學(xué)缺陷：由局部的成分與基體不同導(dǎo)致的缺陷　　點(diǎn)陣缺陷：指原子排列處于幾何上的混亂狀態(tài)，而與構(gòu)成晶體的元素?zé)o關(guān)的缺陷目的-通過(guò)該培訓(xùn)員工可對(duì)保安行業(yè)有初步了解，并感受到安保行業(yè)的發(fā)展的巨大潛力，可提升其的專業(yè)水平，并確保其在這個(gè)行業(yè)的安全感。為了適應(yīng)公司新

12、戰(zhàn)略的發(fā)展，保障停車場(chǎng)安保新項(xiàng)目的正常、順利開(kāi)展，特制定安保從業(yè)人員的業(yè)務(wù)技能及個(gè)人素質(zhì)的培訓(xùn)計(jì)劃　　點(diǎn)缺陷：指在x,y,z方向的尺寸都很小的點(diǎn)陣缺陷，也稱零位缺陷　　線缺陷：指在兩個(gè)方向上的尺寸都很小，而另一個(gè)方向相對(duì)很長(zhǎng)的點(diǎn)陣缺陷，也稱一維　　缺陷　　面缺陷：指在兩個(gè)方向上的尺寸都很大，另一個(gè)方向上尺寸很小的點(diǎn)陣缺陷，也稱二維　　缺陷　　空位和間隙原子：空位是由于原子遷移到點(diǎn)陣中其他位置形成的空結(jié)點(diǎn)；間隙原子指處　　于點(diǎn)陣中間隙位置的原子　　空位形成能：形成單個(gè)空位所需要的能量