材料物理李志林

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1、為了適應(yīng)公司新戰(zhàn)略的發(fā)展，保障停車場安保新項目的正常、順利開展，特制定安保從業(yè)人員的業(yè)務(wù)技能及個人素質(zhì)的培訓(xùn)計劃材料物理李志林　　一、材料的電子理論　　1、說明自由電子近似的基本假設(shè)。在該假設(shè)下，自由電子在一維金屬晶體中如何分　　布？電子的波長、能量各如何分布？　　自由電子近似假設(shè)：自由電子在金屬內(nèi)受到一個均勻勢場的作用，使電子保持在金屬內(nèi)部，金屬中的價電子是完全自由的；自由電子的狀態(tài)不符合麥克斯韋-波爾茲曼統(tǒng)計規(guī)律，但服從費米-狄拉克的量子統(tǒng)計規(guī)律。分布：電子的勢能在整個長度L內(nèi)都一樣，當0=L

2、時U(x)=∞，以此建立一維勢阱模型。一維勢阱中自由電子運動狀態(tài)滿足的薛定諤方程為　　為：φ=??2??????+4??2????=0，在一維晶體中的解??????2??　　??1　　????。在長度L內(nèi)的金屬絲中某處找到電子的幾?2??2　　8????2??n率為

3、φ

4、2=φφ*=，與位置x無關(guān)，即在某處找到電子的幾率相等，電子在金屬中呈均勻分布。自由電子的能量：E=、2、3??)電子波長：λ=目的-通過該培訓(xùn)員工可對保安行業(yè)有初步了解，并感受到安保行業(yè)的發(fā)展的巨大潛力，可提升其的專業(yè)水平，并確

5、保其在這個行業(yè)的安全感。為了適應(yīng)公司新戰(zhàn)略的發(fā)展，保障停車場安保新項目的正常、順利開展，特制定安保從業(yè)人員的業(yè)務(wù)技能及個人素質(zhì)的培訓(xùn)計劃　　近自由電子近似基本假設(shè)：點陣完整，晶體無窮大，不考慮表面效應(yīng)；不考慮離子熱運動對電子運動的影響；每個電子獨立的在離子勢場中運動，不考慮電子間的相互作用；周期勢場隨空間位置的變化較小，可當作微擾處理。電子在一維周期勢場中的運動薛定諤方程：　　φ(x)=??????????2φ????+8??2??????????=0，方程的解為?2　　2????2??(??)。

6、自由電子近似下的E-K關(guān)系有：E==?22????2，為拋物線。　　??在近自由電子近似下，對應(yīng)于許多K值，這種關(guān)系仍然成立；但對于另一些K值，????能量E與這種平方關(guān)系相差許多。在某些K值，能量E發(fā)生突變，即在K=±處　　能量E=En±

7、Un

8、不再是準連續(xù)的。近自由電子近似下有些能量是允許電子占據(jù)的，　　稱為允帶；另外一些能量范圍是禁止電子占據(jù)的，稱為禁帶?！　?、何為K空間？K空間中的和兩點哪個代表的能級能量高？　　K空間：取波數(shù)矢量K為單位矢量建立一個坐標系統(tǒng)，他在正交坐標系的投影分別為K

9、x、Ky、Kz，這樣建立的空間稱為K空間?！　?2+22+22>12+12+32，故比高?！　?、何謂狀態(tài)密度？三維晶體中自由電子的狀態(tài)密度與電子能量是何種關(guān)系？目的-通過該培訓(xùn)員工可對保安行業(yè)有初步了解，并感受到安保行業(yè)的發(fā)展的巨大潛力，可提升其的專業(yè)水平，并確保其在這個行業(yè)的安全感。為了適應(yīng)公司新戰(zhàn)略的發(fā)展，保障停車場安保新項目的正常、順利開展，特制定安保從業(yè)人員的業(yè)務(wù)技能及個人素質(zhì)的培訓(xùn)計劃　　狀態(tài)密度：自由電子的能級密度亦稱為狀態(tài)密度，即單位能量范圍內(nèi)所容納的自由電子數(shù)。關(guān)系：三維，能級為

10、E及其以下的能級狀態(tài)總數(shù)為Z(E)=C，式中C=4πV3(2m)?3即能級密度與E的平方根成正比；二維的Z(E)為常數(shù)；　　一維的能級密度Z(E)與E的平方根成反比?！　??4、用公式??(??)=0K和TK時的能量分布，并說明T改變時????????+??　　該能量分布如何變化。　　分布：當T=0K時，若E>EF，則f(E)=0，若E≤EF，則f(E)=1。當T>0K時，一般　　1有EF?kT，當E=EF，則f(E)=若EEF，則當E?EF時，f(E)=0；當E-EF則稱為間隙化合物　　超結(jié)構(gòu)：

11、是指在一定溫度下，成分接近于一定原子比的短程有　　序的固溶體可能轉(zhuǎn)變?yōu)殚L程有序，即超結(jié)構(gòu)　　特種陶瓷：一般由人工原料制成，是較純的化合物或數(shù)種較純的化合物的簡單混合體多晶體：取向不同的多個小晶粒形成的晶體　　晶體缺陷：晶體中偏離理想結(jié)構(gòu)的區(qū)域　　化學缺陷：由局部的成分與基體不同導(dǎo)致的缺陷　　點陣缺陷：指原子排列處于幾何上的混亂狀態(tài)，而與構(gòu)成晶體的元素無關(guān)的缺陷目的-通過該培訓(xùn)員工可對保安行業(yè)有初步了解，并感受到安保行業(yè)的發(fā)展的巨大潛力，可提升其的專業(yè)水平，并確保其在這個行業(yè)的安全感。為了適應(yīng)公司新

12、戰(zhàn)略的發(fā)展，保障停車場安保新項目的正常、順利開展，特制定安保從業(yè)人員的業(yè)務(wù)技能及個人素質(zhì)的培訓(xùn)計劃　　點缺陷：指在x,y,z方向的尺寸都很小的點陣缺陷，也稱零位缺陷　　線缺陷：指在兩個方向上的尺寸都很小，而另一個方向相對很長的點陣缺陷，也稱一維　　缺陷　　面缺陷：指在兩個方向上的尺寸都很大，另一個方向上尺寸很小的點陣缺陷，也稱二維　　缺陷　　空位和間隙原子：空位是由于原子遷移到點陣中其他位置形成的空結(jié)點；間隙原子指處　　于點陣中間隙位置的原子　　空位形成能：形成單個空位所需要的能量