離子束刻蝕速率與被刻材料的關(guān)系

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1、為了適應(yīng)公司新戰(zhàn)略的發(fā)展，保障停車(chē)場(chǎng)安保新項(xiàng)目的正常、順利開(kāi)展，特制定安保從業(yè)人員的業(yè)務(wù)技能及個(gè)人素質(zhì)的培訓(xùn)計(jì)劃離子束刻蝕速率與被刻材料的關(guān)系　　離子束加工技術(shù)　　1離子束濺射技術(shù)的發(fā)展　　離子束濺射沉積干涉反射膜的進(jìn)展可總結(jié)為［２］:　　*1976年之前，一般干涉反射膜反射率R>99%；　　*1976年離子束濺射干涉膜，反射率R=%；*1979年離子束濺射干涉膜，反射率R=%；*1983年離子束濺射干涉膜損耗降到60ppm,反射率R=%；*1988年離子束濺射干涉膜損耗降到10ppm以下,反射率R=%；*1992年離子束濺射干涉膜損耗降到,反射率R=%；*1997年離子束濺射干涉膜用

2、于ICF三倍頻激光反射鏡實(shí)驗(yàn)，351nm波長(zhǎng)激光(脈沖)損傷閾值達(dá)20J/cm2；　　*1998年離子束濺射干涉膜用于ICF基頻激光反射鏡實(shí)驗(yàn)，得到了1060nm波長(zhǎng)激光損傷閾值　　達(dá)50J/cm2，吸收損耗小于6ppm的實(shí)驗(yàn)結(jié)果?！　≡趪?guó)內(nèi)，對(duì)離子束濺射技術(shù)的研究非常少，在很多領(lǐng)域幾乎接近于空白，根據(jù)國(guó)家和時(shí)代的需要，這項(xiàng)技　　術(shù)的研究在國(guó)內(nèi)變得尤為迫切。　　2離子束濺射技術(shù)的原理和特征　　離子束濺射技術(shù)目的-通過(guò)該培訓(xùn)員工可對(duì)保安行業(yè)有初步了解，并感受到安保行業(yè)的發(fā)展的巨大潛力，可提升其的專(zhuān)業(yè)水平，并確保其在這個(gè)行業(yè)的安全感。為了適應(yīng)公司新戰(zhàn)略的發(fā)展，保障停車(chē)場(chǎng)安保新項(xiàng)目的正常、順

3、利開(kāi)展，特制定安保從業(yè)人員的業(yè)務(wù)技能及個(gè)人素質(zhì)的培訓(xùn)計(jì)劃　　在比較低的氣壓下，從離子源取出的氬離子以一定角度對(duì)靶材進(jìn)行轟擊，由于轟擊離子的能量大約為　　1keV，對(duì)靶材的穿透深度可忽略不計(jì)，級(jí)聯(lián)碰撞只發(fā)生在靶材幾個(gè)原子厚度的表面層中，大量的原子逃離　　靶材表面，成為濺射粒子,其具有的能量大約為10eV的數(shù)量級(jí)。由于真空室內(nèi)具有比較少的背景氣體分子，　　濺射粒子的自由程很大，這些粒子以直線(xiàn)軌跡到達(dá)基板并沉積在上面形成薄膜。由于大多數(shù)濺射粒子具有　　的能量只能滲入并使薄膜致密，而沒(méi)有足夠的能量使其他粒子移位，造成薄膜的破壞；并且由于低的背景　　氣壓，薄膜的污染也很低；而且，冷的基板也阻止了

4、由熱激發(fā)導(dǎo)致晶粒的生長(zhǎng)在薄膜內(nèi)的擴(kuò)散。因此，在　　基板上可以獲得致密的無(wú)定形膜層。在成膜的過(guò)程中，特別是那些能量高于10eV的濺射粒子，能夠滲入　　幾個(gè)原子量級(jí)的膜層從而提高了薄膜的附著力，并且在高低折射率層之間形成了很小梯度的過(guò)度層。有的　　轟擊離子從靶材獲得了電子而成為中性粒子或多或少的被彈性反射，然后，它們以幾百電子伏的能量撞擊　　薄膜，高能中性粒子的微量噴射可以進(jìn)一步使薄膜致密而且也增強(qiáng)了薄膜的內(nèi)應(yīng)力　　雙離子束濺射技術(shù)目的-通過(guò)該培訓(xùn)員工可對(duì)保安行業(yè)有初步了解，并感受到安保行業(yè)的發(fā)展的巨大潛力，可提升其的專(zhuān)業(yè)水平，并確保其在這個(gè)行業(yè)的安全感。為了適應(yīng)公司新戰(zhàn)略的發(fā)展，保障停車(chē)

5、場(chǎng)安保新項(xiàng)目的正常、順利開(kāi)展，特制定安保從業(yè)人員的業(yè)務(wù)技能及個(gè)人素質(zhì)的培訓(xùn)計(jì)劃　　對(duì)于大多數(shù)光學(xué)應(yīng)用，主離子源和上面描述的單個(gè)離子源的功能相同，輔助離子源有下面描述的補(bǔ)充功能：(1)基片的清洗和修整(2)吸收的改善和薄膜的修整　　(3)化學(xué)計(jì)量比的調(diào)整　　3應(yīng)用前景　　目前，離子束濺射技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng)域不斷　　地被拓寬，并且應(yīng)用的光譜波段也早已從可見(jiàn)光拓寬到紅外、紫外、χ射線(xiàn)等范圍。到1992年，國(guó)外已　　運(yùn)用離子束濺射技術(shù)獲得了反射率接近六個(gè)九的超低損耗高反射激光鏡。離子束濺射技術(shù)在光纖、計(jì)算機(jī)、　　通信、納米技術(shù)、新材料、集成光學(xué)等領(lǐng)域也即將發(fā)揮其強(qiáng)大的作用。尤其信息時(shí)代的到來(lái)，光纖通

6、訊發(fā)　　揮了越來(lái)越大的作用，對(duì)于光纖通信容量的要求也越來(lái)越大，其中關(guān)鍵的器件就是波分復(fù)用器，而離子束　　濺射技術(shù)正是研制、開(kāi)發(fā)波分復(fù)用器的優(yōu)選技術(shù)方案?？梢?jiàn)，離子束濺射技術(shù)在將來(lái)一定有著更加廣闊的　　應(yīng)用前景，引起人們的更加重視?！　?離子束刻蝕工藝　　離子束刻蝕技術(shù)的一個(gè)很重要的物理參數(shù)　　是濺射率。它表征著每一個(gè)入射離子打出的原子數(shù)?！　】涛g速率與離子束能量、　　束流大小、離子束轟擊表面的入射角以及被加工　　材料的原子結(jié)構(gòu)、晶向等許多因素有關(guān)?！　?.1不同材料的刻蝕速率目的-通過(guò)該培訓(xùn)員工可對(duì)保安行業(yè)有初步了解，并感受到安保行業(yè)的發(fā)展的巨大潛力，可提升其的專(zhuān)業(yè)水平，并確保其在這個(gè)

7、行業(yè)的安全感。為了適應(yīng)公司新戰(zhàn)略的發(fā)展，保障停車(chē)場(chǎng)安保新項(xiàng)目的正常、順利開(kāi)展，特制定安保從業(yè)人員的業(yè)務(wù)技能及個(gè)人素質(zhì)的培訓(xùn)計(jì)劃　　由于離子束刻蝕裝置中采用了中和燈絲,可　　中和Ar+離子的正電荷,使正離子束變成中性　　束。以這種高能的中性束轟擊被刻蝕基片而實(shí)現(xiàn)　　刻蝕加工,所以對(duì)材料無(wú)選擇性,金屬非金屬均　　可刻蝕。只是不同材料的刻蝕速率不一樣。　　表1幾種常用材料的刻蝕速率　　材料名稱(chēng)AuPtWSiSiO2　　刻蝕速率/nm·min-166.