采用哪些介質(zhì)材料制備鈍化層-其優(yōu)缺點(diǎn)-

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1、為了適應(yīng)公司新戰(zhàn)略的發(fā)展，保障停車(chē)場(chǎng)安保新項(xiàng)目的正常、順利開(kāi)展，特制定安保從業(yè)人員的業(yè)務(wù)技能及個(gè)人素質(zhì)的培訓(xùn)計(jì)劃采用哪些介質(zhì)材料制備鈍化層?其優(yōu)缺點(diǎn)?　　1芯片及系統(tǒng)設(shè)計(jì)制作流程：構(gòu)想，設(shè)計(jì)，作制，測(cè)試，定型品4IC制造過(guò)程：A　　硅錠硅片形成帶芯片的硅片切成芯片，封裝，成品測(cè)試5IC制造過(guò)程：　　7集成電路制造工藝：1、圖形轉(zhuǎn)換：將設(shè)計(jì)在掩膜版(類(lèi)似于照相底片)上的圖形轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體單晶片上2、摻雜：根據(jù)設(shè)計(jì)的需要，將各種雜質(zhì)摻雜在需要的位置上，形成晶體管、接觸等3、制膜：制作各種材料的薄膜8圖形轉(zhuǎn)換：光刻　　一、光刻的定義：光刻是一種圖形復(fù)印和

2、化學(xué)腐蝕相結(jié)合的精密表面加工技術(shù)?！　《?、光刻的目的：光刻的目的就是在二氧化硅或金屬薄膜上面刻蝕出與掩膜版完全對(duì)應(yīng)的幾何圖形，從而實(shí)現(xiàn)選擇性擴(kuò)散和金屬薄膜布線的目的?！　?光刻三要素：光刻膠、掩膜版和光刻機(jī)　　光刻膠：受到特定波長(zhǎng)光線作用后，導(dǎo)致其化學(xué)結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，?可以對(duì)化合物半導(dǎo)體進(jìn)行摻雜　　25：退火：也叫熱處理，集成電路工藝中所有的在氮?dú)獾炔换顫姎夥罩羞M(jìn)行的熱處理過(guò)程都可以稱(chēng)為退火。目的-通過(guò)該培訓(xùn)員工可對(duì)保安行業(yè)有初步了解，并感受到安保行業(yè)的發(fā)展的巨大潛力，可提升其的專(zhuān)業(yè)水平，并確保其在這個(gè)行業(yè)的安全感。為了適應(yīng)公司新戰(zhàn)略的發(fā)展，保障停

3、車(chē)場(chǎng)安保新項(xiàng)目的正常、順利開(kāi)展，特制定安保從業(yè)人員的業(yè)務(wù)技能及個(gè)人素質(zhì)的培訓(xùn)計(jì)劃　　?激活雜質(zhì)：使不在晶格位置上的離子運(yùn)動(dòng)到晶格位置，以便具有電活性，產(chǎn)生自由載流子，起到雜質(zhì)的作用?消除損傷　　?退火方式：　　?爐退火　　?快速退火：脈沖激光法、掃描電子束、連續(xù)波激光、非相干寬帶頻光源(如鹵光燈、電弧燈、石墨加熱器、紅外設(shè)備等)　　26氧化：制備SiO2層　　?SiO2的性質(zhì)及其作用　　?SiO2是一種十分理想的電絕緣材料，它的化學(xué)性質(zhì)非常穩(wěn)定，室溫下它只與氫氟酸發(fā)生化學(xué)反應(yīng)　　27氧化硅層的主要作用　　使光刻膠在某種特定溶液中的溶解特性發(fā)生改變

4、。正膠：分辨率高，在超大規(guī)模集成電路工藝中，一般只采用正膠。曝光前不可溶，曝光后可溶　　負(fù)膠：分辨率差，適于加工線寬大于3微米的線條。曝光前可溶，曝光后不可溶　　11幾種常見(jiàn)的光刻方法：　　?接觸式光刻：分辨率較高，但是容易造成掩膜版和光刻膠膜的損傷。目的-通過(guò)該培訓(xùn)員工可對(duì)保安行業(yè)有初步了解，并感受到安保行業(yè)的發(fā)展的巨大潛力，可提升其的專(zhuān)業(yè)水平，并確保其在這個(gè)行業(yè)的安全感。為了適應(yīng)公司新戰(zhàn)略的發(fā)展，保障停車(chē)場(chǎng)安保新項(xiàng)目的正常、順利開(kāi)展，特制定安保從業(yè)人員的業(yè)務(wù)技能及個(gè)人素質(zhì)的培訓(xùn)計(jì)劃　　?接近式曝光：在硅片和掩膜版之間有一個(gè)很小的間隙(10～2

5、5?m)，可以大大減小掩膜版的損傷，分辨率較低?投影式曝光：利用透鏡或反射鏡將掩膜版上的圖形投影到襯底上的曝光方法，目前用的最多的曝光方式　　13超細(xì)線條光刻技術(shù)　　深遠(yuǎn)紫外線(EUV),子束光刻,X射線,離子束光刻　　14刻蝕技術(shù)：濕法刻蝕：利用液態(tài)化學(xué)試劑或溶液通過(guò)化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行刻蝕的方法　　?干法刻蝕：主要指利用低壓放電產(chǎn)生的等離子體中的離子或游離基(處于激發(fā)態(tài)的分子、原子及各種原子基團(tuán)等)與材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或通過(guò)轟擊等物理作用而達(dá)到刻蝕的目的　　15濕法腐蝕：1濕法化學(xué)刻蝕在半導(dǎo)體工藝中有著廣泛應(yīng)用：磨片、拋光、清洗、腐蝕2優(yōu)點(diǎn)是選擇性好、

6、重復(fù)性好、生產(chǎn)效率高、設(shè)備簡(jiǎn)單、成本低3缺點(diǎn)是鉆蝕嚴(yán)重、對(duì)圖形的控制性較差16干法刻蝕：　　?濺射與離子束銑蝕：通過(guò)高能惰性氣體離子的物理轟擊作用刻蝕，各向異性性好，但選擇性較差　　?等離子刻蝕(PlasmaEtching)：利用放電產(chǎn)生的游離基與材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，形成揮發(fā)物，實(shí)現(xiàn)刻蝕。選擇性好、對(duì)襯底損傷較小，但各向異性較差目的-通過(guò)該培訓(xùn)員工可對(duì)保安行業(yè)有初步了解，并感受到安保行業(yè)的發(fā)展的巨大潛力，可提升其的專(zhuān)業(yè)水平，并確保其在這個(gè)行業(yè)的安全感。為了適應(yīng)公司新戰(zhàn)略的發(fā)展，保障停車(chē)場(chǎng)安保新項(xiàng)目的正常、順利開(kāi)展，特制定安保從業(yè)人員的業(yè)務(wù)技能及個(gè)人

7、素質(zhì)的培訓(xùn)計(jì)劃　　?反應(yīng)離子刻蝕(ReactiveIonEtching，簡(jiǎn)稱(chēng)為RIE)：通過(guò)活性離子對(duì)襯底的物理轟擊和化學(xué)反應(yīng)雙重作用刻蝕。具有濺射刻蝕和等離子刻蝕兩者的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)兼有各向異性和選擇性好的優(yōu)點(diǎn)。目前，RIE已成為VLSI工藝中應(yīng)用最廣泛的主流刻蝕技術(shù)　　17光刻過(guò)程如下：1．涂光刻膠2．掩膜對(duì)準(zhǔn)3．曝光4．顯影5．刻蝕：采用干法刻蝕6．去膠：化學(xué)方法及干法去膠(1)丙酮中，然后用無(wú)水乙醇(2)發(fā)煙硝酸(3)等離子體的干法刻蝕技術(shù)18雜質(zhì)摻雜　　?摻雜：將需要的雜質(zhì)摻入特定的半導(dǎo)體區(qū)域中，以達(dá)到改變半導(dǎo)體電學(xué)性質(zhì)，形成PN結(jié)、電阻、

8、歐姆接觸?磷(P)、砷(As)——N型硅?硼(B)——P型硅　　?摻雜工藝：擴(kuò)散、離子注入　　19擴(kuò)散：Ⅲ、Ⅴ族元素　　?一般要在很高的