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《采用哪些介質(zhì)材料制備鈍化層-其優(yōu)缺點(diǎn)-》由會(huì)員上傳分享,免費(fèi)在線閱讀,更多相關(guān)內(nèi)容在應(yīng)用文檔-天天文庫(kù)。
1、為了適應(yīng)公司新戰(zhàn)略的發(fā)展,保障停車(chē)場(chǎng)安保新項(xiàng)目的正常、順利開(kāi)展,特制定安保從業(yè)人員的業(yè)務(wù)技能及個(gè)人素質(zhì)的培訓(xùn)計(jì)劃采用哪些介質(zhì)材料制備鈍化層?其優(yōu)缺點(diǎn)? 1芯片及系統(tǒng)設(shè)計(jì)制作流程:構(gòu)想,設(shè)計(jì),作制,測(cè)試,定型品4IC制造過(guò)程:A 硅錠硅片形成帶芯片的硅片切成芯片,封裝,成品測(cè)試5IC制造過(guò)程: 7集成電路制造工藝:1、圖形轉(zhuǎn)換:將設(shè)計(jì)在掩膜版(類(lèi)似于照相底片)上的圖形轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體單晶片上2、摻雜:根據(jù)設(shè)計(jì)的需要,將各種雜質(zhì)摻雜在需要的位置上,形成晶體管、接觸等3、制膜:制作各種材料的薄膜8圖形轉(zhuǎn)換:光刻 一、光刻的定義:光刻是一種圖形復(fù)印和
2、化學(xué)腐蝕相結(jié)合的精密表面加工技術(shù)?! 《?、光刻的目的:光刻的目的就是在二氧化硅或金屬薄膜上面刻蝕出與掩膜版完全對(duì)應(yīng)的幾何圖形,從而實(shí)現(xiàn)選擇性擴(kuò)散和金屬薄膜布線的目的?! ?光刻三要素:光刻膠、掩膜版和光刻機(jī) 光刻膠:受到特定波長(zhǎng)光線作用后,導(dǎo)致其化學(xué)結(jié)構(gòu)發(fā)生變化,?可以對(duì)化合物半導(dǎo)體進(jìn)行摻雜 25:退火:也叫熱處理,集成電路工藝中所有的在氮?dú)獾炔换顫姎夥罩羞M(jìn)行的熱處理過(guò)程都可以稱(chēng)為退火。目的-通過(guò)該培訓(xùn)員工可對(duì)保安行業(yè)有初步了解,并感受到安保行業(yè)的發(fā)展的巨大潛力,可提升其的專(zhuān)業(yè)水平,并確保其在這個(gè)行業(yè)的安全感。為了適應(yīng)公司新戰(zhàn)略的發(fā)展,保障停
3、車(chē)場(chǎng)安保新項(xiàng)目的正常、順利開(kāi)展,特制定安保從業(yè)人員的業(yè)務(wù)技能及個(gè)人素質(zhì)的培訓(xùn)計(jì)劃 ?激活雜質(zhì):使不在晶格位置上的離子運(yùn)動(dòng)到晶格位置,以便具有電活性,產(chǎn)生自由載流子,起到雜質(zhì)的作用?消除損傷 ?退火方式: ?爐退火 ?快速退火:脈沖激光法、掃描電子束、連續(xù)波激光、非相干寬帶頻光源(如鹵光燈、電弧燈、石墨加熱器、紅外設(shè)備等) 26氧化:制備SiO2層 ?SiO2的性質(zhì)及其作用 ?SiO2是一種十分理想的電絕緣材料,它的化學(xué)性質(zhì)非常穩(wěn)定,室溫下它只與氫氟酸發(fā)生化學(xué)反應(yīng) 27氧化硅層的主要作用 使光刻膠在某種特定溶液中的溶解特性發(fā)生改變
4、。正膠:分辨率高,在超大規(guī)模集成電路工藝中,一般只采用正膠。曝光前不可溶,曝光后可溶 負(fù)膠:分辨率差,適于加工線寬大于3微米的線條。曝光前可溶,曝光后不可溶 11幾種常見(jiàn)的光刻方法: ?接觸式光刻:分辨率較高,但是容易造成掩膜版和光刻膠膜的損傷。目的-通過(guò)該培訓(xùn)員工可對(duì)保安行業(yè)有初步了解,并感受到安保行業(yè)的發(fā)展的巨大潛力,可提升其的專(zhuān)業(yè)水平,并確保其在這個(gè)行業(yè)的安全感。為了適應(yīng)公司新戰(zhàn)略的發(fā)展,保障停車(chē)場(chǎng)安保新項(xiàng)目的正常、順利開(kāi)展,特制定安保從業(yè)人員的業(yè)務(wù)技能及個(gè)人素質(zhì)的培訓(xùn)計(jì)劃 ?接近式曝光:在硅片和掩膜版之間有一個(gè)很小的間隙(10~2
5、5?m),可以大大減小掩膜版的損傷,分辨率較低?投影式曝光:利用透鏡或反射鏡將掩膜版上的圖形投影到襯底上的曝光方法,目前用的最多的曝光方式 13超細(xì)線條光刻技術(shù) 深遠(yuǎn)紫外線(EUV),子束光刻,X射線,離子束光刻 14刻蝕技術(shù):濕法刻蝕:利用液態(tài)化學(xué)試劑或溶液通過(guò)化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行刻蝕的方法 ?干法刻蝕:主要指利用低壓放電產(chǎn)生的等離子體中的離子或游離基(處于激發(fā)態(tài)的分子、原子及各種原子基團(tuán)等)與材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或通過(guò)轟擊等物理作用而達(dá)到刻蝕的目的 15濕法腐蝕:1濕法化學(xué)刻蝕在半導(dǎo)體工藝中有著廣泛應(yīng)用:磨片、拋光、清洗、腐蝕2優(yōu)點(diǎn)是選擇性好、
6、重復(fù)性好、生產(chǎn)效率高、設(shè)備簡(jiǎn)單、成本低3缺點(diǎn)是鉆蝕嚴(yán)重、對(duì)圖形的控制性較差16干法刻蝕: ?濺射與離子束銑蝕:通過(guò)高能惰性氣體離子的物理轟擊作用刻蝕,各向異性性好,但選擇性較差 ?等離子刻蝕(PlasmaEtching):利用放電產(chǎn)生的游離基與材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng),形成揮發(fā)物,實(shí)現(xiàn)刻蝕。選擇性好、對(duì)襯底損傷較小,但各向異性較差目的-通過(guò)該培訓(xùn)員工可對(duì)保安行業(yè)有初步了解,并感受到安保行業(yè)的發(fā)展的巨大潛力,可提升其的專(zhuān)業(yè)水平,并確保其在這個(gè)行業(yè)的安全感。為了適應(yīng)公司新戰(zhàn)略的發(fā)展,保障停車(chē)場(chǎng)安保新項(xiàng)目的正常、順利開(kāi)展,特制定安保從業(yè)人員的業(yè)務(wù)技能及個(gè)人
7、素質(zhì)的培訓(xùn)計(jì)劃 ?反應(yīng)離子刻蝕(ReactiveIonEtching,簡(jiǎn)稱(chēng)為RIE):通過(guò)活性離子對(duì)襯底的物理轟擊和化學(xué)反應(yīng)雙重作用刻蝕。具有濺射刻蝕和等離子刻蝕兩者的優(yōu)點(diǎn),同時(shí)兼有各向異性和選擇性好的優(yōu)點(diǎn)。目前,RIE已成為VLSI工藝中應(yīng)用最廣泛的主流刻蝕技術(shù) 17光刻過(guò)程如下:1.涂光刻膠2.掩膜對(duì)準(zhǔn)3.曝光4.顯影5.刻蝕:采用干法刻蝕6.去膠:化學(xué)方法及干法去膠(1)丙酮中,然后用無(wú)水乙醇(2)發(fā)煙硝酸(3)等離子體的干法刻蝕技術(shù)18雜質(zhì)摻雜 ?摻雜:將需要的雜質(zhì)摻入特定的半導(dǎo)體區(qū)域中,以達(dá)到改變半導(dǎo)體電學(xué)性質(zhì),形成PN結(jié)、電阻、
8、歐姆接觸?磷(P)、砷(As)——N型硅?硼(B)——P型硅 ?摻雜工藝:擴(kuò)散、離子注入 19擴(kuò)散:Ⅲ、Ⅴ族元素 ?一般要在很高的