射頻單片t2fr組件混頻器關(guān)鍵技術(shù)-研究

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1、獨(dú)創(chuàng)性(或創(chuàng)新性)聲明本人聲明所呈交的論文是我個(gè)人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果。盡我所知，除了文中特別加以標(biāo)注和致謝中所羅列的內(nèi)容以外，論文中不包含其它人已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果；也不包含為獲得西安電子科技大學(xué)或其它教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書而使用過的材料。與我一同工作的同志對(duì)本研究所做的任何貢獻(xiàn)均已在論文中做了明確的說明并表示了謝意。申請(qǐng)學(xué)位論文與資料若有不實(shí)之處，本人簽名：褪互查叁本人承擔(dān)一切相關(guān)責(zé)任。關(guān)于論文使用授權(quán)的說明本人完全了解西安電子科技大學(xué)有關(guān)保留和使用學(xué)位論文的規(guī)定，即：研究生在校攻讀學(xué)位期間論文工作的知識(shí)產(chǎn)權(quán)單位屬西

2、安電子科技大學(xué)。本人保證畢業(yè)離校后，發(fā)表論文或使用論文(與學(xué)位論文相關(guān))工作成果時(shí)署名單位仍然為西安電子科技大學(xué)。學(xué)校有權(quán)保留送交論文的復(fù)印件，允許查閱和借閱論文；學(xué)?？梢怨颊撐牡娜炕虿糠謨?nèi)容，可以允許采用影印、縮印或其它復(fù)制手段保存論文。本人簽名：主查窒魚墊導(dǎo)師簽名：碰筠日期絲!圣：蘭．!!日期蘭!f蘭：互．!!摘要微波固態(tài)電路設(shè)計(jì)技術(shù)與工藝的發(fā)展，為微波、毫米波在雷達(dá)和無線通信領(lǐng)域的應(yīng)用提供了強(qiáng)有力的支撐。特別是硅基集成電路工藝的發(fā)展，使低成本、高性能的微波單片集成電路(MMIC)、甚至是微波毫米波射頻集成片上系統(tǒng)(SoC)成為可能。訊組

3、件作為相控陣?yán)走_(dá)的關(guān)鍵技術(shù)，對(duì)雷達(dá)性能起決定性作用。近年來高集成度，低成本的雷達(dá)訊組件成為研究的熱點(diǎn)?；祛l器作為T瓜組件中的關(guān)鍵模塊，對(duì)整個(gè)訊組件的性能具有決定性的影響。尤其是其線性性能，是關(guān)乎整個(gè)系統(tǒng)線性度的重要參數(shù)?，F(xiàn)代有源相控陣?yán)走_(dá)對(duì)混頻器的增益和線性度都提出了很高的要求，這進(jìn)一步增大了混頻器設(shè)計(jì)的難度?；谶@種背景，如何設(shè)計(jì)高增益、高線性度的混頻器成為問題的關(guān)鍵。本文在傳統(tǒng)雙平衡混頻器的基礎(chǔ)上，經(jīng)過多方面的優(yōu)化，設(shè)計(jì)出一種折疊的高線性度、高增益的混頻器。通過采用多柵晶體管(M伽己)技術(shù)，在有效提高混頻器的線性度的同時(shí)，避免了其增益的退化。

4、此外．本振級(jí)LC諧振槽路、負(fù)載PMOS分流管等技術(shù)的采用進(jìn)一步提高了混頻器的各項(xiàng)性能。本文還對(duì)混頻器三個(gè)端口的接口電路進(jìn)行了設(shè)計(jì)。在射頻和本振端口，采用共源共柵有源巴侖實(shí)現(xiàn)單端到雙端的轉(zhuǎn)換。在中頻輸出端，采用輸出有源巴侖和緩沖器實(shí)現(xiàn)雙端到單端的轉(zhuǎn)換，同時(shí)提高了混頻器帶負(fù)載的能力。有源巴侖的采用，極大的提高了混頻器的集成度。設(shè)計(jì)最后給出了版圖的設(shè)計(jì)方案。本設(shè)計(jì)采用TSMCO．35岬SiGeBicMOS工藝庫，使用Cad饑cespec仃eI心工具進(jìn)行仿真。仿真結(jié)果顯示變頻增益為12．97dB，輸入1dB壓縮點(diǎn)(Pl曲)為2．88dBm，輸入三階交調(diào)點(diǎn)

5、(IIP3)為16．18dBm。噪聲系數(shù)為17dB。電路工作電壓為2．5V。關(guān)鍵詞：相控陣?yán)走_(dá)T／R組件混頻器多柵晶體管(MGTR)線性度射頻單片T／R組件混頻器關(guān)鍵技術(shù)研究AbstractAbs仃actDevelopmentofthet。cll芏10lo百鼯andd鶴ignsl【i11sinmicrowavesolid．statecircllits舀V鷦as昀ng剛aillforIIli啪wave鋤dlIlillilllcter啪vcbeing璐edinwhl骼sc0刪cationarea．SpeCially，developmentoftlle

6、techllologyinsiliconme伊atedcircllitmal【esnot011lynleMicrowaveMonoliⅡlichlte目atedCircluits(MMIC)，butalsoⅡleRF衄egratedSystem∞aChipoperatinginnlicrowaveandmillimeterwaveb孤dintoreali哪T瓜moduleisⅡ圮keytcChnolog)rinp礎(chǔ)cdar殘玀rad甌w11ichplaySad鰣sivcroleiIlraIdarperf．0徹ance．Desi弘ofHigllin

7、tegr乏瞄on鋤d10wcost蒯arT／Rmodulebecomesa向cusinre宅entvearS．Being觚importantblockinT瓜module’mi)【盱h嬲acriticale丘．eCton鉑heper如加aI賦oftlleT瓜module，whoselill礎(chǔ)秒瑚：turei11nu鋤c懿t11e】ine撕tyoft11eentiresystem．Mod鋤aCtiveph嬲eda盯ayrad盯system嘲um笛tllenlixe璐initperfonnhi曲gainand1lighliIle砸鑼propeni鼯a

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