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《sram存儲(chǔ)器總劑量效應(yīng)研究》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。
1、萬方數(shù)據(jù)目錄1目錄第一章緒論................................................................................................................11.1研究背景.............................................................................................................11.1.1SRAM簡述..........................
2、.........................................................................11.1.2SRAM最新發(fā)展............................................................................................21.2空間環(huán)境及輻照效應(yīng)分析..................................................................................21.2.
3、1空間環(huán)境......................................................................................................21.2.2輻射效應(yīng)......................................................................................................31.3SRAM的總劑量效應(yīng)研究現(xiàn)狀............................................
4、..............................41.3.1國外研究現(xiàn)狀...............................................................................................41.3.2國內(nèi)研究現(xiàn)狀...............................................................................................51.4論文主要工作和組織安排......................
5、............................................................6第二章輻射損傷機(jī)理.................................................................................................72.1Si-SiO2界面電荷.................................................................................................72
6、.1.1可動(dòng)離子電荷...............................................................................................72.1.2界面陷阱電荷...............................................................................................82.1.3氧化層固定電荷........................................................
7、...................................92.1.4氧化層陷阱電荷...........................................................................................92.2SiO2介質(zhì)材料輻射損傷機(jī)理............................................................................102.2.1電子-空穴對...................................
8、.................................
