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《mocvd技術(shù)沉積鎳、鐵膜的設(shè)備及工藝研究》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學術(shù)論文-天天文庫。
1、華中科技大學碩士學位論文摘要基于前期研究工作，在已搭建的金屬有機物化學氣相沉積(MOCVD)實驗平臺上，對反應(yīng)室和裂解爐進行了重大改進。從實驗結(jié)果看來，改進后的實驗裝置達到了預(yù)期效果。在本文中，作者通過使用不同的載氣，調(diào)節(jié)沉積溫度、壓力、前驅(qū)體摩爾比來研究上述因素對沉積速率的影響，以獲得高速沉積的最佳工藝參數(shù)。詳細討論了溫度對玻璃管出現(xiàn)三段不同薄膜(光亮金屬膜、彩色膜、黑色剝落膜)的影響。在以玻璃管為襯底時，獲得了兩個最佳工藝參數(shù)：(1)沉積溫度為130。C、載氣(Ar)分壓為4000Pa、羰基鎳分壓為400Pa、載氣流量為80ml／min；(2)沉積溫度為115℃、
2、載氣(Ar)分壓為2500Pa、羰基鎳分壓為400Pa、載氣流量為80ml／min。通過采用x射線衍射(xRD)、掃描電鏡(sEM)、DSC熱分析、原子力顯微鏡(AFM)、x射線光電子能譜(XPS)等多種測試分析手段，探討了不同沉積襯底對薄膜質(zhì)量的影響，并對光亮金屬膜的內(nèi)外表面作了詳細的測試分析，最后還初步探討了溫度對羰基鐵的沉積特性的影響。本文第一章緒言部分介紹了MOCVD技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀和展望，以及鎳膜的化學氣相沉積現(xiàn)狀和存在的問題，并闡述了課題的研究目的和意義。第二章重點介紹了實驗裝置的設(shè)計和改進，也簡介了工藝原理和測控系統(tǒng)。實驗結(jié)果表明：相對于立式反應(yīng)室，使用臥
3、式反應(yīng)室不僅能夠提高前驅(qū)體的利用效率，而且容易保證密封性，另外，在沉積過程中，沉積襯底(玻璃管)上出現(xiàn)溫度梯度，因此在一個實驗周期中可獲得不同溫度下沉積的薄膜。第三章是實驗部分，重點介紹了影響沉積速率的各種因素、不同沉積襯底對薄膜質(zhì)量的影響、最佳工藝參數(shù)的獲取以及組織分析等，最后還簡介了羰基鐵的沉積特性。第四章結(jié)合有關(guān)薄膜生長理論對部分實驗結(jié)果作了定性的分析。第五章對全文作了總結(jié)，提出了一些有意義的結(jié)論，同時也闡明了需進一步解決的問題。關(guān)鍵詞：MOCVD實驗裝置鎳膜羰基化合物華中科技大學碩士學位論文AbstractALLkindsofexperienceandless
4、onsduringthecourseofexperimenthavebeensummarized，andgreatprogresshasbeenmadeinthereactoranddecomposedstoveonthebaseoftheexistedMOCVDdeviceAnticipatedeffecthasbeenobtainedinthesightoftheexperimentresult．InordertOobtaintheoptimizedprocessingparameter,thefactorsaffectingthedeoositionrateof
5、nickelfilm，suchascarriergas，temperature，pressureandthemolepercentageofprecursor,arediscussedinthepaper．Theinfluenceoftemperatureontheresultthatthreekindsofthinfilms(shinningsuccessivefilm，colorfulfilmandblackandpeeledfilm)appearontheglasstubeisdiscussedindetail．Twooptimizedprocessingpar
6、ametershavebeenobtainedwhenglasstubeisusedasthesubstrateofdeposition：(1)depositiontemperature：130"C、carriergaspressure：4000Pa、nickelcarbonylpressure：400Pa、carriergasflUX：80mI／min；(2)depositiontemperature：1156C、carriergaspressure：2500Pa、nickelcarbonylpressure：400Pa、carriergasflux：80ml／mi
7、n．BythemeansofX-raydiffraction(XRD)，scanningelectronmicroscope(SEM)，differentscanningcalorimeter(DSC)，atomforcemicroscope(AFM)，x—rayphotoelectronspectrum(XPS)，theeffectofdifferentsubstratesofdepositiononthequalityofthinfilmisdiscussed，theinnerandoutsidesurfacesoftheshinningsucc
