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《無速度傳感器定子磁鏈矢量控制系統(tǒng)研究》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關內容在學術論文-天天文庫。
1、浙江工業(yè)太學碩士學位論文摘要本文簡述了變頻調速控制技術的發(fā)展和研究現(xiàn)狀。從建立異步電機的數(shù)學模型開始，導出了矢量控制理論并分析了其不足之處。分析比較了當前主要的三種異步電機速度辨識方法。提出了一種簡單而有效的電機速度辨識方案，仿真結果揭示了它的優(yōu)越性。通過對定子磁鏈矢量控制系統(tǒng)的分析，可知該系統(tǒng)避免了矢量控制系統(tǒng)對轉子參數(shù)的依賴，具備了直接轉矩控制的實質。采用了固定步長，在開關頻率不高時仍能取得較好的控制效果。但是對轉子磁鏈估計的精度要求很高。文中應用Matlab／Simulink構造了該系統(tǒng)并和經典矢量控制系統(tǒng)作了仿真比較。驗證了上述觀點。關鍵詞：電壓空間矢量，矢量控制，無速度傳
2、感器，直接轉矩控制浙江工業(yè)大擘碩士學位論丈ABSTRACTThedevelopmentandthestateofcontroItechniqueofvariablefrequencyspeedregulationaredescribedinthispaperfirst．BasedonthemathematicmodeiofInductionMotor,theprincipleoffieldorientedcontrolisdeducedandthedrawbackofFOCthendiscussed．ThreepopularapproachestoIMspeedidentifica
3、tionarecomparedinsimulation．Asimpleandefficientwaytoestimaterotorspeedisproposed，Simulationresultsshowthefeasibilityoftheproposedstrategy．ThispaperanalyzedtheStatorFluxVectorControl(SFVC)methodofinductionmotors。PossessedtheessentialofDTC，SFVCisindependentofrotorparameters．Thatisdifferentfromth
4、eFOCsystem．SFVCisasimplecontrolsystemthatworksatfixedfrequencyandachievesgoodeffecttraderlowswitchfrequency．Butitneedsahighaccuracyofestimationofrotorflux．ThesimulationresultsofSFVCiscomparedtotheFOC’sandverifiedtheconclusioniustmentioned．KEYWORDS：VoltageSpaceVector,VectorControl，Speedsensorle
5、ss，DirectTorqueControl浙江工業(yè)丸學碩士學位論文第一章概違第一章概述據統(tǒng)計，我國總發(fā)電量的63％(美、日、法、俄為60％左右)是通過電動機消耗掉的。電氣傳動分成不調速和調速兩大類，調速又分為交流調速和直流調速兩種方式。絕大多數(shù)場合需要調速傳動，以節(jié)約電能，改善產品質量，提高產量。隨著電力電子技術、微電子技術和控制技術的迅速發(fā)展，交流調速取代直流調速和全數(shù)字化系統(tǒng)取代模擬系統(tǒng)已成為必然趨勢。1．1變頻調速系統(tǒng)的發(fā)展[1][2][3】變頻調速技術是以感應電動機為對象的電氣傳動設備的應用技術。是當今節(jié)電，改善工藝流程，及提高產品質量和改善不斷惡化的環(huán)境以推動技術進步的
6、一種主要手段。它以體積小、重量輕、精度高、通用性強、工藝先進、功能豐富、保護齊全、可靠性高、操作簡便等優(yōu)點超過以往的任何調速方式。其在我國電氣傳動系統(tǒng)中占據的地位曰趨重要，已獲得巨大的節(jié)能效果。隨著電力電子技術和數(shù)字控制技術的發(fā)展，交流電機變頻調速系統(tǒng)的實際應用比重會逐步增高，直到最后完全取代直流調速和其它調速方式。電力電子技術的每一次進展都極大的推動了電氣傳動技術的革新[4][5]。20世紀60年代以后，半導體功率器件從普通晶閘管(SCR)、門極可關斷晶閘管(GTO)、雙極型晶體管(BJT)、金屬氧化硅場效應管(MOSFET)、靜電感應晶體管(SIT)、靜電感應晶閘管(SITH)
7、、MOS控制晶體管(MGT)、MOS控制品閘管(MCT)逐步發(fā)展到絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和耐高壓絕緣柵雙極型晶體管(HVIGBT)。目前已經開發(fā)出IEGT(電子加強注入型絕緣柵極晶體管)和IGCT(集成門極換流晶閘管)兩種新的門極控制功率半導體器件。IEGT和IGCT融合了IGBT干UGTO器件的優(yōu)點，維持了IGBT的開關特性，又具有GTO的低通態(tài)電壓值。目前IEGT器件的容量已達到4500V／1500A，IGCT的容量達到4400V／4500A，已經開始用于
