童詩(shī)白___《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》

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1、?教材:童詩(shī)白童詩(shī)白《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》??主講主講::蔣宏蔣宏82314573-14(O)82314573-14(O)新主樓新主樓E1115E1115?http://www.qudati.com/腦筋急轉(zhuǎn)彎緒論一、課程的地位和主要內(nèi)容電路、電子技術(shù)（模擬、數(shù)字）、微機(jī)原理、自動(dòng)控制原理、通信原理、……電子技術(shù)——研究電子器件、電子電路及其應(yīng)用的科學(xué)技術(shù)?！　　　∑骷槁酚镁w論模擬信號(hào)：在時(shí)間和數(shù)值上連續(xù)的信號(hào)。uu模擬電路tt緒論二、電子技術(shù)的典型應(yīng)用模擬電數(shù)字電干擾、噪聲、漂移、

2、非線性子技術(shù)子技術(shù)被傳模擬模數(shù)數(shù)字微微感信號(hào)測(cè)轉(zhuǎn)換接口器處理控對(duì)伺服功率數(shù)模數(shù)字機(jī)機(jī)機(jī)構(gòu)放大轉(zhuǎn)換接口象電機(jī)計(jì)算機(jī)檢測(cè)控制系統(tǒng)原理框圖三、如何學(xué)好模電緒論課程特點(diǎn)：內(nèi)容多、內(nèi)容雜、工程實(shí)踐性強(qiáng)基本原理“基本電路”原理放大器、反饋、1、抓“重點(diǎn)”振蕩器基本圖解法、小信號(hào)等效電路法分析方法2、注重綜合分析注重工程化素質(zhì)培養(yǎng)3、提高學(xué)習(xí)效率、培養(yǎng)自學(xué)能力課堂、答疑、作業(yè)、自學(xué)四、模電成績(jī)?nèi)绾嗡?作業(yè)：１０％?期末考試：９０％?參考課堂和答疑表現(xiàn)?作業(yè)：每周交1次，全交，有參考解答第一章常用半導(dǎo)體器件第一章常用半

3、導(dǎo)體器件內(nèi)容提要半導(dǎo)體器件是組成各種電子電路——包括模擬電路和數(shù)字電路，集成電路和分立元件電路的基礎(chǔ)。本章首先介紹半導(dǎo)體的特性，半導(dǎo)體中載流子的運(yùn)動(dòng)，闡明PN結(jié)的單向?qū)щ娦?，然后介紹半導(dǎo)體二極管、穩(wěn)壓管、半導(dǎo)體三極管及場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)、工作原理、特性曲線和主要參數(shù)。1.11.11.11.1半導(dǎo)體半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)基礎(chǔ)知識(shí)1.21.21.21.2半導(dǎo)體二極管半導(dǎo)體二極管1.1.1.333穩(wěn)壓管穩(wěn)壓管1.41.41.4半導(dǎo)體三極管半導(dǎo)體三極管1.1.1.1.5555場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管1.11.1半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)半導(dǎo)體

4、基礎(chǔ)知識(shí)1.1.11.1.1半導(dǎo)體的特性半導(dǎo)體的特性一、定義導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物體稱(chēng)半導(dǎo)體。如：硅（Si）、鍺（Ge）等價(jià)電子：圍繞原子核運(yùn)動(dòng)的最外層軌道的電子導(dǎo)體:低價(jià)元素絕緣體:高價(jià)元素硅（Si）、鍺（Ge）：４個(gè)價(jià)電子價(jià)電子慣性核+4+14簡(jiǎn)化模型硅原子結(jié)構(gòu)（Ｓi，Ge）二、特性1.溫度↑→導(dǎo)電能力↑→可做成各種熱敏元件2.受光照→導(dǎo)電能力↑→可做成各種光電器件3.摻入微量雜質(zhì)→導(dǎo)電能力↑↑↑↑（幾十萬(wàn)~幾百萬(wàn)倍）→可做成品種繁多、用途廣泛的半導(dǎo)體器件。如半導(dǎo)體二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管

5、等。1.1.21.1.2本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體純凈的、沒(méi)有結(jié)構(gòu)缺陷的半導(dǎo)體單晶+4+4+4稱(chēng)為本征半導(dǎo)體。它是共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)。Si，Ge慣性核+4+4+4價(jià)電子+4+4+4本征半導(dǎo)體的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)在常溫下自由電子和空穴的形成+4+4+4成對(duì)消失復(fù)合+4+4+4空自由電子自由電子和穴空穴稱(chēng)為載成對(duì)出現(xiàn)流子+4+4+4本征激發(fā)本征激發(fā)————價(jià)電子受熱及光照后，價(jià)電子受熱及光照后，掙脫共價(jià)鍵束縛成為自由電子。掙脫共價(jià)鍵束縛成為自由電子。半導(dǎo)體中有半導(dǎo)體中有半導(dǎo)體中有兩種載流子兩種載流子兩種載流子兩種載流子：：：電子

6、、空穴電子、空穴電子、空穴半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性：1、熱敏特性：、熱敏特性：TT導(dǎo)電能力導(dǎo)電能力22、光敏特性：光照、光敏特性：光照導(dǎo)電能力導(dǎo)電能力激勵(lì)一定時(shí)，電子空穴對(duì)的產(chǎn)生和復(fù)合激勵(lì)一定時(shí)，電子空穴對(duì)的產(chǎn)生和復(fù)合會(huì)達(dá)到會(huì)達(dá)到““動(dòng)態(tài)平衡動(dòng)態(tài)平衡””。。注意本征半導(dǎo)體中載流子的濃度除與半導(dǎo)體材料本身的性質(zhì)有關(guān)外，還與溫度密切相關(guān)。半導(dǎo)體材料性能對(duì)溫度的這種敏感性，既可用來(lái)制造熱敏和光敏器件，又是造成半導(dǎo)體器件溫度穩(wěn)定性差的原因。在外電場(chǎng)作用下，電子和空穴均能+4+4+4參與導(dǎo)電。這是半導(dǎo)體導(dǎo)電與導(dǎo)體導(dǎo)電最本

7、質(zhì)的區(qū)別。+4+4+4價(jià)電子填補(bǔ)空穴電子移動(dòng)方向空穴移動(dòng)方向+4+4+4外電場(chǎng)方向外電場(chǎng)方向1.1.31.1.3雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體通過(guò)擴(kuò)散工藝，在本征半導(dǎo)體中摻入微量特定元素，便可形成+4+4+4雜質(zhì)半導(dǎo)體。一、N型半導(dǎo)體正離子磷原子在純凈的硅或+4+4+5+4鍺晶體中摻入多余價(jià)電子微量五價(jià)元素（如磷）所形自由電子成的雜質(zhì)半導(dǎo)+4+4+4體稱(chēng)N型半導(dǎo)體。N型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)示意圖少數(shù)載流子多數(shù)載流子正離子在N型半導(dǎo)體中，自由電子是多數(shù)載流子，空穴是少數(shù)載流子。二、P型半導(dǎo)體在純凈的硅或鍺的+4+4+4晶體中

8、摻入微量的三價(jià)元素（如硼）硼原子負(fù)離子所形成的雜質(zhì)半導(dǎo)+4+3+4+4體稱(chēng)P型半導(dǎo)體。填補(bǔ)空位+4+4+4P型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)示意圖多數(shù)載流子負(fù)離子少數(shù)載流子在P型半導(dǎo)體中，空穴是多數(shù)載流子，自由電子是少數(shù)載流子。注意?對(duì)于雜質(zhì)半導(dǎo)體，多子濃度約等于所摻雜質(zhì)濃度，多子濃度受溫度影響??；?少子（本征激發(fā)）本征激發(fā)）濃度受溫度影響大；注意不論是N型半導(dǎo)體還是P型半導(dǎo)體，雖然它們都有一種載流子占多數(shù)，但整個(gè)晶體仍然是不帶電的，呈電中性。通過(guò)摻入雜質(zhì)來(lái)提