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《聚酰亞胺介孔分子篩低介電常數(shù)復合薄膜的制備及性能研究》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關內容在學術論文-天天文庫。
1、北京化工大學碩士研究生畢業(yè)論文聚酰亞胺／介孔分子篩低介電常數(shù)復合薄膜的制備及性能研究摘要隨著超大規(guī)模集成電路(ULSI)器件集成度的提高，亟需開發(fā)新型低介電常數(shù)(10w．k)材料來降低由于特征尺寸的降低所帶來的信號容阻(RC)延遲、串擾以及能耗等問題。聚合物基復合薄膜在微電子行業(yè)具有廣闊的應用前景，氧化硅介孔分子篩MCM．4l具有超低介電常數(shù)，使其成為比較合適的低介電復合材料的填料。本文主要研究了聚酰亞胺／介孔分子篩(P蹦CM41)復合薄膜的制備方法及其性能。采用溶膠．凝膠法制備了MCM41分子篩，分別通過原位分散聚合工藝和球磨分散工藝將具有超低介電常數(shù)的MCM．4l粒子復合到PI
2、基體中以制備低介電常數(shù)PⅢCM．41復合薄膜。采用TEM、SEM、U譏Ⅵs、TGA、阻抗分析儀等對復合薄膜的微觀結構、熱性能、電性能等進行了研究。結果顯示：無機粒子在P瑚CM．4l復合薄膜中分散均勻，介電常數(shù)降至2．58，體積電阻率和擊穿場強均得到提高，分別達到3．139×1016Q皿和255．45MVm～。球磨工藝得到的復合薄膜性能要優(yōu)于原位分散聚合得到的復合薄膜性能。這樣的低介電復合材料有望在集成電路中得到應用。關鍵詞：聚酰亞胺，MCM-41，低介電常數(shù)，擊穿強度，電阻率北京化工大學碩士研究生畢業(yè)論文PREPARATIoNANDPRoPERTIESoFPoLyIMIDE／MES
3、oPoRoUSSILICASIEVECoMPoSITEFILMSWITHLoWDIELECTIUCCoNSTANTABSTRACTLowdielectricconstantmaterialswereexploredinordertoreducetheresistancecapacitancetime(RC)delay，cross—tall(sandpowerconsumptioncausedbytheincreasingdeVicedensitiesinultra-1a唱e—scaleintegrated(ULSI)cirCuits．P01ymer-baseddielectricc
4、oII]lposite矗1msheVebeenproVedt0bepromisingforuseinmeInicroelectronicsindus略TheMCM一41withmeultralowdielectdcconstantwaSmixedintOp01yIllerstoobtainthe10w-kcompositefilms．Inthiswork，pr印arationandpropeniesofp01)，imide／mesoporoussieve(PI／MCM一41)compositcfilmswerestudied．ThemesoporoussieveMCM-41wass
5、yIlthesizedbyⅡlesol·gelmethod，andlow-kPUMCM一4lcompositefilmswithdi蜀f．erentloadingofMCM一4lpanicleswerepr印aredusingthemethodsofin—situpolylnerizationand北京化工大學碩士研究生畢業(yè)論文ball—milling，respectiVely．TEM，SEM，themalconstantsanalyzer'impedanceanalyzerwereusedtocharacterizethemicrostructuresandmeasurethem
6、e咖alanddielectricpropeniesoftheachievedPI／MCM一41Compositefilms．TheresultsshowedthatMCM4lpaniclesweredispersedweninPImatrixandthedielectricconstantofP聊訂CM-41conlpositefilmswasdecreasedto2．58．Meanwhile，t11ev01umeresistivityandbreakdownstrengmwereincreasedto3．139×1016Q．mand255．45MVm～，respectively
7、ItwasobviousthatthedielectricpropertiesofP們MCM一4lcompositefilmsbyball·millingarebetterthanthosepreparedbyin-situdispersionpolyIllerization．Therefore，thiskindofPI／，MCM一41coInpositefilmshaspotentialandbroadapplicationsinmicroelectronicind
