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《飛秒激光改性硅材料的物理機理及其性質(zhì)研究》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。
1、萬方數(shù)據(jù)中圖分類號：UDC：學(xué)校代碼：10055密級：公開高恐犬法博士學(xué)位論文飛秒激光改性硅材料的物理機理及其性質(zhì)研究Studyonthemechanismsandthepropertiesoffemtosecond—laserprocessingsilicon論文作者睦邀丕申請學(xué)位理堂熊±學(xué)科專業(yè)趟塞查物理指導(dǎo)教師螢亞塞熬握!昱翌塾握培養(yǎng)單位菱達廛眉塑理嬰究瞳研究方向低維功能撾魁塑堡焦堂答辯委員會主席羞定漁評閱人趙型!塞送塞：堂送匪!南開大學(xué)研究生院二O一四年五月萬方數(shù)據(jù)南開大學(xué)學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明本人鄭重聲明：所呈交的學(xué)位論文，是本人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進行研究工作所取得的研究成果。除
2、文中已經(jīng)注明引用的內(nèi)容外，本學(xué)位論文的研究成果不包含任何他人創(chuàng)作的、已公開發(fā)表或者沒有公開發(fā)表的作品的內(nèi)容。對本論文所涉及的研究工作做出貢獻的其他個人和集體，均已在文中以明確方式標明。本學(xué)位論文原創(chuàng)性聲明的法律責任由本人承擔。學(xué)位論文作者簽名：陵迭丕2014年06月04日非公開學(xué)位論文標注說明(本頁表中填寫內(nèi)容須打印)根據(jù)南開大學(xué)有關(guān)規(guī)定，非公開學(xué)位論文須經(jīng)指導(dǎo)教師同意、作者本人申請和相關(guān)部門批準方能標注。未經(jīng)批準的均為公開學(xué)位論文，公開學(xué)位論文本說明為空白。南開大學(xué)學(xué)位評定委員會辦公室蓋章(有效)論文題目申請密級口限制(≤2年)口秘密(≤10年)口機密(≤20年)保密期限20年
3、月日至20年月日審批表編號批準日期年月日南開大學(xué)學(xué)位評定委員會辦公室蓋章(有效)注：限N-k2年(可少于2年)；秘密-klO年(可少于10年)；機密★20年(可少于20年)萬方數(shù)據(jù)南開大學(xué)學(xué)位論文使用授權(quán)書根據(jù)《南開大學(xué)關(guān)于研究生學(xué)位論文收藏和利用管理辦法》，我校的博士、碩士學(xué)位獲得者均須向南開大學(xué)提交本人的學(xué)位論文紙質(zhì)本及相應(yīng)電子版。本人完全了解南開大學(xué)有關(guān)研究生學(xué)位論文收藏和利用的管理規(guī)定。南開大學(xué)擁有在《著作權(quán)法》規(guī)定范圍內(nèi)的學(xué)位論文使用權(quán)，即：(1)學(xué)位獲得者必須按規(guī)定提交學(xué)位論文(包括紙質(zhì)印刷本及電子版)，學(xué)?？梢圆捎糜坝 ⒖s印或其他復(fù)制手段保存研究生學(xué)位論文，并編入《
4、南開大學(xué)博碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫》；(2)為教學(xué)和科研目的，學(xué)校可以將公開的學(xué)位論文作為資料在圖書館等場所提供校內(nèi)師生閱讀，在校園網(wǎng)上提供論文目錄檢索、文摘以及論文全文瀏覽、下載等免費信息服務(wù)；(3)根據(jù)教育部有關(guān)規(guī)定，南開大學(xué)向教育部指定單位提交公開的學(xué)位論文；(4)學(xué)位論文作者授權(quán)學(xué)校向中國科技信息研究所及其萬方數(shù)據(jù)電子出版社和中國學(xué)術(shù)期刊(光盤)Lg子出版社提交規(guī)定范圍的學(xué)位論文及其電子版并收入相應(yīng)學(xué)位論文數(shù)據(jù)庫，通過其相關(guān)網(wǎng)站對外進行信息服務(wù)。同時本人保留在其他媒體發(fā)表論文的權(quán)利。非公開學(xué)位論文，保密期限內(nèi)不向外提交和提供服務(wù)，解密后提交和服務(wù)同公開論文。論文電子版提交至
5、校圖書館網(wǎng)站：http：／／202．113．20．161：8001／index．htm。本人承諾：本人的學(xué)位論文是在南開大學(xué)學(xué)習(xí)期間創(chuàng)作完成的作品，并已通過論文答辯；提交的學(xué)位論文電子版與紙質(zhì)本論文的內(nèi)容一致，如因不同造成不良后果由本人自負。本人同意遵守上述規(guī)定。本授權(quán)書簽署一式兩份，由研究生院和圖書館留存。作者暨授權(quán)人簽字：陵毖丕2014年06月04目南開大學(xué)研究生學(xué)位論文作者信息論文題目飛秒激光改性硅材料的物理機理及其性質(zhì)研究姓名陳戰(zhàn)東學(xué)號1120110065答辯日期2014年5月23日論文類別博士一學(xué)歷碩士口碩士專業(yè)學(xué)位口高校教師口同等學(xué)力碩士口院／系／所泰達應(yīng)用物理研究院
6、專業(yè)凝聚態(tài)物理聯(lián)系電話13820322205Emailchen—zhandong,@,126．COITI通信地址(郵編)：天津經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)，宏達街23號，南開大學(xué)泰達學(xué)院七區(qū)(300457)各注：是否批準為非公開論文注：本授權(quán)書適用我校授予的所有博士、碩士的學(xué)位論文。由作者填寫(一式兩份)簽字后交校圖書館，非公開學(xué)位論文須附《南開大學(xué)研究生申請非公開學(xué)位論文審批表》。萬方數(shù)據(jù)摘要本文主要研究了飛秒激光改性(微構(gòu)造)硅的過程及其物理機理，并對飛秒激光構(gòu)造的硅微納結(jié)構(gòu)和材料的性質(zhì)進行了系統(tǒng)的研究。我們分別在空氣、氮氣、六氟化硫和真空環(huán)境下，采用穩(wěn)態(tài)及瞬態(tài)光譜技術(shù)對飛秒激光與硅相互作
7、用過程中產(chǎn)生的羽流進行了深入研究，弄清了羽流的產(chǎn)生和演化過程，進而揭示了飛秒激光改性硅材料的物理機理。并且，我們采用雙溫模型對作用過程中硅表面的熱力學(xué)過程進行了模擬，為解釋飛秒激光刻蝕這一復(fù)雜物理過程提供了參考。通過研究，我們可以清晰地描繪出飛秒激光微構(gòu)造硅的微觀過程。飛秒激光作用后，硅表面自由電子濃度在幾十飛秒之內(nèi)即達到了峰值(～1027／m3)；電子溫度在100fs之內(nèi)也達到了最大值，這一最大值在105K的量級。這一溫度已經(jīng)遠遠超出電子脫離硅表面所需的溫度(～3．7×104K
