高導熱聚酰亞胺復合材料的制備與表征

高導熱聚酰亞胺復合材料的制備與表征

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1、分類號:密級:UDC:編號:??河北工業(yè)大學碩士學位論文高導熱聚酰亞胺復合材料的制備與表征論文作者:楊曦學生類別:全日制學科門類:理學學科專業(yè):高分子化學與物理指導教師:于曉燕職稱:副教授???DissertationSubmittedtoHebeiUniversityofTechnologyforTheMasterDegreeChemistryandPhysicsofPolymersPREPARATIONANDCHARACTERIZATIONOFPOLYIMIDECOMPOSITESWITHHIGHTHERMALCONDUCTIVITIESByXiYangSupervisor:Asso

2、ciateProf.XiaoyanYuMarch2016摘要聚酰亞胺(Polyimide,PI)以其高熱穩(wěn)定性、低介電常數(shù)、優(yōu)良的機械性能被廣泛地應用于電子電氣領域。隨著電子元器件的集成化和微型化,要求作為電子封裝材料的聚酰亞胺具有良好絕緣性能的同時,也具有良好的導熱性能。本文在總結了國內外導熱高分子材料文獻的基礎上,以聚酰亞胺為基體,分別以石墨、石墨烯微片和六方氮化硼為導熱填料,制備了PI基導熱復合材料,具體內容包括以下三部分:(1)利用三種片狀填料填充PI體系并考察其導熱性通過向PI基體中填充石墨、石墨烯微片和六方氮化硼三種片狀高導熱填料,制備了不同填料體系的高導熱復合材料,并對三個

3、體系復合材料的綜合性能進行對比。其中石墨烯微片填充體系熱導率最高,當填充量為40wt%時,熱導率達1.11W/(m?K);但三個體系中只有PI/氮化硼體系保持了良好的絕緣性能,當六方氮化硼填充量為40wt%時,復合薄膜的介電常數(shù)僅為2.76。(2)利用不同含量的六方氮化硼填充PI體系提高其導熱性通過添加胺基化氮化硼顆粒制備了不同填料含量的PI/氮化硼復合材料。研究了胺基化六方氮化硼顆粒對復合材料的熱導率,介電性能,力學性能等性能的影響。其中,填充40wt%胺基化氮化硼粒子的復合材料的熱導率為0.73W/(m?K),為純PI基體的3.9倍。除此之外,我們利用納米金剛石(ND)與BN粒子雜化

4、來提高復合薄膜導熱性,當填料填充量為40wt%,ND與BN質量比為1:10時,熱導率最佳,達0.98W/(m?K)。(3)利用PCL接枝改性六方氮化硼提高其分散性采用兩種化學共價接枝的方法,將聚(ε-己內脂)(PCL)接枝到六方氮化硼表面,改性后的六方氮化硼在有機溶劑中分散性得到有效提高。此外,由于PCL是一種常用的具有生物相容性及生物可降解性的材料,接枝PCL后可提高h-BN的生物相容性,有望開發(fā)其在生物醫(yī)學領域的應用。關鍵詞:聚酰亞胺復合材料六方氮化硼導熱性能介電性能IABSTRACTPolyimidehasbeenwidelyusedinelectronicandelectrici

5、ndustriesbecauseofitshighthermalstability,lowdielectricconstantandexcellentmechanicalproperties.Withelectrondevicesintegratedandminiaturized,favourablethermalconductivityisrequiredforelectronicpackagingmaterialsaswellasexcellentelectricalinsulationproperty.Basedonliteraturesurveyofthermallyconduc

6、tivepolymercomposites,threekindsofcompositeswereprepared,usingGraphite,Graphene,andhexagonalBoronNitride(h-BN)asfillerandPolyimideresin(PI)aspolymermatrix,showninthefollowingthreeparts.(1)PreparationofPIcompositeswith3kindsofplatelet-shapedfillersandstudyonitsthermalconductivityGraphite,Graphene,

7、andh-BNwerefilledintoPItopreparethreekindsofcompositeswithhighthermalconductivity,respectively,andtheperformanceofthethreecompositeswascharacterizedforcomparison.Amongthethreecomposites,thePI/Graphenecompositewith40wt%

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