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1、NANDFlash和NORFlash概述區(qū)分NANDFlash和NORFlash的原理及應(yīng)用ApplicationNoteV1.01Date:2014/08/08產(chǎn)品應(yīng)用筆記文件信息類別內(nèi)容關(guān)鍵詞NANDFlash和NORFlash本文介紹NANDFlash和NORFlash的特點、應(yīng)用領(lǐng)摘要域廣州致遠電子股份有限公司編程器應(yīng)用文檔廣州致遠電子股份有限公司區(qū)分NANDFlash和NORFlash修訂歷史版本日期原因V1.002014/08/08創(chuàng)建文檔產(chǎn)品應(yīng)用筆記?2010GuangzhouZHIYUANEle
2、ctronicsCO.,LTD.i編程器應(yīng)用文檔廣州致遠電子股份有限公司區(qū)分NANDFlash和NORFlash目錄1.NANDFlash和NorFlash各自特點概述...............................................................12.NANDFlash和NorFlash的電子結(jié)構(gòu)...................................................................2產(chǎn)品應(yīng)用筆記?2010Guangz
3、houZHIYUANElectronicsCO.,LTD.i編程器應(yīng)用文檔廣州致遠電子股份有限公司區(qū)分NANDFlash和NORFlash1.NANDFlash和NorFlash各自特點概述NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開發(fā)出NORflash技術(shù)，徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著，1989年，東芝公司發(fā)表了NANDflash結(jié)構(gòu)，強調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經(jīng)過了二十多年之后，仍然有相當
4、多的硬件工程師分不清NOR和NAND。要說明NANDFlash和NORFlash的各自特點，請看下表：NANDFlashNORFlash芯片容量＜32GBit＜1GBit訪問方式順序讀寫隨機讀寫接口方式任意I/O口特定完整存儲器接口讀寫性能讀取快（順序讀）讀取快（RAM方式）寫入快寫入慢擦除快（可按塊擦除）擦除慢使用壽命百萬次十萬次價格低廉高昂從實用的角度來看,和Flash和NAND閃存之間的主要區(qū)別在于接口。NORFlash全隨機訪問內(nèi)存映射和專用接口(如EPROM)地址和數(shù)據(jù)行。另一方面,NAND閃存沒有地
5、址專線。它是由通過8/16發(fā)送命令,地址和數(shù)據(jù)總線位寬(I/O接口)內(nèi)部寄存器，這樣就為許多主控提供了更靈活的配置方式。NANDFlash更適合在各類需要大數(shù)據(jù)的設(shè)備中使用，如U盤、各種存儲卡、MP3播放器等，而NORFlash更適合用在高性能的工業(yè)產(chǎn)品中。產(chǎn)品應(yīng)用筆記?2014GuangzhouZHIYUANElectronicsStockCO.,LTD.1編程器應(yīng)用文檔廣州致遠電子股份有限公司區(qū)分NANDFlash和NORFlash2.NANDFlash和NorFlash的電子結(jié)構(gòu)我們再來了解一下兩種存儲的
6、內(nèi)部結(jié)構(gòu)：圖1.1NANDFlash和NORFlash的電子結(jié)構(gòu)左上圖就是眾所周知的單電子(SLC)技術(shù)的NADNFlash，右上圖則是NORFlash的電子結(jié)構(gòu)。一個存儲單元持有一個比特的信息表達的“H”或“L”電壓。同時多層電子(MLC)結(jié)構(gòu)的也應(yīng)運而生。MLC的結(jié)構(gòu)能在一個存儲單元能容納兩個或兩個以上的信息。MLC實現(xiàn)比SLC更快的傳輸速度、低功耗和低電池耐力比。從而有更低的單位成本，更大的存儲容量和更好的性能。NORFlash內(nèi)的工藝能保證每個存儲單元都保證是好的，類似與ROM一樣。而NANDFlash
7、的結(jié)構(gòu)及生產(chǎn)工藝，會隨機產(chǎn)生無效塊。這些無效塊無法確定編程時的狀態(tài)，就是大家常說的“壞塊”。NandFlash芯片廠商為了區(qū)分好塊與壞塊，會在出廠的時候在備用區(qū)某個地址中標記非FFh表示壞塊。Flash工廠在寬溫和寬電壓范圍內(nèi)測試了NAND；一些由工廠標記為壞的區(qū)塊可能在一定的溫度或電壓條件下仍然能工作，但是，將來可能會失效。所以不要擦除壞塊標記，這一點很重要。如果壞塊信息被擦除，就無法再恢復(fù)，將給你的存儲文件帶來隱患。產(chǎn)品應(yīng)用筆記?2014GuangzhouZHIYUANElectronicsStockCO.
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