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《鋁脅迫對西瓜生理特性及根際微生態(tài)影響的研究》由會員上傳分享,免費在線閱讀,更多相關(guān)內(nèi)容在學術(shù)論文-天天文庫。
1、分類號%51學號S20122504四川巧業(yè)大學碩dt學位論文鍋脅迫對西瓜生理特性及根際微生態(tài)影響的硏究賈松濤指導教師I教巧_鄭陽霞留學科專業(yè)謙讓學研究方向窺菜栽培巧論與巧乂'.-.'、■tA''咕.,.,''.、'.?/—,,■',,i7)—'2015年6/.;月■*叫■-培;,SichuanAriculturalUniversitgy*MasterDisseitationEffectofAluminumTo
2、xicityonthePhysiologicalCharacteristicsandRhizosphere-ecoloofMicrogyWatermelonSeedlinsgBySon-taoJIAgDirectedbyA-.P.YangxiaZHENG,Sichuan乂riculturalUniversitYaan625014gy,,SiChuan,P.R.ChinaJune2015,論文獨創(chuàng)性聲明本人鄭盡聲明:所呈交的學位論文是我個人在導師指導下進斤研究工作
3、所取得的成果。盡我所知,除了文中特別加標注和致謝的地方外,學位論文中不包含其他個人或集體己經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果,也不包含為獲得四川農(nóng)業(yè)大學或其它教育機構(gòu)的學位或證書所使用過的材料一。與我同工作的同志對本研巧所做的任何貢獻均己在論文中作了明確的說明并表示了謝意。V研究生簽名:常松瞭年文月又7日關(guān)于論文使用授權(quán)的聲明目3本人完全了解四川農(nóng)業(yè)大學有關(guān)保留、使用學位論文的規(guī)定,:學校有權(quán)保留|并向圃家有關(guān)部口或機構(gòu)送交論文的復印件和電子版,允許論文彼查閱和借閱,可レ采用影印、匯編學位論文。同意四川農(nóng)業(yè)大學可ッ用
4、不、縮印或掃描等復制手段保存同方式在不同媒體上發(fā)表、傳播學位論文的全部或部分內(nèi)容。本論文不保密。□本論文保密,在年解密后適用本授權(quán)。_""(請在レッ上□內(nèi)劃V)>/又研巧生簽名:帝松帝年X月方曰導師簽名:洶食W年/月曰卻^摘要鉛毒害是酸性±壤中抑制植物生長發(fā)育、影響作物產(chǎn)量和品質(zhì)的重要因子,因此對植物耐鉛脅迫機理的研究具有重要意義。本試驗設(shè)置不同濃度鉛處理,通過根長、-(生物量測定從超甜地雷王(DL)、早佳8424ZJ)、早蜜王(ZM)、早春紅玉(HY)4個西瓜品種中篩選出耐鉛性差異較大的ZM,、
5、HYW此二両瓜品種為材料對西瓜幼,研究內(nèi)容包括鉛脅迫下西瓜幼苗葉片生理指標變化苗鉛毒害機理進行了研究、葉綠。素巧光參數(shù)變化、光合參數(shù)的變化研究結(jié)果如下:、根際微生態(tài)的變化1在DL、ZJ、ZM、HY四個西瓜品種中,鉛處理使ZM根長、根系活力及干質(zhì)()一量下降最為明顯,對HY影響不盈著或有定促進作用,ZJ、DL所受影響介于二者ZM一之間??梢姡龋倌蛡H性較強,對鉛敏感。因此進步分析比較錯處理下耐錯性差異較大的兩個西瓜品種ZM和HY生理特性的變化。鉛處理均可使ZM、HY兩個西3+-HY在Ai瓜品種葉片質(zhì)膜透性增大,丙二酸含量
6、増加,其中1刮00(VmoLL處理下隨處理時間的延長膜系統(tǒng)傷害可W得到一定程度的恢復HY、MDA含量有所下降;葉片Pro含量,SOD、POD酶活性均増加,在高濃度、長時間的鉛處理下此H指標的變化均優(yōu)于ZM;CAT活性變化均較小。試驗結(jié)果可W看出,ZM和HY對倍脅迫的生一理反應(yīng)存在定的差異性,HY內(nèi)部響應(yīng)錯脅迫的生理機制較ZM更加完善,其中Pro含量及SOD、POD活性與西瓜耐鉛能力關(guān)系密切。口)鉛處理下ZM、HY西瓜幼苗葉綠素含量、光合特性及葉綠素巧光參數(shù)的變化結(jié)果表明;1)鉛處理下HY葉綠素含量均高與對照,ZM葉
7、綠素含量僅在低濃度-,(250^molL〇鉛處理下高于對照;HY葉綠素a/b隨錯濃度井高呈下降趨勢。2)3+-1A-l每OOnmolL的鉛處理下,ZM氣孔導度、胞間C〇2濃度、凈光合速率、蒸騰速3l?レZM率受影響程度較掃乂明盤,在Al^1000^lmol處理下四個參數(shù)均呈降,HY、低趨勢。3)二西瓜品種在錯脅迫下黃光參數(shù)變化表現(xiàn)為:初始巧光(Fo)、最大巧光(Fm)、潛在光化學活性(Fv/Fo)、最大光化學效率(Fv/Fm)和實際量子產(chǎn)量Y(II),(II下降非光化學巧滅(NPQ)上升,光化學巧滅qP)與PS電子傳遞速
8、率(ETR)-i,降低。HY較ZM耐鉛在巧光參數(shù)變化上表現(xiàn)為;低濃度脅迫(250imolL)下,Fo、^Fm、Fv/Fo、Fv/);Fm更