多晶硅提純與冷坩堝定向凝固過程的溫度場和應(yīng)力場研究

多晶硅提純與冷坩堝定向凝固過程的溫度場和應(yīng)力場研究

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1、碩士學(xué)位論文多晶硅提純與冷坩堝定向凝固過程的溫度場和應(yīng)力場研究THESTUDYOFPOLYSILICONPURIFICATIONANDTEMPERATUREFIELDANDSTRESSFIELDDURINGCOLDCRUCIBLEDIRECTIONALSOLIDIFICATION張恒通哈爾濱工業(yè)大學(xué)2016年6月國內(nèi)圖書分類號:TG24學(xué)校代碼:10213國際圖書分類號:621.74密級:公開工程碩士學(xué)位論文多晶硅提純與冷坩堝定向凝固過程的溫度場和應(yīng)力場研究碩士研究生:張恒通導(dǎo)師:陳瑞潤教授申請學(xué)位:工程碩士學(xué)科:材料工程所在單位:材料科學(xué)與工程學(xué)院答辯日期:2016年6月授予學(xué)

2、位單位:哈爾濱工業(yè)大學(xué)ClassifiedIndex:TG24U.D.C.:621.74DissertationfortheMasterDegreeinEngineeringTHESTUDYOFPOLYSILICONPURIFICATIONANDTEMPERATUREFIELDANDSTRESSFIELDDURINGCOLDCRUCIBLEDIRECTIONALSOLIDIFICATIONCandidate:ZhangHengtongSupervisor:Prof.ChenRuirunAcademicDegreeAppliedfor:MasterofEngineeringSpec

3、iality:MaterialsEngineeringSchoolofMaterialsScienceandAffiliation:EngineeringDateofOralExamination:June,2016Degree-Conferring-Institution:HarbinInstituteofTechnology哈爾濱工業(yè)大學(xué)工程碩士學(xué)位論文摘要多晶硅作為光伏太陽能產(chǎn)業(yè)的主要原料,具有很高的實(shí)用價值和廣闊的前景。硅電池材料在太陽能發(fā)電成本中占據(jù)很大的比重,因此提高硅的純度和使用效率對于提高太陽能電磁的光電轉(zhuǎn)換率進(jìn)而提高產(chǎn)業(yè)的競爭力具有重要的意義。在多晶硅的制備過程

4、中,各種金屬和非金屬雜質(zhì)的存在使得多晶硅的電磁轉(zhuǎn)換率降低,故在獲得定向凝固的多晶硅組織前,需要對硅原料進(jìn)行提純來達(dá)到更高的純度進(jìn)而獲得更好的光電轉(zhuǎn)化率。本文中進(jìn)行了冶金級硅的真空電弧熔煉并對提純試樣進(jìn)行X射線熒光光譜分析,真空電弧熔煉對多晶硅內(nèi)的雜質(zhì)元素Fe、Al、Mg的有較為明顯的去除效果,隨著時間的增加,提純效果得到提升,相同熔煉時間下對試樣進(jìn)行翻轉(zhuǎn)可以進(jìn)一步提高其提純效果,而增加電流可以提高提純的效果但影響較為微弱。創(chuàng)建電磁冷坩堝的3D物理模型并驗(yàn)證,通過ANSYS有限元軟件對實(shí)驗(yàn)中難以準(zhǔn)確測量的冷坩堝內(nèi)的電磁場、溫度場和應(yīng)力場的數(shù)值模擬計算,考察應(yīng)力與多晶硅硅錠表面裂紋之

5、間的關(guān)系,對工藝參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化,并進(jìn)行冷坩堝定向凝固多晶硅實(shí)驗(yàn)進(jìn)行驗(yàn)證。模擬計算結(jié)果表明,隨著電流的增加和頻率的降低,坩堝內(nèi)的磁感應(yīng)強(qiáng)度也不斷的增大,滿載情況下物料上的磁感應(yīng)強(qiáng)度主要集中在感應(yīng)線圈高度的坩堝開縫處并向坩堝壁衰減。在溫度場分布中對不同的加熱功率和冷卻速率進(jìn)行了數(shù)值模擬計算,隨著加熱電流的增加,在相同的時間下可以達(dá)到更高的溫度進(jìn)而獲得更好的熔煉效果,同時在熔體內(nèi)部溫度呈現(xiàn)從角縫向坩堝中心逐漸降低的趨勢。冷卻時熔體的溫度場遵循嚴(yán)格的定向凝固,自上而下溫度成階梯狀逐漸降低。并進(jìn)行了溫度場測量驗(yàn)證了模擬的可靠性。計算了熔體上冷卻熱應(yīng)力的分布情況,并對不同的冷卻速率下的定向凝固

6、進(jìn)行分析,隨著冷卻速度的增加,硅錠表面的應(yīng)力差越大,應(yīng)力集中越明顯,其應(yīng)變數(shù)值也越大,并進(jìn)行定向凝固實(shí)驗(yàn),對不同參數(shù)硅錠表面的裂紋進(jìn)行比較,進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,并用優(yōu)化的工藝參數(shù)進(jìn)行定向凝固多晶硅制備。關(guān)鍵詞:電磁冷坩堝;提純;多晶硅;電磁場;溫度場;應(yīng)力場;I哈爾濱工業(yè)大學(xué)工程碩士學(xué)位論文AbstractPolysiliconasthemainrawmaterialofphotovoltaicsolarenergyindustryhashighpracticalvalueandbroadprospects.Siliconsolarbatterymaterialsoccupyalar

7、geproportioninthecostofsolarpowergeneration.Soitisveryimportanttoimprovethepurityandefficiencyofsilicontoimprovethephotoelectricconversionrateofsolarenergyandimprovethecompetitivenessoftheindustry.Intheprocessofpreparationpolycrystallinesilic

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