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《探析化學液相共沉淀法制備ito納米粉體的工藝研究》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關內(nèi)容在學術論文-天天文庫。
1、廣西大學碩士學位論文化學液相共沉淀法制備ITO納米粉體的工藝研究姓名：魏坤申請學位級別：碩士專業(yè)：化學工藝指導教師：黎鉉海;何超坤20080605化學液相共沉淀法制備lTO納米粉體的工藝研究摘要氧化銦錫(ITO)是一種錫摻雜的半導體材料，銦消費量的80％以上用于銦錫氧化物透明電極。由ITo納米粉體制成靶材，然后通過直流磁控濺射制成的ITo薄膜，是一種重摻雜、高簡并的n型半導體，具有低電阻率、高可見光透射率和強烈反射紅外光等一系列獨特的光學電學性能，已廣泛應用于電子計算機、能源、電子、光電、國防軍事、航天航空、核工業(yè)和現(xiàn)代信息產(chǎn)業(yè)等高科技領域，在國民經(jīng)濟中的作用日趨重要。
2、而獲得高品質(zhì)的ITo粉體是生產(chǎn)優(yōu)質(zhì)透明電極材料的關鍵。本論文以4N銦、錫錠為原料，以25％氨水為沉淀劑，采用點滴法滴加氨水的方式的化學液相共沉淀法來制備ITO納米粉體。考察了反應初始銦濃度、反應溫度、反應終點pH值和前驅(qū)體老化時間對ITO粉體粒徑的影響。運用X射線衍射(X】m)、差熱-熱重分析(DTA-TG)、透射電鏡(TEM)、場發(fā)射掃描電鏡(SE峋、紅外分析(FT-瓜)等檢測手段對粉體進行了表征。在液相中加入l％的硅酸鈉，反應溫度為60℃，反應終點pH值為8，老化制度為2h，煅燒制度為4h、800℃的工藝條件下，所制得的ITO納米粉具有立方晶系結構，粉體粒徑在20~
3、40nm之間，球形，顆粒均勻，且分散性能良好。該方法與以前的方法相比，原料來源簡單，共沉淀工藝改善，反應條件更加溫和，工藝設備簡單，污染小，成本低，產(chǎn)品質(zhì)量高，為ITO納米粉體合成工藝開辟了一條新的工藝路線。I關鍵詞：納米ITO共沉淀法前驅(qū)體ⅡSTUDYONPRoCESSNANOSIZEDITOPOWDERoBTAINEDBYCHEMICALLIIQUIDPHASECOPRECIPITATIONABSTRACTIndi啪血oxide(ITo)isa血一dopedseIIliconduCtormat麗a1．ITOmaterialh嬲consl瑚ed扛10】lethan80
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