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《長納米銀線的制備及其涂覆成膜的性能研究》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。
1、碩士學(xué)位論文長納米銀線的制備及其涂覆成膜的性能研究STUDYONTHEPREPARATIONANDTHECOATEDFILMPERFORMANCEOFLONGSILVERNANOWIRES顧佳慧哈爾濱工業(yè)大學(xué)2015年12月國內(nèi)圖書分類號：TM24學(xué)校代碼：10213國際圖書分類號：665.9密級：公開工學(xué)碩士學(xué)位論文長納米銀線的制備及其涂覆成膜的性能研究碩士研究生：顧佳慧導(dǎo)師：李明雨教授申請學(xué)位：工學(xué)碩士學(xué)科：材料加工工程所在單位：深圳研究生院答辯日期：2015年12月授予學(xué)位單位：哈爾濱工業(yè)大學(xué)ClassifiedI
2、ndex:TM24U.D.C:665.9DissertationfortheMasterDegreeinEngineeringSTUDYONTHEPREPARATIONANDTHECOATEDFILMPERFORMANCEOFLONGSILVERNANOWIRESCandidate：GuJiahuiSupervisor：Prof.LiMingyuAcademicDegreeAppliedfor：MasterDegreeinEngineeringSpeciality：MaterialsProcessingEngineeri
3、ngAffiliation：ShenzhenGraduateSchoolDateofDefense：December,2015Degree-Conferring-Institution：HarbinInstituteofTechnology哈爾濱工業(yè)大學(xué)工學(xué)碩士學(xué)位論文摘要隨著科學(xué)技術(shù)的不斷發(fā)展，既具備高的電導(dǎo)率又能實現(xiàn)高光學(xué)透過率的材料已經(jīng)成為各種光電器件的重要組成部分。眾所周知，摻錫氧化銦（ITO）透明導(dǎo)電膜已經(jīng)在光電子器件中運(yùn)用了長達(dá)五十年，但是其柔性性能很差且原材料日益稀缺，已無法滿足下一代光電器件輕便、靈活、價
4、格低廉、大面積制備等要求。而納米銀線薄膜因其具有優(yōu)良的導(dǎo)電性、透光性和可柔性，逐漸成為柔性電子領(lǐng)域熱切關(guān)注的問題。由于納米銀線透明導(dǎo)電薄膜的導(dǎo)電性及可見光透過率與納米銀線的長徑比有關(guān)，所以采用具有高長徑比的納米銀線來制備透明導(dǎo)電薄膜更有利于提升薄膜的整體性能。本文基于多元醇法制備納米銀線的原理，對傳統(tǒng)多元醇法進(jìn)行改進(jìn)，采用一步法進(jìn)行實驗。在保持傳統(tǒng)實驗材料（乙二醇為還原劑和溶劑，聚乙烯吡咯烷酮（PVP）為穩(wěn)定劑和誘導(dǎo)劑，硝酸銀為前驅(qū)體）不變的情況下，通過向體系中引入氯化鐵作為控制劑，成功制備出超長納米銀線。本文采用控制變
5、量法，對PVP與硝酸銀的摩爾比、氯化鐵的濃度、反應(yīng)溫度等實驗變量對納米銀線生長過程產(chǎn)生的影響進(jìn)行了分析研究，最終實現(xiàn)了納米銀線可控制備的目的。實驗結(jié)果表明，通過調(diào)整反應(yīng)參量，可成功制備出長度達(dá)150μm，長徑比約為1000的納米銀線。利用所得超長納米銀線制備透明導(dǎo)電薄膜，分別采用滴涂、旋涂、噴涂、邁耶棒涂布及毛細(xì)力鋪展五種方式在玻璃基底上進(jìn)行涂覆成膜。通過對不同涂覆方法所得薄膜形貌及性能的觀察研究和對透明導(dǎo)電薄膜的導(dǎo)電性及可見光透過率關(guān)系的分析，得出較為實用的納米銀線的涂覆方法。通過對所制得的納米銀線透明導(dǎo)電薄膜進(jìn)行酸化
6、處理發(fā)現(xiàn)，薄膜的表面電阻可以由40Ω/sq減小至11Ω/sq，而其可見光透過率基本保持不變（約為86%）。綜上所述，納米銀線透明導(dǎo)電膜的性能可以與傳統(tǒng)ITO薄膜的性能相媲美。因此，納米銀線有望取代ITO從而成為下一代柔性透明導(dǎo)電材料。關(guān)鍵詞：多元醇法；納米銀線；長徑比；涂覆；透明導(dǎo)電薄膜-I-哈爾濱工業(yè)大學(xué)工學(xué)碩士學(xué)位論文AbstractWiththedevelopmentofscienceandtechnology,thematerialwithhighconductivityandtransmittancehasbe
7、comeanimportantcompositionofmanyphotoelectricdevices.Asisknowntoall,Indiumtinoxide（ITO）transparentconductivefilmshavebeenutilizedtoproducephotoelectronicdevicesforfiftyyears.Butowingtothelackofrawmaterialaswellasitspoorperformanceofflexibility,ITOcan’tmeettheneed
8、softhelatestgenerationofphotoelectronicdevices,whicharegoodportability,highflexibility,lowpriceandpreparationoflarge-area.Becauseofitsgoodproperties,suchaselec
