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《ZnVSb基壓敏電阻陶瓷的低溫?zé)Y(jié)及電性能研究》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫(kù)。
1、西北工業(yè)大學(xué)博士學(xué)位論文ZnVSb基壓敏電阻陶瓷的低溫?zé)Y(jié)及電性能研究姓名：趙鳴申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：博士專(zhuān)業(yè)：材料學(xué)指導(dǎo)教師：田長(zhǎng)生20070601兩北T業(yè)大學(xué)】學(xué)博t學(xué)位論文了定量分析，通過(guò)實(shí)驗(yàn)確定出四種znVsb陶瓷的晶粒生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)指數(shù)和晶粒生長(zhǎng)激活能，分別為：2．44、218Ⅺ／mol，2．49、292Ⅺ／mol，4．03、356KJ／mol，和2．56、236日／mol。znvSb陶瓷的燒結(jié)過(guò)程主要受到液相輔助及尖晶石相釘扎的雙重機(jī)理控制。Sb摻雜形式的變化，主要通過(guò)影響陶瓷在燒結(jié)過(guò)程中液相和尖晶
2、石的形成來(lái)影響陶瓷的顯微結(jié)構(gòu)和電性能。P·I型V／sb前驅(qū)體摻雜量相當(dāng)于O．5mol％sb203的最優(yōu)組份znVsb陶瓷在900℃即可燒結(jié)成瓷，顯微結(jié)構(gòu)均勻、相對(duì)致密度>97％、非線性系數(shù)為56，壓敏電壓為556V／mm，漏電流密度為26肛A·cm。2。以最優(yōu)組份znVSb陶瓷為基礎(chǔ)，以電子陶瓷生產(chǎn)通用的氧化物為原料，采用流延工藝試制了單片及疊層壓敏電阻。優(yōu)化了制備工藝，解決了流延薄片翹曲變形的難題，成功制備出表面平整、厚度在500岫以下的單片znvsb基壓敏電阻。并研究了素坯體厚度對(duì)單片壓敏電阻電
3、性能的影響。當(dāng)素坯體厚度小于l姍時(shí)，隨著厚度的降低，晶界特性的不均勻性對(duì)陶瓷電性能的負(fù)面影響逐步增大，單片壓敏電阻的非線性系數(shù)及工作電壓逐步隨之降低。初步研究了Ag內(nèi)電極／ZnVSb壓敏電阻陶瓷的疊層共燒行為。Ag，znVSb疊層共燒體中，內(nèi)電極中的Ag主要通過(guò)znvSb陶瓷層中的連通氣孔和富v晶問(wèn)相進(jìn)行擴(kuò)散。與Ag內(nèi)電極的共燒引起znVsb陶瓷層中富v液相的偏析，惡化了陶瓷的低溫?zé)Y(jié)特性。研究結(jié)果為研制多層片式znvsb壓敏電阻提供了實(shí)驗(yàn)依據(jù)。關(guān)鍵詞：Zn0；前驅(qū)體；znVsb基壓敏電阻陶瓷；低溫
4、燒結(jié)；流延；共燒IIABSTRACTnedevelopmentsofintegratedcircujtands嘶cemountingtecllnologyhavcresuhedinanincreasingdemandantheminiat嘶zedlowVoltageZn0basedVaristorandtllefoⅡnationofafastexpanding910balmarketfof“．Sofb‘也emumlayer印proachhasbeenprovedtobetIlemostfeasibl
5、eaIldsuccess向l、張yOfproducingmiIlian塒zedlowvoltageZn0basedVaristOLInOrdertorcducet11efabricatingexpenseofmultilayerZn0varistor1Ⅳimoutsacrificing如perfornlallce，lowtemperaturesinte”dZnObasedce舢icso仆砂non·ohInicproper吼homogeneousmicros仇Jctureareprcferred，so
6、thathighA妒dratioiIlller-electrodeorevellpureAgimlereJectrodemaybcusedtoreplacethepresentlyllsedlowA∥Pdratioinnerelectrodes．Thercforetlleresearchworkofthispresemdissenationwascarriedoutt0systematicallyinVestigatetheIowtemperaturcf曲ricationofZnVSbbasedwI
7、ristorcer鋤icanditselectricalproperties．Themaincontentsareasfollowing：Thisdisse惻ionfirstpresent如allalysisofdopantelementsrolesOntllemicr0曲nlctureandpropertiesofZnObasedvaristorcer鋤ics．InsuccessiOn，seVeralconstituentchoosingprinciplesoflow-VoltageZn0base
8、dVaristorcer啦icwercintroduced．Basedont11eseprinciples，aIlewZn0一V205basedceramicdoped嘶'【11aIltimony，ast11emainmicrostn】cnJreandpropenymodmcator，aIldtransientme“elemems，such船maIlgallese，cobalt，aSthenoIllinearityeflllallcers，waschosenasthe
