畢業(yè)設(shè)計-英文文獻(xiàn)及翻譯-電氣電子信息類專業(yè)

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1、畢業(yè)設(shè)計(外文翻譯材料)學(xué)院:專業(yè):學(xué)生姓名:指導(dǎo)教師:電氣與電子工程學(xué)院電子信息工程譚博學(xué)2008年4月外文翻譯(原文)MinimizationandidentificationofconductedemissionbearingcurrentinvariablespeedinductionmotordrivesusingPWMinverterAbstract.Therecentincreaseintheuseofspeedcontrolofacinductionmotorforvariablespeeddriveusingpulsewidthmodulation(P

2、WM)inverterisduetotheadventofmodernpowerelectronicdevicesandintroductionofmicroprocessors.Therearemanyadvantagesofusingacinductionmotorforspeedcontrolapplicationsinprocessandaerospaceindustries,butduetofastswitchingofthemodernpowerelectronicdevices,theparasiticcouplingproducesundesirable

3、effects.Theundesirableeffectsincluderadiatedandconductedelectromagneticinterference(EMI)whichadverselyaffectnearbycomputers,electronic/electricalinstrumentsandgiverisetotheflowofbearingcurrentintheinductionmotor.Duetotheflowofbearingcurrentintheinductionmotor,electricaldischargemachining

4、takesplaceintheinnerraceofthebearingwhichreducesthelifeofthebearing.Inhighpowerconvertersandinverters,theconductedandradiatedemissionsbecomeamajorconcern.Inthispaper,identificationofbearingcurrentduetoconductedemission,themeasurementofbearingcurrentinamodifiedinductionmotorandtominimizet

5、hebearingcurrentarediscussed.Thestandardcurrentprobe,thestandardlineimpedancestabilizationnetwork(LISN)),theelectronicsinterfacecircuitsareusedtomeasurehighfrequencycommonmodecurrent,bearingcurrentandtominimizetheconductednoisefromthesystem.TheLISNwillpreventtheEMInoiseenteringthesystemf

6、romthesupplysourcebyconductivemethods,atthesametimepreventstheEMIgeneratedifanyduetoPWM,fastswitchinginthesystem,willnotbeallowedtoenterthesupplyline.ForcomparingtheresultswithFederalCommunicationsCommission(FCC)andSpecialCommitteeonRadioInterference(CISPR)standards,thegraphsareplottedwi

7、thfrequencyVs,linevoltageindBμV,commonmodevoltageindBμVandthebearingcurrentindBμAwithoutandwithminimizingcircuits.31外文翻譯(原文)Keywords.EMI;a.c.drives;bearingcurrent.1.IntroductionWiththedevelopmentofpowerelectronicdevicesliketheinsulatedgatebi-polartransistor(IGBT),thepower

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