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《釉面瓷磚表面TiO2光催化薄膜的制備及其光催化性能研究》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。
1、廣西大學(xué)碩士學(xué)位論文釉面瓷磚表面TiO<,2>光催化薄膜的制備及其光催化性能研究姓名：張小良申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：采礦工程指導(dǎo)教師：陳建華2003.3.1釉面瓷磚表面Ti0：光催化薄膜的制備及其光催化性能研究摘要f／半導(dǎo)體光催化技術(shù)因其能降解污染物而成為一個(gè)被廣泛研究課＼題。光催化技術(shù)的主要特點(diǎn)在于它能夠以廉價(jià)、簡單方便的方式降解大部分有機(jī)和部分無機(jī)廢水，并且最終能把污染物降解成水、二氧化碳和相應(yīng)的無害無機(jī)物等。目前，半導(dǎo)體二氧化鈦是最廣泛被人研究的金屬氧化物。它的優(yōu)勢在于對(duì)環(huán)境無害，在水環(huán)境里穩(wěn)定和相對(duì)廉價(jià)的特點(diǎn)，但是Tio：
2、粉末難分離回收仍然是面臨的問題l垂妄茬葙面，瓷磚表面成功的制備納米二氧化鈦薄膜，研究了制備工藝各參數(shù)與二氧化鈦晶體形貌結(jié)構(gòu)，對(duì)該材料的光催化活性和光催化性能進(jìn)行了有益的探索。本文是采用溶膠一凝膠法在瓷磚釉面制備光催化二氧化鈦薄膜材料，研究了升溫速度、干燥時(shí)間、保溫時(shí)間、焙燒溫度、鍍膜層數(shù)、潮解時(shí)間、潮解方式等工藝參數(shù)對(duì)光催化活性的影響。實(shí)驗(yàn)研究表明當(dāng)升溫速度為4．8"C／min、100。C保溫時(shí)間為90分鐘、540。C保溫時(shí)間為120分鐘、焙燒溫度為540。c、干燥時(shí)間為5分鐘、鍍膜層數(shù)為5層、潮解時(shí)間為1分鐘、潮解方式為垂直式時(shí)
3、在釉面瓷磚表面所制RESE√狀CHONTHEpREn氣Rp口IONOFT102FILMONTHECERAⅫCSI疆tFACEA》江)ITSPHoj◇C掀“莨CAC髓Vl彳yABSTRACTSemiconductorphotocatalysisasamethodfordestroyingpollutantshasbeenextensivelyresearched．Theimportanceofphotocatalysisliesinthefactthatitcanprovideapotentiallyinexpensiveandco
4、nvenientmethodtotreatorganicandinorganiccontaminantsandeventuallydegradethesecompoundstowater,carbondioxideandharmlessinorganicmattersetc．。Ti02isametaloxidesemiconductorthathasbeeninvestigatedmostextensively．Ithasadvantagesofbeingharmlesstotheenvironment，stableinaqueo
5、usenvironmentsaswellasrelativelyinexpensive，butthedifficultlyofTi02powerbeingseparatingisstillaproblem．Inthethesis，Ti02filmsmaterialontheceramicsurfacehasbeenprepared．ThepreparationparametersandTi02crystalliteandstructurehavebeenstudied．Thephotoeatalyticactivityhavebe
6、enalsoexplored．TheTi02filmsmaterialshavebeenpreparedonthesurfaceofceramicusingsol—gelmethodinthepaper．Theresearchhavestudiedsomeparameters，suchasrisingtemperaturespeed，drytime，temperatureretentiontime，calcinationstemperature，coatillgnumber,deliquescencetimeanddeliques
7、cenceway,whichhaveimpactedonphotocatalyticactivity．TheresultsofexperimentsindicateTi02filmonthecenmicsurfacehasthebestphotocatalyticactivitywhenrisingtemperaturespeedis4．8℃／min，100℃temperatureretentiontime90min．40℃temperatureretentiontime90min，Calcinationtemperature54
8、0"C，drytime5rain，thenumberoffilmsfive，deliquescencetime1m抽a11ddeliquescencewayisperpendicular．UsingX。raydiffraction，energysp
