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《釉面瓷磚表面TiO2光催化薄膜的制備及其光催化性能研究》由會(huì)員上傳分享,免費(fèi)在線閱讀,更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。
1、廣西大學(xué)碩士學(xué)位論文釉面瓷磚表面TiO<,2>光催化薄膜的制備及其光催化性能研究姓名:張小良申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別:碩士專業(yè):采礦工程指導(dǎo)教師:陳建華2003.3.1釉面瓷磚表面Ti0:光催化薄膜的制備及其光催化性能研究摘要f/半導(dǎo)體光催化技術(shù)因其能降解污染物而成為一個(gè)被廣泛研究課\題。光催化技術(shù)的主要特點(diǎn)在于它能夠以廉價(jià)、簡單方便的方式降解大部分有機(jī)和部分無機(jī)廢水,并且最終能把污染物降解成水、二氧化碳和相應(yīng)的無害無機(jī)物等。目前,半導(dǎo)體二氧化鈦是最廣泛被人研究的金屬氧化物。它的優(yōu)勢在于對(duì)環(huán)境無害,在水環(huán)境里穩(wěn)定和相對(duì)廉價(jià)的特點(diǎn),但是Tio:
2、粉末難分離回收仍然是面臨的問題l垂妄茬葙面,瓷磚表面成功的制備納米二氧化鈦薄膜,研究了制備工藝各參數(shù)與二氧化鈦晶體形貌結(jié)構(gòu),對(duì)該材料的光催化活性和光催化性能進(jìn)行了有益的探索。本文是采用溶膠一凝膠法在瓷磚釉面制備光催化二氧化鈦薄膜材料,研究了升溫速度、干燥時(shí)間、保溫時(shí)間、焙燒溫度、鍍膜層數(shù)、潮解時(shí)間、潮解方式等工藝參數(shù)對(duì)光催化活性的影響。實(shí)驗(yàn)研究表明當(dāng)升溫速度為4.8"C/min、100。C保溫時(shí)間為90分鐘、540。C保溫時(shí)間為120分鐘、焙燒溫度為540。c、干燥時(shí)間為5分鐘、鍍膜層數(shù)為5層、潮解時(shí)間為1分鐘、潮解方式為垂直式時(shí)
3、在釉面瓷磚表面所制RESE√狀CHONTHEpREn氣Rp口IONOFT102FILMONTHECERAⅫCSI疆tFACEA》江)ITSPHoj◇C掀“莨CAC髓Vl彳yABSTRACTSemiconductorphotocatalysisasamethodfordestroyingpollutantshasbeenextensivelyresearched.Theimportanceofphotocatalysisliesinthefactthatitcanprovideapotentiallyinexpensiveandco
4、nvenientmethodtotreatorganicandinorganiccontaminantsandeventuallydegradethesecompoundstowater,carbondioxideandharmlessinorganicmattersetc.。Ti02isametaloxidesemiconductorthathasbeeninvestigatedmostextensively.Ithasadvantagesofbeingharmlesstotheenvironment,stableinaqueo
5、usenvironmentsaswellasrelativelyinexpensive,butthedifficultlyofTi02powerbeingseparatingisstillaproblem.Inthethesis,Ti02filmsmaterialontheceramicsurfacehasbeenprepared.ThepreparationparametersandTi02crystalliteandstructurehavebeenstudied.Thephotoeatalyticactivityhavebe
6、enalsoexplored.TheTi02filmsmaterialshavebeenpreparedonthesurfaceofceramicusingsol—gelmethodinthepaper.Theresearchhavestudiedsomeparameters,suchasrisingtemperaturespeed,drytime,temperatureretentiontime,calcinationstemperature,coatillgnumber,deliquescencetimeanddeliques
7、cenceway,whichhaveimpactedonphotocatalyticactivity.TheresultsofexperimentsindicateTi02filmonthecenmicsurfacehasthebestphotocatalyticactivitywhenrisingtemperaturespeedis4.8℃/min,100℃temperatureretentiontime90min.40℃temperatureretentiontime90min,Calcinationtemperature54
8、0"C,drytime5rain,thenumberoffilmsfive,deliquescencetime1m抽a11ddeliquescencewayisperpendicular.UsingX。raydiffraction,energysp