二氧化鈦薄膜的制備、改性及其光催化性能研究

二氧化鈦薄膜的制備、改性及其光催化性能研究

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1、摘要摘要半導(dǎo)體光催化技術(shù)是近30年發(fā)展起來的新興研究領(lǐng)域,它具有工藝簡單,能耗低,操作條件容易控制,降解物質(zhì)徹底和無二次污染等特點(diǎn),在今后的生產(chǎn)和生活中有著廣闊的應(yīng)用前景。在半導(dǎo)體光催化材料中,Ti02以其良好的化學(xué)穩(wěn)定性,抗磨損性,低成本,無毒等特點(diǎn)而成為最具應(yīng)用潛力的光催化劑。本文概括性地介紹了半導(dǎo)體光催化理論及技術(shù)研究背景,討論了影響光催化性能的因素和提高光催化性能的方法,并對(duì)Ti02薄膜的制備技術(shù)和方法進(jìn)行比較,對(duì)其應(yīng)用進(jìn)行了展望。本文的主要工作:1)首先采用磁控濺射和溶膠.凝膠旋涂法,制備了摻鋅Ti02(Zn2+:Ti02)薄膜,通過優(yōu)化實(shí)驗(yàn)參數(shù)以期獲得優(yōu)異的光催化性能。2)其次

2、,過渡金屬離子摻雜可使其成為光生電子.空穴對(duì)的淺勢捕獲阱,減少了Ti02表面光至電子e-與光至空穴h十的復(fù)合,從而提高Ti02的光催化活性。故本文利用溶膠凝膠旋涂法制備了摻鐵Ti02(Fe3+:Ti02)薄膜和Zn2+:Ti02薄膜,并對(duì)這兩種摻雜不同過渡金屬離子的Ti02薄膜性能進(jìn)行了比較。3)再次,考慮到一些半導(dǎo)體薄膜本身具有比Ti02更好的光催化性能,但由于存在光腐蝕,在溶液中穩(wěn)定性不夠,所以往往不能直接作為光催化材料。在其表面覆蓋一層穩(wěn)定性更好的Ti02既可以作為保護(hù)層延緩其腐蝕,又可以形成半導(dǎo)體復(fù)合,抑制薄膜內(nèi)光生電子.空穴對(duì)的復(fù)合提高光催化性能。因而本文利用溶膠凝膠旋涂法制備了

3、Ti02.ZnO和Ti02.Fe203雙層復(fù)合薄膜,并對(duì)比了這兩種薄膜的光催化性能。采用場發(fā)射掃描電鏡,x射線衍射儀,紫外可見光譜儀,臺(tái)階儀等分析手段對(duì)復(fù)合薄膜進(jìn)行了表征。利用5mg/L的羅丹明B紫外光照下2小時(shí)降解率表征其光催化性能。并系統(tǒng)研究了Zn/Ti摩爾比、Fe/Ti摩爾比,退火溫度以及雙層復(fù)合對(duì)薄膜表面形貌結(jié)構(gòu)、可見光透光率和光催化性能的影響。結(jié)果表明:1)磁控濺射法制備的Zn2+:Ti02薄膜樣品光透過率、對(duì)羅丹明B分解率隨退火溫度的增加而增加;溶膠凝膠旋涂法制備的Zn2+:Ti02薄膜只檢測出銳鈦礦相峰,檢測不出ZnO峰;可見光透過率均超過了80%;Eg隨著zn含量的增加先增

4、加后減小;當(dāng)Zn/Ti=5%時(shí),薄膜的光催化性能最好;溶膠凝膠III浙江大學(xué)碩十學(xué)位論文旋涂法制備的薄膜其(101)晶面取向更加優(yōu)異,晶粒更大一些,且可見光透過率和光催化能力均強(qiáng)于磁控濺射法。2)用溶膠.凝膠旋涂法制備出的不同鐵離子含量Fe3+:Ti02薄膜,其晶相中只有銳鈦礦相唯一相,未出現(xiàn)含F(xiàn)e的衍射峰;可見光透過率均超過了80%;其光學(xué)帶隙會(huì)隨著鐵離子的加入而出現(xiàn)紅移,且隨著鐵離子含量的增加,紅移現(xiàn)象更明顯,但達(dá)到一定值后會(huì)隨著鐵離子含量的增加,光學(xué)帶隙反而向短波長方向移動(dòng);薄膜對(duì)羅丹明B的降解率會(huì)隨著鐵離子含量的增加而增加,但是隨著鐵含量的進(jìn)一步增加,薄膜的光催化性能反而有所下降;

5、其中鐵離子最佳含量為0.5%,此時(shí)的薄膜試樣對(duì)羅丹明B溶液的降解率約是未摻雜薄膜試樣的2倍;而比較Fe3+:Ti02薄膜和Zn2+:Ti02薄膜的光催化性能,Zn2+:Ti02薄膜2h對(duì)羅丹明B溶液的降解率是Fe”:Ti02薄膜的2倍;3)對(duì)于Ti02.ZnO雙層復(fù)合薄膜和Ti02.Fe203雙層復(fù)合薄膜,兩者均在不降低薄膜可見光透過率的前提下,得到了比單層Ti02高的光催化性能;比較兩者發(fā)現(xiàn)以ZnO作為埋層,沒有降低Ti02的結(jié)晶度,且對(duì)Ti02薄膜表面形貌影響不大,而以Fe203作為埋層,會(huì)降低Ti02薄膜的結(jié)晶度;同時(shí)Ti02.ZnO雙層復(fù)合薄膜的光催化性能明顯優(yōu)于Ti02.Fe20

6、3,我們將此歸因于形成的異質(zhì)結(jié)能帶的差異。關(guān)鍵詞:光催化’9Ti02‘9摻雜;復(fù)合薄膜IVAbstractThephotocatalysistechnologyofsemiconductorsisawidelyinvestigatedsubjectduringthepast30years,withtheadvantagesofsimpletechnology,lowenergyconsumption,easytocontroloperatingconditions,degradationofmaterialthoroughlyandwithoutsecondarypollution.Sot

7、herewillbeanattractiveprospectinthefuture.Amongthesemiconductorphotocatalysismaterials,titaniumdioxideisthemostlatentmaterialforitschemicalstability,wearibility,lowcostandinnocuity.Inthispaperthetechnicalbackgrou

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