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《工業(yè)制備SiO2SiNx雙層減反膜及對(duì)其膜層結(jié)構(gòu)的研究》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫(kù)。
1、文妻京交專業(yè)碩士學(xué)位論文工業(yè)制備SiO。-SiNx雙層減反膜及對(duì)其膜層結(jié)構(gòu)的研究TheresearchOilindustrialpreparationofSiOz—SiNxdoublelayerantireflectivecoatinganditsfilmstructure作者姓名：羅濱導(dǎo)師：徐敘珞院士北京交通大學(xué)2013年6月學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書(shū)一IyIIIIl2IIIII鯉111111ZIIl9IIII絲lUll—?jiǎng)h本學(xué)位論文作者完全了解北京交通大學(xué)有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定。特授權(quán)北京交通大學(xué)可以
2、將學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行檢索，提供閱覽服務(wù)，并采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存、匯編以供查閱和借闋。同意學(xué)校向國(guó)家有關(guān)部門(mén)或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和磁盤(pán)。(保密的學(xué)位論文在解密后適用本授權(quán)說(shuō)明)學(xué)位論文作者簽名：羅瘼簽字日期：弘l弓年‘月z口日導(dǎo)師簽名：中圖分類(lèi)號(hào)：TM914．4UDC：北京學(xué)校代碼：10004密級(jí)：公開(kāi)交通大學(xué)專業(yè)碩士學(xué)位論文工業(yè)制備SiO：-SiNx雙層減反膜及對(duì)其膜層結(jié)構(gòu)的研究TheresearchonindustrialpreparationofSi02一SiNx
3、doublelayerantireflectivecoatinganditsfilmstructure作者姓名：羅濱導(dǎo)師姓名：徐敘珞學(xué)號(hào)：11125765職稱：院士工程領(lǐng)域：太陽(yáng)能電池學(xué)位級(jí)別：碩士北京交通大學(xué)2013年6月致謝本論文的工作是在我的導(dǎo)師徐敘珞院士的悉心指導(dǎo)下完成的，徐院士嚴(yán)謹(jǐn)?shù)闹螌W(xué)態(tài)度和科學(xué)的工作方法給了我莫大的幫助和影響。在此衷心感謝兩年來(lái)徐院士對(duì)我的關(guān)心和指導(dǎo)。徐征教授悉心指導(dǎo)我完成了產(chǎn)線上的科研工作，不僅在學(xué)習(xí)上還是生活上都給予我極大的關(guān)心和幫助，在我遇到疑惑時(shí)耐心的為我指點(diǎn)迷津，鼓勵(lì)
4、我不懈奮斗，在此向徐征教授表示衷心的謝意。趙謖玲教授、張?？〗淌趯?duì)于我的科研工作和論文都提出了許多的寶貴意見(jiàn)，在此表示衷心的感謝。在天長(zhǎng)吉陽(yáng)基地工作及撰寫(xiě)論文期間，康麗雯、管甜甜、胡子琦、馮麗彬、賀強(qiáng)同學(xué)，田鵬嬋、姜玉晶、陳金禮等產(chǎn)線同事對(duì)我論文中的各項(xiàng)研究工作給予了熱情幫助，在此向他們表達(dá)我的感激之情。本論文是在北京交通大學(xué)太陽(yáng)能研究所和北京吉陽(yáng)技術(shù)股份有限公司光伏研究院的支持下完成的。北京吉陽(yáng)技術(shù)股份有限公司給了我們提供了良好的實(shí)習(xí)環(huán)境和實(shí)習(xí)條件，單位領(lǐng)導(dǎo)郭玉林總監(jiān)、胡盛華總工程師、田玉華經(jīng)理作為我們?cè)?/p>
5、實(shí)習(xí)單位的職業(yè)導(dǎo)師給了我悉心的指導(dǎo)和關(guān)懷，幫助我培養(yǎng)了工作的責(zé)任感、和做人做事的正確態(tài)度，向他們表示衷心的謝意。另外也感謝我的父母，他們的理解和支持使我能夠在學(xué)校專心完成我的學(xué)業(yè)。最后也感謝由973項(xiàng)目(2010CB327704)、教育部新世紀(jì)優(yōu)秀人才支持計(jì)劃(NCET一10—0220)、中央高?；究蒲袠I(yè)務(wù)費(fèi)專項(xiàng)資金(2012JBZ001)、國(guó)家科學(xué)基金(60978060)、國(guó)家自然科學(xué)基金(10974013)、教育部博士點(diǎn)基金(2009000911027)、北京市自然科學(xué)基金(1102028)、國(guó)家杰出
6、青年科學(xué)基金(60825407)、北京市科委(Z090803044009001)等基金對(duì)本論文的贊助。史文摘要摘要：中文摘要晶體硅太陽(yáng)能電池生產(chǎn)企業(yè)多使用的減反射技術(shù)為PECVD法沉積氮化硅減反射膜。并已在單層氮化硅膜的基礎(chǔ)上進(jìn)一步優(yōu)化為多層氮化硅減反射膜技術(shù)，使這項(xiàng)技術(shù)不斷成熟。多層氮化硅減反射膜技術(shù)雖然有著很好的減反能力，但其較弱的鈍化能力一直阻礙著轉(zhuǎn)化效率不能進(jìn)一步提升。然而，在SiNx膜和Si片之問(wèn)制備一層較薄的Si02膜，形成Si02一SiNx雙層膜的技術(shù)不僅可以有效的改進(jìn)其鈍化效果，而且減反射能
7、力依然可觀。目前行業(yè)內(nèi)對(duì)SiOz-SiNx雙層膜技術(shù)的研發(fā)熱度不斷升高，部分企業(yè)也開(kāi)始嘗試將這種減反技術(shù)運(yùn)用于大規(guī)模量產(chǎn)。本文重點(diǎn)研究Si02．SiNx雙層減反射膜各層膜的膜厚分配對(duì)減反、鈍化能力以及電池效率的影響，并從中探索出最優(yōu)的層厚結(jié)構(gòu)。全文實(shí)驗(yàn)分為兩部分進(jìn)行，首先是一系列常規(guī)的準(zhǔn)備性實(shí)驗(yàn)，分別討論了制膜時(shí)反映氣體流量比對(duì)單層SiNx膜和單層Si02膜質(zhì)量的影響，確定了當(dāng)NH3／SiH4氣體流量比7：1時(shí)制得的SiNx膜和N20／SiH4流量比為16：1時(shí)制得的Si02膜綜合質(zhì)量最佳，適合用于制備Si
8、02-SiNx雙層膜。最后測(cè)試了在這兩組特定的氣體流量比下，薄膜的沉積時(shí)間對(duì)膜厚的影響。第二部分的實(shí)驗(yàn)是對(duì)產(chǎn)線PECVD技術(shù)的優(yōu)化改進(jìn)，探索了最優(yōu)轉(zhuǎn)換效率下Si02一SiNx雙層減反射膜各層膜的膜厚分配。經(jīng)實(shí)驗(yàn)證明，Si02-SiNx雙層減反射膜在減反射能力上略遜于雙層SiNx減反射膜，但鈍化能力非常優(yōu)秀。且當(dāng)SiNx層為70rim，Si02層為15rim時(shí)，電池的光電轉(zhuǎn)化效率最高，可達(dá)16．7％。比現(xiàn)有使用雙層
