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《gbt13178-1991 金硅面壘型探測(cè)器》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線(xiàn)閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫(kù)。
1、中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)金硅面壘型探測(cè)器GB/T13178一91Partiallydepletedgoldsiliconsurfacebarrierdetectors主題內(nèi)容與適用范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了部分耗盡金硅面壘型探測(cè)器（簡(jiǎn)稱(chēng)探測(cè)器）的分類(lèi)、技術(shù)要求、測(cè)試方法、檢驗(yàn)規(guī)則等。本標(biāo)準(zhǔn)適用于部分耗盡金硅面壘型探測(cè)器（不包括位置靈敏探測(cè)器）。鏗漂移金硅面壘型探測(cè)器也可參照?qǐng)?zhí)行。2引用標(biāo)準(zhǔn)GB5201帶電粒子半導(dǎo)體探測(cè)器測(cè)試方法GB10257核儀器與核輻射探測(cè)器質(zhì)量檢驗(yàn)規(guī)則3術(shù)語(yǔ)、符號(hào)、代號(hào)3.1術(shù)語(yǔ)3.1.1面壘型半導(dǎo)體探測(cè)器surfacebarriersemiconductordetec
2、tor由表面上的反型層產(chǎn)生的結(jié)形成勢(shì)壘的半導(dǎo)體探測(cè)器。3.1.2耗盡層（靈敏層）depletionlanyer半導(dǎo)體探測(cè)器中構(gòu)成靈敏體積的一層半導(dǎo)體材料，粒子在其中損耗能量的絕大部分對(duì)輸出信號(hào)均有貢獻(xiàn)。3.1.3部分耗盡partialdepletion耗盡層深度小于半導(dǎo)體材料基片的厚度。3.1.4靈敏面積sensitivearea探測(cè)器中輻射最易進(jìn)入耗盡層的那部分面積。3.1.5半高寬（FWHM)fullwidthathalfmaximum在僅由單峰構(gòu)成的分布曲線(xiàn)上，峰值一半處兩點(diǎn)的橫坐標(biāo)之間的距離。3.1.6能量分辨率energyresolution探測(cè)器對(duì)能譜高度分布FWHM
3、的貢獻(xiàn)（包括探測(cè)器漏電流噪聲）以能量單位表示。3.2符號(hào)、代號(hào)3.2.1對(duì)241Am源5.486MeV的a粒子，使用標(biāo)準(zhǔn)電子學(xué)設(shè)備，成形時(shí)間常數(shù)為0.5yes時(shí)，表示整個(gè)系統(tǒng)的分辨率（keV)o3.2.2R在3.2.1同樣條件下，表示由脈沖產(chǎn)生器信號(hào)峰的半高寬（(FWHM）近似的p粒子的分辨率（keV)o3.2.3EI.EZ國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局1991一04一11批準(zhǔn)1992一05一01實(shí)施標(biāo)準(zhǔn)分享網(wǎng)www.bzfxw.com免費(fèi)下載GB/T13178一91分別代表能量為5.486MeV及5.443MeV,3.2.4N,,N2分別代表能量E,,E：所對(duì)應(yīng)的道數(shù)。12.5AN.以道數(shù)表示
4、的’s'Am源5.486McVa粒子峰的半高寬。12.6ANo以道數(shù)表示的產(chǎn)生器信號(hào)峰的半高寬。4產(chǎn)品的分類(lèi)4.1產(chǎn)品的外形及結(jié)構(gòu)尺寸產(chǎn)品按外形和結(jié)構(gòu)的不同分成A型,B型和C型。產(chǎn)品的外形見(jiàn)圖1，結(jié)構(gòu)尺寸見(jiàn)表1,疊疊A型結(jié)構(gòu)B型結(jié)構(gòu)C型結(jié)構(gòu)圖1部分耗盡金硅面壘型探測(cè)器表1部分耗盡金硅面壘型探測(cè)器結(jié)構(gòu)尺寸靈敏面積標(biāo)稱(chēng)值A(chǔ)型結(jié)構(gòu)B型結(jié)構(gòu)C型結(jié)構(gòu)mm2WCHDCHDCHD73.016255.61819.4508.0151819.410011.3192526.1127.015013.8226.02526.17.69.920016.0243031..616.530019.5293031.6
5、45023.9373634.860027.6427.538.490033.9524.1.1產(chǎn)品B49,c型結(jié)構(gòu)中所用電纜插座與國(guó)際Microdot電纜插座相同。Gs/T13178一91W公差為士0.5mm,C,H,D公差為士0.3mm,環(huán)形探測(cè)器孔直徑通常為4mm，也可為6mm,8mm或其它。月內(nèi)兮了：‘產(chǎn)品的標(biāo)記產(chǎn)品的標(biāo)記由型號(hào)及技術(shù)特性代號(hào)兩部分組成，其表示方法如下：GMlA-XX—XXX—XXX｝—表示探測(cè)器的耗盡層深度—表示探測(cè)器靈敏面積—表示。的數(shù)值L一一一一一一一一一一－一－一－一－表示部分耗盡金硅面壘型探測(cè)器（加A表示環(huán)形，不加A表示圓形）注：技術(shù)特性代號(hào)中的位數(shù)可
6、根據(jù)實(shí)際情況擴(kuò)展。月1﹃︺產(chǎn)品的規(guī)格及系列部分耗盡金硅面壘型探測(cè)器系列由圓型和環(huán)型部分耗盡金硅面壘型探測(cè)器系列組成。產(chǎn)品按其不同的靈敏面積，耗盡層深度及對(duì)Q粒子的分辨率而分類(lèi)，圓形和環(huán)形探測(cè)器的分類(lèi)分別列于表2與表3,標(biāo)準(zhǔn)分享網(wǎng)www.bzfxw.com免費(fèi)下載GB/T13178一91000。。。?！?8。閃·。。洲·臼·‘000?！?。。1·。2·試1芝0100。1·。。T·。2·vl芝Ol000T·。。1－。?！ぴ嘥芝。－NT－。N－。。?！?。。T·61·vl芝0－。。?！?。。1·6T·vl芝0－。。T·。。1·6T·閱T芝0－21161oooN·。。2；N·Vt芝0100。工
7、e。。。閃18囂8。N·。寫(xiě)·況·‘01·vl芝0100。1！。。。tc雌瑯000N。vl芝。－00的1·。。囂N(yùn)lvT薈0100011。。茲甲vT薈。－寫(xiě)－哭－8，。。，韶·‘薈。－。。仍·。。，留·閱1芝0－8宮芝。芝0－00的1·。。1·已·司1芝010001·。。東丫‘100的丫。寫(xiě)·畏·閱1芝0已乏．側(cè)送雌職00明1噢聆寨‘勺喂1000宮寫(xiě)·貫·司叫芝0提塑·肺雌舊0001州喇芝0稱(chēng)余盈維衰喂鈴－國(guó)－出一。。的·。。丫巴·‘－。N－冷－。。的·。寫(xiě)·鴿·司T芝0－。。的
