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1、P.1電子構(gòu)裝基礎(chǔ)概念呂宗興內(nèi)容P.21.構(gòu)裝技術(shù)簡介2.IC構(gòu)裝製程3.基板類型簡介4.先進(jìn)IC構(gòu)裝5.構(gòu)裝技術(shù)之展望P.3電子構(gòu)裝之定義及範(fàn)圍定義：微電子技術(shù)之發(fā)展日新月異，電子零組件之尺寸不斷縮小，零組件之間必須透過高效能、高可靠性、高密度及低成本之互連(Interconnection)，才能建構(gòu)成一個(gè)具有廣泛性功能及實(shí)用價(jià)值之電子產(chǎn)品；而建構(gòu)此互連技術(shù)之相關(guān)工程技藝，被統(tǒng)合稱為電子構(gòu)裝技術(shù)。應(yīng)用產(chǎn)品：電腦通訊民生所需技術(shù)：電子、機(jī)械、物理、化學(xué)、材料、光學(xué)、可靠性工程、人因工程…..等多重領(lǐng)域之工程技術(shù)。P.4電子構(gòu)裝之層級晶圓(Wafer)晶片(Chip)第一階層
2、構(gòu)裝單晶片構(gòu)裝多晶片模組(MCM)第三階層構(gòu)裝第二階層構(gòu)裝P.5電子構(gòu)裝之主要功能電源供應(yīng)層1.有效供應(yīng)電源信號(hào)分佈層2.提供信號(hào)傳輸協(xié)助散熱保護(hù)元件3.協(xié)助排除耗熱4.保護(hù)電子組件建構(gòu)人機(jī)介面Images5.建構(gòu)人機(jī)介面3DGraphicsP.6常見之封裝形式PLCCDIPPlasticLeadedDualIn-LineChipCarrierPackageSOPQFPSmallOutlineQuadFlatPackPackageSOJPGASmallOutlinePinGridArrayJ-LeadPBGAPlasticballGridArrayP.7qplmm_d^nc
3、mplmP.8單晶片構(gòu)裝之基本結(jié)構(gòu)膠體(EpoxyMoldingCompound)晶片(Chip)金線(GoldWire)引腳(Lead)銀膠(SilverEpoxy)晶片座(DiePad)BallGridArray(BGA)結(jié)構(gòu)P.9P.10面積陣列構(gòu)裝之優(yōu)、缺點(diǎn)??優(yōu)點(diǎn)：1.在一定表面積下，可提供更多之輸出/輸入接點(diǎn)。2.具薄型化之方便性。3.焊點(diǎn)間距縮小，有利於小型化。4.可使用多層基板設(shè)計(jì)，有效改善電氣特性。5.具彈性之結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，可有效提升散熱性能。6.易於擴(kuò)充至多晶片模組領(lǐng)域。7.可使用較寬鬆之SMT對位精度及平整度製程要求。?缺點(diǎn)：1.成本較傳統(tǒng)構(gòu)裝為高。2.因
4、膠體結(jié)構(gòu)之非對稱性，可靠性較傳統(tǒng)構(gòu)裝差。晶片互連技術(shù)(ChipInterconnection)P.111.焊線接合(WireBonding)─使用金線或鋁線，以熱壓及超音波接合2.覆晶接合(FlipChipBonding)─使用錫鉛迴焊或(非)導(dǎo)電膠固化接合3.卷帶式接合(TAB─TapeAutomaticBonding)─使用金對金熱壓接合P.12接點(diǎn)數(shù)與接合技術(shù)之選擇FlipChipBonding技術(shù)種類TABWireBonding110100100010000接點(diǎn)數(shù)/晶片P.13單晶片構(gòu)裝之演變DirectChipAttachAreaFinePitchonBoardP
5、THSMTArrayAreaArrayChipScalePacageBGAPGATCPQFPTODIP19701980199020002010P.141.構(gòu)裝技術(shù)簡介2.IC構(gòu)裝製程3.基板類型簡介4.先進(jìn)IC構(gòu)裝5.構(gòu)裝技術(shù)之展望P.15IC構(gòu)裝製程-前段研磨前晶圓晶片(Chip)導(dǎo)線架(Leadframe)研磨後晶圓WaferBacksideWaferSawingDieBondingGrinding晶片黏接晶圓背面研磨晶圓切割WireBonding銲線說明：1.研磨之主要目地，在控制適當(dāng)晶片厚度以方便後續(xù)製程。2.晶片黏接主要使用材料為銀膠或其他非導(dǎo)電性環(huán)氧樹脂，一般需
6、後烘烤1小時(shí)以充分熟化膠體。P.16IC構(gòu)裝製程-後段正極負(fù)極TransferMoldingSolderPlatingTrimming&Forming壓模成型錫鉛電鍍彎腳成型說明：1.壓模成型後，通常需1~4小時(shí)之後烘烤製程，讓膠體充分熟化。2.一般錫鉛電鍍成分比例，錫90%鉛10%。3.Trimming製程之主要目地，在去除膠渣及導(dǎo)線架不必要之連桿，Trimming製程有時(shí)安排於電鍍製程前。4.後段製程細(xì)分時(shí)，可包括膠體背印及正印製程。P.17塑膠IC構(gòu)裝常見之破壞模式41197181.脫層(Delamination)2.金線斷裂3.金線短路4.金球脫落(liftedbo
7、nd)525.金線線弧偏移(Wiresweep)66.焊墊污染7.黏晶膠氣孔8.封裝體破裂109.晶片龜裂晶片(Die)310.晶片覆層(Passivation)龜裂11.封裝體氣孔(Moldvoid)P.18塑膠構(gòu)裝之爆米花效應(yīng)(Popcorneffect)吸濕氣迴焊(SolderReflow)溫度增高降溫冷卻製程加熱暴露於濕氣製程中加熱時(shí)蒸氣壓增大膠體龜裂擴(kuò)至環(huán)境產(chǎn)生蒸氣袋膠體變形表面P.19ICPackage熱傳輸路徑P.201.構(gòu)裝技術(shù)簡介2.IC構(gòu)裝製程3.基板類型簡介4.先進(jìn)IC構(gòu)裝5.構(gòu)裝技術(shù)之展望P
