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《VIPer12A功率開關(guān)電源IC》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫。
1、LKVIPer12AAC/DCPWM功率開關(guān)v1.6LKVIPer12A概述特點(diǎn)LKVIPer12A是采用電流模式PWM控制方式的功率開關(guān)芯片，集成高壓?寬電壓85~265Vac輸入啟動(dòng)電路和高壓功率管，為低成本開關(guān)電源系統(tǒng)提供高性價(jià)比的解決?待機(jī)功耗小于120mW@220Vac方案。?集成高壓?jiǎn)?dòng)電路芯片VDD的工作電壓范圍寬，很方便的應(yīng)用于充電器領(lǐng)域。芯片?集成高壓功率開關(guān)提供了過溫、過流、過壓、欠壓等保護(hù)功能，保證了系統(tǒng)的可靠性。?9V~38V寬VDD工作電壓?電流模式PWM控制方式管腳圖?內(nèi)置過溫、過流、過壓、欠壓鎖定等保護(hù)功能?LKVIPer12A兼容VIPer12管腳（不需要修
2、改電路走線及變壓器）DIP8SOP8?封裝形式：DIP8、SOP8輸出功率表輸入電壓85Vac～265Vac180Vac～265Vac輸出功率8W13W注：輸出功率10W以上，建議根據(jù)實(shí)際方案增加散熱措施：?增加獨(dú)立散熱片；應(yīng)用領(lǐng)域?其他散熱措施。?典型電磁爐BUCK電路應(yīng)用方案典型示意電路圖?小功率充電器?小功率適配器?待機(jī)電源?DVD、DVB以及其他便攜式設(shè)備電源LKVIPer12A-1-LKVIPer12AAC/DCPWM功率開關(guān)v1.6內(nèi)部方框圖DRAINVDD內(nèi)部電源產(chǎn)生電路振蕩電路LVDD基準(zhǔn)電路VREFS驅(qū)動(dòng)欠壓保護(hù)電路--QR18V/14.5V+R2R3過溫保護(hù)電路前沿消隱
3、電路過壓保護(hù)電路S1R1+S2Q--0.23VVDD鉗位電路230ohm1KohmFBGND管腳示意圖LKVIPer12ADIP8/SOP8管腳說明名稱管腳序號(hào)管腳說明GND1,2芯片地，同時(shí)也是內(nèi)置高壓MOS管SOURCE端口FB3反饋輸入端口VDD4芯片電源端，工作電壓范圍可達(dá)9V——38VDRAIN5,6,7,8內(nèi)置高壓MOS管的DRAIN，同時(shí)芯片啟動(dòng)時(shí)，也做芯片的啟動(dòng)-2-LKVIPer12AAC/DCPWM功率開關(guān)v1.6極限參數(shù)極限參數(shù)(TA=25℃)符號(hào)說明范圍單位VDS(max)芯片DRAIN腳最高耐壓-0.3～730VVDS(ST)芯片啟動(dòng)時(shí)，DRAIN腳最高耐壓-0.
4、3～400VVDD芯片電源電壓-0.3～38VIvdd嵌位電流10mAIFB最大反饋電流3mAVESDESD電壓>4000VTJ結(jié)溫-40～150℃TSTG存儲(chǔ)溫度-55～150℃熱阻參數(shù)符號(hào)說明LKVIPer12A單位RthJA熱阻(1)45℃/W注（1）：芯片要焊接在有200mm2銅箔散熱的PCB板，銅箔厚度35um，銅箔連接到所有的GND腳。電氣工作參數(shù)(除非特殊說明，下列條件均為TA=25℃，VDD=18V)范圍符號(hào)說明條件單位最小典型最大BVDS漏源擊穿電壓VFB=2V;ID=1mA730V--VIDSSDRAIN端關(guān)斷態(tài)漏電流VFB=2V;VDS=500V--0.1mARDS(
5、on)源漏端導(dǎo)通電阻ID=0.2A-19-OhmVDDONVDD開啟電壓1314.516VVDDOFFVDD關(guān)閉電壓789VVDDHYSVDD遲滯閾值電壓-6.5-VVDDOVPVDD過壓保護(hù)閾值-39-VIDD1VDD工作電流IFB=2.0mA-0.4-mAIDD2VDD工作電流IFB=0.5mA;ID=50mA-1.0-mAIDDCH芯片充電電流VDS=100V;VDD=5V--220-uAFOSC芯片振蕩頻率-60-KHzGIDIFB/IDRAIN增益-320-ILIMIT峰值電流閾值VFB=0V-400-mAIFBSDFB關(guān)斷電流-0.9-mARFBFB輸入電阻ID=0mA-1.2
6、3-KohmtLEB前置消隱時(shí)間-300-nstON(min)最小導(dǎo)通時(shí)間-700-nstOVT過溫保護(hù)溫度-150-℃tHYS過溫遲滯閾值溫度-30-℃-3-LKVIPer12AAC/DCPWM功率開關(guān)v1.6功能表述DINDAVRDLKVIPer12ADNBFG?電路圖說明上圖中D1-D4、C2組成全波整流，D6、R1、C3組成RCD吸收回路，消除變壓器T2漏感產(chǎn)生的尖峰電壓，避免擊穿LKVIPer12A內(nèi)部的高壓MOS管。輸出部分U3、U2、R5、R6、R3、R4、C8組成采樣反饋電路，R5、R6決定系統(tǒng)的輸出電壓，輸出電壓VOUT等于：R5?R6V??2.5VOUTR6R3、R4限
7、制U2光耦PC817B的電流，避免影響反饋回路。C8的加入使得系統(tǒng)反饋更加穩(wěn)定，避免振蕩。?VDD電壓部分LKVIPer12A芯片工作電壓范圍寬，達(dá)到9V——38V，此特性可以很方便的應(yīng)用在某些特殊的領(lǐng)域，比如電池充電器等。當(dāng)開關(guān)電源啟動(dòng)后，C2電容上的電壓會(huì)通過T2原邊線圈、芯片內(nèi)部的高壓?jiǎn)?dòng)MOS管向芯片VDD電容C4充電。當(dāng)C4電容電壓達(dá)到16V，內(nèi)部高壓?jiǎn)?dòng)MOS管關(guān)閉，同時(shí)PWM開啟，系統(tǒng)開始工作。當(dāng)C4電容電
