鐵電在DSP系統(tǒng)中的應(yīng)用

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1、元器件與應(yīng)用康建榮等:鐵電在DSP系統(tǒng)中的應(yīng)用鐵電在DSP系統(tǒng)中的應(yīng)用康建榮,呂紅麗(中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第20研究所陜西西安710068)摘要:介紹了一種具有SPI總線的高速低功耗的FRAM鐵電存儲(chǔ)器FM25CL64,對(duì)該器件的性能特點(diǎn)、工作原理和使用方法做了詳細(xì)描述,并介紹了TI公司DSP芯片TMS320VC33150的串行外設(shè)接口,給出了鐵電存儲(chǔ)器FM25CL64與TMS320VC33150的硬件連接電路和應(yīng)用程序?qū)嵗?實(shí)際應(yīng)用中證明了通過文中設(shè)計(jì)的電路及程序可有效地實(shí)現(xiàn)高速DSP與串行存儲(chǔ)器的無縫連接,充分利用DSP資源。關(guān)

2、鍵詞:非易失性存儲(chǔ)器;數(shù)字信號(hào)處理器;串行外設(shè)接口;FM25CL64中圖分類號(hào):TP343文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:B文章編號(hào):1004373X(2005)1001203ApplicationofFenrroelectricNonvolatileRAMinDSPSystemKANGJianrong,LVHongli(The20thInstitute,ChinaElectronicTechnologyCorporation,Xi'an,710068,China)Abstract:ThePaperintroducesakindofhighspeeda

3、ndlowpowerFRAMmemoryFM25CL64withSPIBus,thefunctionCharacteristic,workprincipleandusagemethodaredescribedindetail.AnalyzingTheTIcompanyDSPTMS320VC33-150seriorport,givingoutelectriccircuitconnectandappliedexampleofFM25CL64andTMS320VC33150.thepracticalapplicationprovestha

4、twiththepaper'scircuitandprogramcanavailablyrealizescompactnesslinkofsuperspeedDSPandtheseriorNVRAM,sufficiencymakinguseoftheDSPresources.Keywords:nonvolatilememory;digitalsignalprocessor;serialperipheralinterface;FM25CL64數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)的應(yīng)用日趨廣泛,而系統(tǒng)中的鐵電存儲(chǔ)器主要特點(diǎn)有:重要參數(shù)、數(shù)據(jù)等的非易

5、失性保存問題是不可缺少的部分。非易失性在掉電后數(shù)據(jù)能保存10年。目前,非易失性的數(shù)據(jù)保存方法多采用FLASH或E2快速度沒有寫等待時(shí)間,時(shí)鐘頻率高達(dá)20MHz。PROM(電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器)芯片,而這種方法存在許多問低功耗靜態(tài)電流小于1mA,寫入電流小于150mA。題,如一般FLASH寫入比較麻煩,并行E2PROM的體積較SOP8封裝,體積小,不占用口地址只需兩三根線就可大、還需占用一個(gè)口地址,串行E2控制讀寫。PROM寫入速度太慢,需要加入緩沖和等待,由于寫入時(shí)間長(zhǎng)所以也容易受到干擾產(chǎn)擦寫能力強(qiáng)5V工作電壓芯片的擦寫次數(shù)為10

6、0億生錯(cuò)誤;對(duì)于需要高速運(yùn)行的系統(tǒng),這種方法會(huì)引起一些問次,低電壓工作芯片的擦寫次數(shù)為1億個(gè)億次。題;而采用鐵電FRAM芯片則能很好地解決這個(gè)問題。讀寫的無限性5V工作的芯片擦寫次數(shù)超過100億次后,還能和SRAM一樣讀寫,只是掉電后數(shù)據(jù)不丟失。1鐵電存儲(chǔ)器FRAM2數(shù)字信號(hào)處理芯片TMS320VC33鐵電存儲(chǔ)器FRAM是Ramtron公司生產(chǎn)的一種新型存儲(chǔ)器,與RAM一樣讀寫,但又具有ROM的非易失性。FRAM數(shù)字信號(hào)處理芯片TMS320VC33是在原有TMS320C31克服這兩種存儲(chǔ)器的缺陷而合并他們的優(yōu)點(diǎn),產(chǎn)生一種全新浮點(diǎn)DS

7、P的基礎(chǔ)上開發(fā)的。與TI公司開發(fā)的其他系列的浮點(diǎn)的非易失性隨機(jī)存取儲(chǔ)存器。DSP芯片相比,他具有性價(jià)比高的優(yōu)點(diǎn),而與同一系列的DSP芯片相比,他又具有速度更快、功耗更低、易于開發(fā)等優(yōu)點(diǎn)。FRAM目前有2個(gè)系列。串口系列:提供2種標(biāo)準(zhǔn)串行接口的鐵電存儲(chǔ)器,即標(biāo)準(zhǔn)的I22.1TMS320VC33硬件方面的特點(diǎn)C接口和SPI接口;并口系列:Ramtron的并行接口非易失性RAM與標(biāo)準(zhǔn)SRAM引腳(1)具有高速的浮點(diǎn)運(yùn)算能力,最高可以達(dá)到150MFlop兼容。FRAM的封裝就象SRAM一樣有簡(jiǎn)單的貼片封裝和75MIPS的處理速度。(SOIC

8、)或插腳封裝(DIP)。(2)內(nèi)存空間大,具有34k×32b的片內(nèi)雙靜態(tài)RAM,既降低了系統(tǒng)的開發(fā)成本,又提高了系統(tǒng)的運(yùn)行速度。收稿日期:20050116(3)雙電源供電,即核心電壓1.8V,外圍電壓3.3V,12《現(xiàn)代電子技術(shù)》20