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1、GB/T××××—××××發(fā)布中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會中華人員共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局XXXX-XX-XX實(shí)施XXXX-XX-XX發(fā)布太陽電池用多晶硅片multi-crystallinewaferforsolarcell（送審稿）GB/TXX—XXXX中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)ICSGB/TXX—XXXX前言本標(biāo)準(zhǔn)由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會（SAC/TC203/SC2）歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：江西賽維LDK太陽能高科技有限公司、寧波晶元太陽能有限公司本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：萬躍
2、鵬唐駿游達(dá)段育紅1GB/TXX—XXXX太陽電池用多晶硅片1 范圍本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了太陽電池用多晶硅片的術(shù)語定義、符號及縮略語、產(chǎn)品分類、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢測規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存等。本標(biāo)準(zhǔn)適用于鑄錠多晶切片生產(chǎn)的太陽電池用多晶硅片。2 規(guī)范性引用文件下列文件中的條款通過本標(biāo)準(zhǔn)的引用而成為本標(biāo)準(zhǔn)的條款。凡是注明年代的引用文件，其隨后所有的修改單（不包括勘誤的內(nèi)容）或修訂版均不適用于本標(biāo)準(zhǔn)，然而，鼓勵(lì)根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)達(dá)成協(xié)議的各方研究是否可使用這些文件的最新版本。凡是不注明年代的引用文件，其最新版本適
3、用于本標(biāo)準(zhǔn)。GB191包裝儲運(yùn)圖示標(biāo)志GB/T1550非本征半導(dǎo)體材料導(dǎo)電類型測試方法GB/T1551硅單晶電阻率測定方法GB/T1557硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法GB/T1558硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法GB/T2828.1計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第1部分:按接收質(zhì)量限(AQL)檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣計(jì)劃GB/T6616半導(dǎo)體硅片電阻率及硅薄膜薄層電阻測試方法非接觸渦流法GB/T6618硅片厚度和總厚度變化測試方法GB/T6619硅片彎曲度測試方法GB/T6621硅片表面平整度測試方法GB/
4、T14264半導(dǎo)體材料術(shù)語SEMIM6-1000太陽能光電池用硅片規(guī)范SEMIMF1535用微波反射光電導(dǎo)衰減法非接觸測量硅片載流子復(fù)合壽命的測試方法3 術(shù)語定義、符號及縮略語GB/T14264確立的術(shù)語和定義適用于本標(biāo)準(zhǔn)。密集線痕：晶錠切割時(shí)，在硅片表面留下的密集型劃痕。4 外形尺寸分類太陽電池用多晶硅片的規(guī)格系列見表1，在表1中未列出的尺寸規(guī)格要求由供需雙方協(xié)商。表1 太陽電池用多晶硅片規(guī)格系列外形尺寸，mm125×125156×156硅片厚度，mm1601802002205 要求5.1 外觀要
5、求5.1.1太陽電池用多晶硅片外觀要求表面潔凈，無沾污、色斑、目視裂紋、孔洞等目視缺陷；-5-GB/TXX—XXXX5.1.2太陽電池用多晶硅片表面不可以有深度＞0.5mm,長度＞1.0mm,整片＞2處且無V缺口的崩邊缺陷；5.1.3太陽電池用多晶硅片表面不可以有深度＞0.5mm,長度＞0.5mm,整片＞2處的缺角缺陷；5.1.4太陽電池用多晶硅片表面不可以有深度＞0.5mm的邊緣缺陷,并且邊緣缺陷的累積長度應(yīng)≤10cm；5.1.5太陽電池用多晶硅片表面允許存在長度1cm的范圍內(nèi)晶粒的數(shù)量≤10個(gè)。
6、1.1 尺寸規(guī)格要求太陽電池用多晶硅片的幾何尺寸及公差應(yīng)符合表2的要求,如用戶有特殊要求時(shí)，由供需雙方協(xié)商。表2太陽電池用多晶硅片幾何尺寸及公差要求外形尺寸，mm±0.5倒角尺寸，mm1.5±0.5硅片厚度T，mm±10%TTV（總厚度變化）mm≤20%彎曲度bow，μm≤75相鄰兩邊的垂直度°90°±0.25°單條線痕Ry值mmm≤15密集型線痕mm當(dāng)Ry≤10mm時(shí)無總數(shù)量限制，當(dāng)Ry＞10mm時(shí)硅片線痕數(shù)量應(yīng)≤10條1.2 性能1.2.1 太陽電池用多晶硅片電阻率范圍為0.5-3.0Ω·cm，
7、或由供需雙方協(xié)商；其檢測按GB/T1551或GB/T6616進(jìn)行。1.2.2 導(dǎo)電類型:P型或由供需雙方協(xié)商；其檢測按GB/T1550進(jìn)行。5.3.3氧含量：太陽電池用多晶硅片的間隙氧含量應(yīng)小于1×1018atoms/cm3，或由供需雙方協(xié)商；5.3.4碳含量：太陽電池用多晶硅片的代位碳含量應(yīng)小于5×1017atoms/cm3，或由供需雙方協(xié)商。2 試驗(yàn)方法2.1 太陽電池用多晶硅片的表面質(zhì)量檢驗(yàn)在430lx～650lx光強(qiáng)度的熒光燈或乳白燈下進(jìn)行；2.2 太陽電池用多晶硅片的外形尺寸檢驗(yàn)用游標(biāo)卡尺
8、或相應(yīng)精度的量具進(jìn)行；2.3 相鄰兩邊的垂直度檢驗(yàn)用萬能角尺或相應(yīng)精度的量具進(jìn)行；2.4 線痕深度取單條線痕最大處用表面粗糙度測試儀在垂直線痕左右5mm范圍內(nèi)測量該線痕的極差值（Ry），當(dāng)存在多條線痕時(shí)應(yīng)進(jìn)行多次測量取最大值；6.5太陽電池用多晶硅片彎曲度檢驗(yàn)按GB/T6619進(jìn)行，或由供需雙方協(xié)商；6.6太陽電池用多晶硅片厚度測量及TTV測量按GB/T6618進(jìn)行；6.7太陽電池用多晶硅片電阻率檢驗(yàn)按GB/T1551或GB/T6616進(jìn)行；6.8太陽電池用多晶硅片導(dǎo)
