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《IC工藝技術(shù)9雙極型集成電路工藝技術(shù)》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在教育資源-天天文庫。
1、集成電路工藝技術(shù)講座第九講雙極型集成電路工藝技術(shù)雙極集成電路工藝技術(shù)集成電路中的晶體管和無源器件工藝和設(shè)計的界面－設(shè)計手冊PN隔離雙極工藝流程先進雙極工藝工藝和器件模擬在工藝設(shè)計中的應(yīng)用（一）集成電路中的晶體管 和無源器件NPN晶體管結(jié)構(gòu)外延和隔離埋層和深集電極PNP晶體管集成電阻和電容集成電路中的NPN晶體管集成電路中的PNP體管集成電路中的PNP體管集成電阻pn金屬集成電阻Pinch電阻PbaseＰ襯底NEpi集成電容NP+金屬介質(zhì)層（二）工藝和設(shè)計的界面－設(shè)計手冊器件和工藝指標(biāo)設(shè)計規(guī)則簡要工藝流程和光刻版順序光刻版制作要求PCM文件模型參數(shù)2um18Vs
2、pecParameterSymbolMinTypMaxUnitNPNtransHfe80140250Bvceo1835-VLPNPtransHfe100250400Bvceo1840-VIsoBVBviso2035-VFieldVthVth182536VCapacit.CAP8.510.612.7PfImplantRIR18.4k23k27.6kΩ2um18VspecItemMinTypMaxSize(um2)RBN(?)10515019520x200R-Epi(?)7.35k10.5k13.5k20x200R-DN(?)15253520x200R-PBAS(
3、?)1.9k2.15k2.4k20x200R-XBAS(?)21030039020x200R-IR(?)18.4k23.0k27.6k20x200R-NEMT(?)608010020x200設(shè)計規(guī)則－設(shè)計與工藝制作的接口目的：使芯片尺寸在盡可能小的前提下，避免線條寬度的偏差和不同層版套準(zhǔn)偏差可能帶來的問題，以提高電路的成品率內(nèi)容：根據(jù)實際工藝水平(包括光刻特性、刻蝕能力、對準(zhǔn)容差等)，給出的一組同一工藝層及不同工藝層之間幾何尺寸的限制，主要包括線寬、間距、覆蓋、露頭、面積等規(guī)則，分別給出它們的最小值，2um18V設(shè)計規(guī)則例BPaminwidth4umbclea
4、rancetoBN8umBN2.bISOIslandBP2.a2.cISOIslandDummyislandIsland2um18V設(shè)計規(guī)則例DeepN+aMin.Width4.0umcBNextensionDN1.0umdClearancetoBP9.0umBNDNDN3.a3.c3.b3.b3.eISOIslandBP3.d2um18V設(shè)計規(guī)則例Isolation(ISO)aMin.width4.0bClearancetoBN8.0umdClearancetoDN9.0umBN4.bISOIslandISO4.adummyIslandDN4.d4.c2um
5、18V設(shè)計規(guī)則例N+Emittera1Min.width4.0umiPBASextensionNEMT1.5umjSpaceNEMT3.0umIslandISO(BP)IR7.a8.bBN8.cDNPBASSNSN8.aXBAS8.e8.d8.g8.i8.hSN8.j8.fNPNTransistor8.h8.iPBASXBASNEMTisland8.a2um18V設(shè)計規(guī)則例contacta1Min.Width2.0umbXBASextensionBCONT1.0umNPNXBASSNBCONTTOPBAS10.a1,210.b10.c10.d10.e10.cB
6、CONTNEMTBCONTTOBCONTTOBCONTTO10.a22um18V設(shè)計規(guī)則例MetalaMin.width3.0umeSpace2.0umunder500umparallellinefSpace3.0umOver500umparallellineM112.aSN12.c12.f12.eCO12.gPAD12.hM1M112.iCAP12.dBriefProcessflow&MaskSequence1Startingmaterial2Initialoxidation3BuriedNphoto/etch4BNimplant5BNdrive-in6Bu
7、riedPphoto7BPimplant8Epigrowth9Initialoxidation10DeepN+photo/etch11POCl3pre-depositionandoxidationBriefProcessflow&MaskSequence12*Pbasephoto13*PBASimplant14*Implanterresistorphoto15*Resistorimplant16*ExtrinsicPbasephoto17*XBASimplant18Drive-in19NEmitterphoto/etch20NEMTimplant21NEMTd
8、rive-in22Capacitorp
