ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹

《ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在教育資源-天天文庫。

1、ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹大綱透明導(dǎo)電薄膜的介紹與應(yīng)用ITO薄膜的特性及製程介紹ITO薄膜的結(jié)晶性V.S.製程參數(shù)公司的簡介與產(chǎn)品介紹2ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹透明導(dǎo)電薄膜的介紹透明導(dǎo)電膜(Transparentconductingoxidesfilms,TCOs)：在可見光的範(fàn)圍內(nèi)具有高穿透度：T>85%。低電阻率：＜10-3W-cm。種類：金屬薄膜金屬氧化物半導(dǎo)體薄膜應(yīng)用領(lǐng)域片電阻值需求光穿透度需求液晶顯示器≦100W/sq.≧85%觸控面板100W/sq.-1000W/sq.≧85%抗靜電塗層100-109W/sq

2、.≧85%太陽能電池≦100W/sq.≧80%電致色變元件≦20W/sq.≧80%有機(jī)發(fā)光二極體≦100W/sq.≧85%3ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹電阻式觸控面板透明導(dǎo)電薄膜的應(yīng)用範(fàn)圍薄膜電晶體4ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹有機(jī)發(fā)光二極體電致色變元件5ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹非晶矽可撓太陽電池染料敏化太陽電池6ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹導(dǎo)電特性ITO薄膜的導(dǎo)電性屬於N型半導(dǎo)體，導(dǎo)電機(jī)制有兩種，一種雜質(zhì)摻雜機(jī)制，另一種則為氧空位機(jī)制。由於Sn4+取代In3+，提供額外的電子。氧空缺提供兩個額外的電子。(O2→2Vo¨+2e-)

3、InOSnAbsentOatomSnsubstitutionalSninterstitiale-e-e-Sn+7ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹透光特性ITO薄膜的可見光可穿透能隙寬度約為3.5-4.3eV，可見光波長範(fàn)圍對應(yīng)的能量為1.7-3.1eV，不足以讓電子在能帶間躍遷而產(chǎn)生光的吸收，故在可見光的範(fàn)圍內(nèi)有很高的穿透度。GlassPETITOfilmTiO2film8ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹ITO薄膜的製程介紹磁控濺鍍法(Magnetronsputtering)為目前在諸多製程中和積體電路製程技術(shù)相容性較高的技術(shù)，具有可

4、連續(xù)生產(chǎn)高品質(zhì)薄膜的特性，低製程溫度且適用在大面積的各種基板上，因此磁控濺鍍法是目前使用最普遍用來沉積ITO薄膜的技術(shù)。脈衝雷射鍍法(Pulsedlaserdeposition)固定脈衝頻率、能量約為40-300mJ的準(zhǔn)分子雷射，將雷射脈衝轟擊在ITO靶材上，並加上垂直方向的磁場。此種製程下之成膜速率低，非常耗時。電弧放電離子鍍(Arcdischargeionplating)電弧離子鍍乃是運用電弧放電電漿，將原料進(jìn)行蒸發(fā)與離子化，藉由基材通以負(fù)偏壓吸引離子加速撞擊並還原沉積於基材表面形成鍍膜的工作方式。在沉積過程中會有

5、微粒產(chǎn)生，導(dǎo)致薄膜變粗糙影響鍍膜的品質(zhì)。9ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹反應(yīng)性蒸鍍(Reactiveevaporation)藉著對被蒸鍍物體加熱，利用被蒸鍍物在接近熔點時的高溫所具備的飽和蒸氣壓，來進(jìn)行薄膜沉積。在真空中通過電流加熱、電子束轟擊加熱和鐳射加熱等方法，使薄膜材料蒸鍍成為原子或分子，它們隨即以較大的自由程作直線運動，碰撞基片表面而凝結(jié)，形成一層薄膜。離子束濺鍍法(Ionbeamsputtering)離子束助鍍法(Ionbeamassisteddeposition)10ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹ITO薄膜的結(jié)晶性V.

6、S.製程參數(shù)製程溫度對薄膜電阻、載子遷移率、載子濃度有密切之關(guān)聯(lián)。提高製程溫度時將使薄膜之結(jié)晶性得以提昇，而具有結(jié)晶性的薄膜之可見光穿透度與導(dǎo)電特性有明顯助益。氧分壓ITO薄膜之應(yīng)用原理是利用添加之錫及氧形成之空孔來決定載子濃度。另一方面，氧空孔的形成會造成結(jié)晶學(xué)上之缺陷結(jié)構(gòu)，而使得載子之遷移率下降。在濺鍍過程中，導(dǎo)入之氧分壓若增加，會使得薄膜組織更接近化學(xué)計量比之組成、結(jié)晶之缺陷減少、載子之遷移率增加、載子之密度降低，因此若要兼顧載子之遷移率及密度，必須得到最佳氧分壓之製程參數(shù)。11ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹沉積具結(jié)晶

7、型的ITO薄膜高光學(xué)穿透度以及低電阻率。ITO薄膜的光穿透度與低電阻率和薄膜的結(jié)晶性息息相關(guān)。Light入射Light穿透ITOfilmSubstrate散射反射吸收ElectroncarriertransportElectronscatteringcrystallineamorphousSubstrate12ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹具結(jié)晶型的ITO薄膜之獲得：製程溫度在150oC以上。對ITO薄膜進(jìn)行200oC退火處理。13ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹初沉積-非結(jié)晶結(jié)構(gòu)14ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹低程度結(jié)晶15ITO薄膜

8、簡介與產(chǎn)品介紹高程度結(jié)晶16ITO薄膜簡介與產(chǎn)品介紹公司簡介2007-12竹科基地正式啟用琦芯科技設(shè)於新竹科學(xué)園區(qū)-竹南基地的廠房，將於2008年1月2日正式啟用。2008-12捲對捲濺鍍設(shè)備正式啟用捲對捲濺鍍設(shè)備進(jìn)行ITOFilm的生產(chǎn)。2009/1S開始正式量產(chǎn)。2009-01科專計畫計畫為期1年9個月，開始經(jīng)濟(jì)部科專計畫，開