瓷片電容-SMD貼片電容檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)

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1、深圳市好禮來(lái)電子產(chǎn)品廠頁(yè)數(shù)第1頁(yè)共3頁(yè)工作文件生效日期分發(fā)號(hào)文件名瓷片電容/SMD貼片電容檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)文件編號(hào)版本狀態(tài)A1.0目的為深圳市好禮來(lái)電子產(chǎn)品廠所使用的瓷片電容/SMD貼片電容提供檢驗(yàn)依據(jù).2.0適用范圍僅適用于深圳市好禮來(lái)電子產(chǎn)品廠所使用的瓷片電容/SMD貼片電容.3.0參考資料《中華人民共和國(guó)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)---電容器》4.0抽樣水準(zhǔn)按MIL-STD-105E正常單次(Ⅱ)抽樣計(jì)劃進(jìn)行抽樣:CRI:0MAJ:0.65MIN:1.0(如客戶有要求按客戶要求)5.0所需工具電容測(cè)試儀(L.C.R儀)一臺(tái)電流表一塊電壓表一塊可調(diào)直流穩(wěn)壓源一臺(tái)30W烙鐵一把6.0檢驗(yàn)方法6.

2、1外觀檢驗(yàn)6.1.1引腳是否氧化、生鏽、脫落、過(guò)短.6.1.2主體是否變形、破損、破裂.6.1.3字跡模糊或標(biāo)識(shí)不清.6.1.4用手指或棉簽沾酒精輕輕擦試主體字符是否會(huì)脫落.6.1.5SMD貼片電容需置于20倍顯微鏡下觀察不能有裂痕.6.2容量測(cè)量用電容測(cè)試儀(L.C.R儀)【測(cè)試頻率為1KHZ,測(cè)試電壓為1.0V】對(duì)其進(jìn)行容量測(cè)量,其容量應(yīng)誤差范圍內(nèi)..注#:中括號(hào)內(nèi)要求只有在使用L.C.R儀測(cè)試時(shí)才參照編制審批日期日期深圳市好禮來(lái)電子產(chǎn)品廠頁(yè)數(shù)第2頁(yè)共3頁(yè)工作文件生效日期分發(fā)號(hào)文件名瓷片電容SMD貼片電容檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)文件編號(hào)版本狀態(tài)A附:電容容量誤差字母表示F表示±1%J

3、表示±5%M表示±20%Z表示(+80,-20)%6.3漏電流測(cè)試將被測(cè)電容按下圖串入線路中,將直流電壓調(diào)至與電容耐壓相等,此時(shí)μA表的顯示應(yīng)小于0.1μA.6.4耐壓測(cè)試將被測(cè)電容按上圖串入線路中,將直流電壓調(diào)至與電容耐壓相等,對(duì)其進(jìn)行連續(xù)充電12小時(shí),不能出現(xiàn)冒湮、變黑、異味、裂開(kāi)、短路、開(kāi)路等現(xiàn)象.6.5高低溫測(cè)試:將在常溫下測(cè)試容量、漏電均正常的電容放入-10℃的溫度中2小時(shí).然后用30W烙鐵對(duì)其進(jìn)行加熱3秒,再測(cè)試容量,漏電是否合格.如此連續(xù)反復(fù)3次高低溫試驗(yàn),其容量,漏電應(yīng)正常.6.6吃錫試驗(yàn):用30W烙鐵對(duì)兩焊點(diǎn)做吃錫試驗(yàn),3秒內(nèi)應(yīng)吃錫良好.7.0檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn):

4、序號(hào)檢驗(yàn)項(xiàng)目品質(zhì)要求判定CRIMAJMIN編制審批日期日期深圳市好禮來(lái)電子產(chǎn)品廠頁(yè)數(shù)第3頁(yè)共3頁(yè)工作文件生效日期分發(fā)號(hào)文件名瓷片電容SMD貼片電容檢驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)文件編號(hào)版本狀態(tài)A序號(hào)檢驗(yàn)項(xiàng)目品質(zhì)要求判定CRIMAJMIN7.1外觀引腳氧化、生鏽、脫落、過(guò)短.※主體變形、破損、破裂.※字跡模糊或標(biāo)識(shí)不清.※用手指或棉簽沾酒精輕輕擦試主體字符會(huì)脫落.※SMD貼片電容需置于20倍顯微鏡下觀察有裂痕.※7.2容量容量大小超出充許誤差范圍※7.3漏電漏電流超出充許誤差范圍※7.4高低溫容量超出誤差范圍※漏電流超出誤差范圍※外觀有破裂,破損※7.5吃錫不吃錫或吃錫不夠※外觀有破裂,破損※編

5、制審批日期日期

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