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《6H-SiC上3C-SiC緩沖層與SiCGe薄膜的生長(zhǎng)》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫(kù)。
1、西安理工大學(xué)碩士學(xué)位論文SiCGefilmswithtwo—dimensionlayergrowthmodewereobtained．3．ThelightpermeationcharacteristicsofSiCGesamplesweretestedandtheirenergybandgapswerecalculated．Keywords：SiC，SiCGe，chemicalvapordeposition，hetero-epitaxyThiSthesiSiSFoundationofResearchFund20040700001)，200704137)．fi
2、nanciallysupportedbytheNationalNaturalScienceChina(GrantNo．60376011and60576044)，SpecializedfortheDoctoralProgramofHighEducation(GrantNo．a(chǎn)ndtheChinaPostdoctoralScienceFoundation(GrantNo．獨(dú)創(chuàng)性聲明秉承祖國(guó)優(yōu)良道德傳統(tǒng)和學(xué)校的嚴(yán)謹(jǐn)學(xué)風(fēng)鄭重申明d本人所呈交的學(xué)位論文是我u令人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行韻研究工作及取得的成果。jj盡我所知i‘，除特別加以標(biāo)注和致謝的地方外；一論文中不包含其他人
3、的研究成果；!尚我_同工作的同志對(duì)本文所研究的王作和成果的任何貢獻(xiàn)均已在論文中作了明確的說(shuō)明并已致謝≥本論文及其相關(guān)資料著有木窶之娃0由’本久承擔(dān)上切相關(guān)責(zé)任論支作者簽名；、遘．盔&：??。，o研年一參?月妒，一目學(xué)位論文使用授權(quán)聲明本人!受蠶型在導(dǎo)師的指導(dǎo)下創(chuàng)作堯成畢業(yè)論曼：jj笨犬百通過(guò)論文’酌蓉辯．．并已經(jīng)在西安理工大學(xué)申請(qǐng)博士7．碩士學(xué)位Z，本人作為學(xué)位論文著作權(quán)擁有者，‘同惹授權(quán)西安理王大學(xué)擁有學(xué)位論文的部分使用權(quán)：“即‘：一1，卜已獲學(xué)位的研究生按學(xué)校規(guī)定．提交印刷版和電子版學(xué)位論文’乒學(xué)?？梢圆捎糜坝 蹋嚎s印或其他復(fù)制手段保存研究生主交的學(xué)位
4、論文∥可以將學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行檢索；：_2)。為。教學(xué)和科研目的’，學(xué)校可以將公開(kāi)的學(xué)位論文或解密后的學(xué)位論文作為資料在圖書(shū)館r資料室等場(chǎng)所或在校園網(wǎng)上供校內(nèi)師生閱讀‘：。測(cè)覽0本人學(xué)位論文全部或部分內(nèi)容的公布i(包括刊登>授權(quán)西安理工大學(xué)研究生部辦理l(保密的學(xué)位論文在解密后07適用本授權(quán)說(shuō)明，>論文作者簽名，：耋耋型．．，導(dǎo)師簽名：誣嶝蘭!，磐孳加簿i》月．，留目第一章緒論1緒論用熱壁CVD方法在6H—SiC襯底上外延生長(zhǎng)SiCGe三元合金，是我的導(dǎo)師陳治明教授于2002年提出的一種新想法，他的出發(fā)點(diǎn)是希望通過(guò)調(diào)節(jié)SiCGe中Ge
5、的含量來(lái)裁減SiCGe的能帶，使其對(duì)紅外和可見(jiàn)光有較強(qiáng)的吸收，進(jìn)而開(kāi)發(fā)碳化硅在光電子技術(shù)領(lǐng)域的新應(yīng)用Ⅲ。這種做法與目前國(guó)際上研究較多的在Si上外延生長(zhǎng)SiCGe三元合金有相同的地方，但又有很多不同之處。在SiCGe薄膜和6H—SiC襯底之間引入3C．SiC緩沖層，有利于改善SiCGe薄膜的晶體質(zhì)量。本章主要介紹目前SiCGe三元合金及3C．SiC的研究情況，包括SiCGe材料和3C—SiC外延生長(zhǎng)的方法、前沿的研究成果等，最后對(duì)本課題的研究目的和內(nèi)容進(jìn)行了介紹。1．1SiCGe薄膜概述本節(jié)對(duì)SiCGe的生長(zhǎng)方法和研究現(xiàn)狀進(jìn)行了介紹，并對(duì)目前Si襯底和SiC襯
6、底上外延SiCGe薄膜所存在的問(wèn)題做了總結(jié)。1．1．1SiCGe三元合金薄膜的生長(zhǎng)方法目前SiCGe外延合金薄膜的生長(zhǎng)方法主要有分子束外延(MBE)，化學(xué)氣相淀積(CVD)，與離子注入結(jié)合的固相外延生長(zhǎng)(SPE)等技術(shù)。1．固相外延(SPE)類(lèi)：包括C離子注入的SPE和C、Ge離子注入的SPE；2．分子束外延(MBE)類(lèi)：包括固源MBE(SS—MBE)和氣源MBE(GS—MBE)；3．化學(xué)氣相沉積(CVD)類(lèi)：包括等離子增強(qiáng)CVD(PECVD)、混合離子分子束沉積(CIMD)、超高真空CVD(UHV／CVD)、快速加熱CVD(RTCVD)以及激光輔助CVD(
7、LCVD)等。SPE【21方法是指將C離子(或C離子和Ge離子)強(qiáng)行注入到硅襯底中，形成Sil—x—yGexCy非晶層，再經(jīng)退火進(jìn)行外延生長(zhǎng)。由于C離子是強(qiáng)行注入進(jìn)去的，不受固溶度的限制，C的組分可以做得比較高。采用快速退火(RTA)可以有效地抑制p-SiC的出現(xiàn)。整個(gè)SPE工藝過(guò)程十分簡(jiǎn)單，易于形成大批量生產(chǎn)，且與硅平面工藝兼容性很好。但是，該方法也有其明顯的不足。第一，離子注入過(guò)程中對(duì)品格的損傷十分嚴(yán)重，退火過(guò)程不能完全消除這種影響。所以制備的樣品缺陷比較多。第二，注入離子在縱向有一定的分布范圍，不利于形成陡峭的界面。第三，與其它方法相比，該方法不易做成
8、各種結(jié)構(gòu)。MBE‘31則采用固體C源或烴類(lèi)氣體C源，
