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《超細間距引線鍵合第一鍵合點影響因素分析》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在學(xué)術(shù)論文-天天文庫。
1、華中科技大學(xué)碩士學(xué)位論文presentedworksabove．Finally,summaryhasbeengiventheendofthisdissertation，andsomeadviceshavebeenputforwardforsubsequentresearch．Newaimshavebeensetforfuturework．Keywords：ultrafinepitchwirebondingICpackageorthogonaltestIII獨創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學(xué)位論文是我個人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進行的研究工作及取得的研究成果。盡
2、我所知，除文中已經(jīng)標明引用的內(nèi)容外，本論文不包含任何其他個人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果。對本文的研究做出貢獻的個人和集體，均已在文中以明確方式標明。本人完全意識到本聲明的法律結(jié)果由本人承擔。學(xué)位論文作者簽名：即唐日期：≯∞(厶年r月f。日學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)位論文作者完全了解學(xué)校有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定，即：學(xué)校有權(quán)保留并向國家有關(guān)部門或機構(gòu)送交論文的復(fù)印件和電子版，允許論文被查閱和借閱。本人授權(quán)華中科技大學(xué)可以將本學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫進行檢索，可以采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存和匯編本學(xué)位論文。保密口，
3、在年解密后適用本授權(quán)書。本論文屬于不保密時。(請在以上方框內(nèi)打“√”)指導(dǎo)教師簽名：客1}車El期：伊≯年}月JEt華中科技大學(xué)碩士學(xué)位論文1．1．課題概述1．1．1課題的來源1緒論本課題“超細間距球引線鍵合工藝的研究”來源為國家高技術(shù)研究發(fā)展計劃(八六三計劃)機器人主題資助項目：“超細間距引線鍵合關(guān)鍵技術(shù)的研究”，項目編號：2002AA421210，作者負責該項目工藝試驗的設(shè)計、試驗及結(jié)果分析。1．1．2課題的目的和意義現(xiàn)代電子工業(yè)，特別是航空、航天以及便攜式計算機、移動通信、汽車及消費類電子領(lǐng)域的急速發(fā)展不斷向電子產(chǎn)品提出更高的要求。電子
4、產(chǎn)品必須具有高智能、功能多、重量輕、體積小、厚度薄、易于攜帶、速度快、可靠性高和價格低的特點。為擺脫產(chǎn)品笨重、體積龐大的束縛，各種產(chǎn)品朝輕薄短小的趨勢發(fā)展，對lc芯片的小面積、高集成度與高散熱率的需求日增，采用系統(tǒng)化高端芯片的比率也相對增加。為順應(yīng)這種發(fā)展趨勢，高端芯片的設(shè)計均向降低耗電量、縮小體積與多功能整合的趨勢發(fā)展，因此各高端芯片設(shè)計公司不斷強化復(fù)合技術(shù)與系統(tǒng)解決方案能力。為滿足集成組件大廠與芯片設(shè)計公司相關(guān)的需求，全球主要專業(yè)代工大廠無不積極發(fā)展更精細的封裝與測試技術(shù)，以共同突破研發(fā)技術(shù)上的瓶頸。為適應(yīng)產(chǎn)品需求，如計算機芯片、繪圖芯片
5、、通信網(wǎng)絡(luò)等輕薄短小產(chǎn)品的快速發(fā)展，同時為順應(yīng)線寬逐漸減小的發(fā)展趨勢，后封裝技術(shù)亦不斷強化封裝間距縮小的能力，以配合日益縮小的芯片面積。由于常用的引線鍵合技術(shù)中焊盤沿芯片四周分布，因此采用減小焊盤尺寸并縮小相鄰焊盤間距是提高封裝密度的最有效的方法，超細間距封裝技術(shù)也應(yīng)運而生。近年來高I／O腳數(shù)及縮小芯片焊盤尺寸與間距的設(shè)計，已成為IC發(fā)展的趨勢，也使得超細間距封裝技術(shù)的重要性與日俱增。現(xiàn)階段光刻技術(shù)的特征尺寸——線寬由0．35微米逐漸縮小為O．25微米、O．18微米至目前90納米。線寬每一次縮小，后封裝焊盤間距也須跟著縮小。對封裝測試廠商而言
6、，芯片面積縮小的效益可直接反應(yīng)在產(chǎn)品成本的大幅降低，同時使Ic芯片體積縮小和芯片功能增加。由于采用細間距封裝，可在更小的裸芯片內(nèi)容納同樣的I／O數(shù)，于是同華中科技大學(xué)碩士學(xué)位論文樣大小的晶圓可產(chǎn)出的數(shù)量更多的芯片，生產(chǎn)的成本相應(yīng)降低。以超細間距封裝技術(shù)作后盾．Ic單位面積的集成度大幅增加，I／O數(shù)也相應(yīng)增多，芯片內(nèi)電路的內(nèi)部連接數(shù)更是倍增，因此在相同單位芯片面積可實現(xiàn)更多的功能。究竟多小的焊盤間距可被歸類為超細間距封裝，事實上并沒有一定的標準范圍，而是在不同時間點上，依照當時的技術(shù)水準，有不同的定義?，F(xiàn)階段，一般認為當焊盤間距≤60LIm時，
7、我們稱此時的引線鍵合工藝為超細間距引線鍵合工藝。隨著芯片結(jié)構(gòu)和焊盤間距逐漸減小，第一鍵合點直徑也越來越小，因此第一鍵合點質(zhì)量的穩(wěn)定性對于超細間距引線鍵合尤其重要。在超細間距鍵合條件下，各鍵合參數(shù)、鍵合工具、金線的微小變化都可能對引線鍵合工藝過程帶來很大的影響。鍵合工藝在不同型號或相同型號不同機器問移植時，機器問的微小差異也會對第一鍵合點質(zhì)量造成很大影響，使機器準備時間增加。因此采用傳統(tǒng)的通過提高鍵合機硬件的精度并且對影響第一鍵合點質(zhì)量的各因素的公差進行比例縮小的方法來開發(fā)適適應(yīng)更小焊盤問距的引線鍵合工藝已很難滿足要求，且這樣開發(fā)的引線鍵合工藝
8、也不穩(wěn)定。而必須對超細焊盤問距條件下各鍵合參數(shù)對鍵合工藝的影響有很充分的了解，并在此基礎(chǔ)上對鍵合機各鍵合參數(shù)進行優(yōu)化使鍵合工藝有較強的適應(yīng)性才能保證鍵合過程的順利進
