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《嵌入式硬件系統(tǒng)-嵌入式存儲技》由會員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在教育資源-天天文庫。
1、制作者程麗嵌入式系統(tǒng)概論第二章嵌入式硬件系統(tǒng)--嵌入式存儲技術(shù)接下來介紹本章第三節(jié)內(nèi)容嵌入式硬件架構(gòu)嵌入式處理器嵌入式存儲技術(shù)接下來介紹概述存儲器的性能指標(biāo)存儲器的分類概述通用計(jì)算機(jī)把應(yīng)用軟件和操作系統(tǒng)放在外存中嵌入式系統(tǒng)的軟件通常直接放在內(nèi)存（如Flash）中，上電之后可以立刻運(yùn)行也有的嵌入式系統(tǒng)的軟件從外存啟動、裝載并運(yùn)行無論如何，需要考慮嵌入式系統(tǒng)的軟件的固化問題考慮存儲器系統(tǒng)時(shí)，還需要考慮嵌入式系統(tǒng)軟件的引導(dǎo)問題接下來介紹概述存儲器的性能指標(biāo)存儲器的分類存儲器的性能指標(biāo)1、易失性易失性是指電源斷開后，存儲器的內(nèi)
2、容是否丟失如果某種存儲器在斷電之后，仍能保存其中的內(nèi)容，則稱為非易失性存儲器；否則，就叫易失性存儲器只讀存儲器（ROM）是非易失性的，隨機(jī)存儲器（RAM）是易失性的存儲器的性能指標(biāo)2、只讀性若存儲器中寫入數(shù)據(jù)后，只能被讀出，但不能用通常的辦法重寫或改寫，那么這種存儲器就叫只讀存儲器，即ROM若存儲器在寫入數(shù)據(jù)后，既可對它進(jìn)行讀出，又可再對它寫入，那么就叫可讀/寫存儲器，有時(shí)叫做隨機(jī)存儲器存儲器的性能指標(biāo)3、位容量由大規(guī)模集成電路構(gòu)成的半導(dǎo)體存儲器件常用位容量來表示其存儲功能應(yīng)該采用位容量高的器件接下來介紹概述存儲器的性
3、能指標(biāo)存儲器的分類存儲器的分類按存儲介質(zhì)分類半導(dǎo)體存儲器、磁表面存儲器、光表面存儲器按存儲器的讀寫功能分類只讀存儲器（ROM）、隨機(jī)存儲器(RAM）按在微機(jī)系統(tǒng)中的作用分類主存儲器、輔助存儲器、高速緩沖存儲器半導(dǎo)體存儲器半導(dǎo)體存儲器主要包括隨機(jī)存儲器RAM和只讀存儲器兩類ROMRAM隨機(jī)存儲器與磁盤不同，可以以任意次序被讀/寫操作，而不象磁盤那樣需要按照一定的順序進(jìn)行讀/寫操作，所以叫做隨機(jī)存儲器RAM存儲器分為兩種:靜態(tài)RAM（SRAM）動態(tài)RAM（DRAM）RAMSRAM與DRAM間的主要區(qū)別是存儲于其中的數(shù)據(jù)的壽
4、命SRAM是只要芯片有電就會保留其中的內(nèi)容。然而，如果電源切斷了或者是暫時(shí)斷電了，其中的內(nèi)容就會永久的丟失DRAM只有極短的數(shù)據(jù)壽命，通常不超過0.25s，即使是在連續(xù)供電的情況下也是如此。因此使用DRAM時(shí)，需要配合DRAM控制器RAMSRAM和DRAM的特點(diǎn)比較如下：SRAM比DRAM快；工作時(shí)，SRAM比DRAM耗電多；DRAM的存儲密度大于SRAM，在一個(gè)芯片上可以放置更多的DRAM；DRAM需要周期性刷新，需要使用專用的DRAM控制器；關(guān)于價(jià)格，小容量使用時(shí)，SRAM是比較適宜的；大容量使用時(shí)，DRAM比較經(jīng)
5、濟(jì)，特別是RAM系統(tǒng)的容量越大，DRAM的綜合成本越低。ROM只讀存儲器（ROM）家族中的存儲器是按照向其中寫入新數(shù)據(jù)的方法（通常叫作編程）及其可以重寫的次數(shù)來劃分的ROM主要包括:掩膜只讀存儲器ROM可編程只讀存儲器PROM可擦除只讀存儲器EPROM電擦除的只讀存儲器EEPROMFlash它們能夠永久保存數(shù)據(jù)和程序，即使在斷電之后，也能保存如初FlashNorFlash是在EEPROM基礎(chǔ)上發(fā)明的。Intel公司于1983年首次提出，在1988年商品化。NandFlash是1989年東芝公司和三星公司發(fā)明的。Flas
6、h十幾年以來，世界主要閃存生產(chǎn)商分成Nor和Nand兩大技術(shù)陣營，積極開展研發(fā)和生產(chǎn)。Nor陣營主要有Intel和AMD公司Nand陣營主要有Toshiba和Samsung公司FlashNandFlash可獨(dú)立成為外存，也可組成其他各種類型的電子盤如USB盤、CF、SD和MMC存儲卡等。NandFlash強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。NandFlash具有容量大、回寫速度快、芯片面積小等特點(diǎn)，主要用于外存。NORFlash具有隨機(jī)存儲速度快、電壓低、功耗低、穩(wěn)定性高等特點(diǎn)，主要用
7、于主存。存儲器的特點(diǎn)RAM：隨機(jī)存取存儲器，SRAM：靜態(tài)隨機(jī)存儲器，DRAM：動態(tài)隨機(jī)存儲器1）SRAM比DRAM快2）SRAM比DRAM耗電多3）DRAM存儲密度比SRAM高得多4）DRAM需要周期性刷新ROM：只讀存儲器FLASH：閃存CPU內(nèi)部寄存器高速緩存片外高速存儲器（SRAM、SDRAM、DRAM）主存儲器（FLASH、EEPROM、硬磁盤）外部存儲器(磁盤、光盤、CF卡、SD卡)遠(yuǎn)程二級存儲器(分布式文件系統(tǒng)、WEB服務(wù)器)存儲器系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu)為了解決CPU與主存儲器速度差所采取的措施有： （1）CPU
8、內(nèi)部設(shè)置多個(gè)通用寄存器 （2）采用多存儲模塊交叉存取 （3）采用高速緩沖存儲器（Cache）存儲器系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu)從上而下，依次：速度更慢容量更大訪問頻率更小造價(jià)更便宜ThankYou!
