微電子材料制備論文

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1、《微電子材料制備技術(shù)》課程論文《微電子材料制備》課程論文題目：ZnO薄膜材料制備技術(shù)及應(yīng)用專業(yè)班級(jí)：通信103班學(xué)生姓名：XXX成績(jī)：2012年12月15日《微電子材料制備技術(shù)》課程論文I《微電子材料制備技術(shù)》課程論文摘要近幾年，ZnO作為寬禁帶半導(dǎo)體受到人們?cè)絹?lái)越多的重視。和目前最成功的寬禁帶半導(dǎo)體材料GaN相比，ZnO具有很多優(yōu)點(diǎn)。本文綜述了ZnO薄膜的制備的主要方法及其優(yōu)缺點(diǎn)。并深入探討了ZnO薄膜材料的應(yīng)用及其發(fā)展前景。關(guān)鍵詞：ZnO薄膜；應(yīng)用；微電子；I《微電子材料制備技術(shù)》課程論文II《微電子材料制備技術(shù)》課程論文AbstractInrecentyears,Zn

2、Oaswidebandgapsemiconductorgetsmoreandmoreattention.AndthemostsuccessfulwidebandgapsemiconductormaterialthanGaN,ZnOhasmanyadvantages.ThispaperreviewsthepreparationofZnOthinfilmofthemainmethodsandtheiradvantagesanddisadvantages.AndprobesintotheZnOthinfilmmaterialsapplicationanddevelopmentpr

3、ospect.Keywords:ZnOfilm;Applications;Microelectronics;II《微電子材料制備技術(shù)》課程論文II《微電子材料制備技術(shù)》課程論文11《微電子材料制備技術(shù)》課程論文11《微電子材料制備技術(shù)》課程論文第1章緒論1.1課題背景近幾年．由于短波長(zhǎng)激光二極管LD激光器的前景，人們對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體的研究產(chǎn)生了極大的興趣。目前已經(jīng)制造出GaN和ZnSe基的藍(lán)光發(fā)光二極管和激光器。藍(lán)色發(fā)光器件的研制成功，使得全色顯示成為可能，而且可以制作出高亮度和高效率的白光發(fā)射器件。本文系統(tǒng)綜述了Zn0薄膜的制備的主要方法及其優(yōu)缺點(diǎn)。并探討Zn0薄膜材料的應(yīng)

4、用前景。陶瓷、光學(xué)玻璃、單晶硅或其他人工晶體等無(wú)機(jī)非金屬材料表面經(jīng)常需要導(dǎo)電互連或其他表面功能化加工,如陶瓷基印制電路板、多層芯片封裝、微電子和微機(jī)械器件等。這些材料,特別是先進(jìn)無(wú)機(jī)材料表面的金屬化已成為特別重要的工藝技術(shù)。從冶金學(xué)觀點(diǎn)看,這些材料與其表面金屬覆蓋層之間的交互作用之中,延晶、擴(kuò)散和鍵合的作用十分微弱。因而,形貌的影響顯得比較突出。為了盡可能地提高基體與鍍層之間的結(jié)合力,這些材料在鍍前必須進(jìn)行刻蝕處理,適當(dāng)?shù)卦龃蠊ぜ砻娴拇植诙群徒佑|面積,以便獲得理想的表面形貌和潤(rùn)濕性能。同樣,在賦予基體表面催化活性的工藝流程,如表面調(diào)整、催化和解膠等工序操作時(shí)必須小心謹(jǐn)慎。

5、盡管如此,結(jié)合力仍然不高。早期曾采用過(guò)物理方法沉積金屬使非金屬工件表面具有導(dǎo)電性能,然后電鍍?cè)龊褡鳛檠b飾性鍍層。近代也有采用氣相沉積(PVD、CVD等)、離子注入、激光表面熔覆等表面改性技術(shù)作為鍍前處理方法,極大地提高了金屬化層的結(jié)合力。然而,這些工藝同時(shí)也受到物理場(chǎng)強(qiáng)分布不均勻、真空室容積有限、生產(chǎn)效率較低等制約。由于在某些情況下化學(xué)鍍具有不可替代的優(yōu)越性,采用物理方法與化學(xué)方法、干法與傳統(tǒng)濕法工藝相結(jié)合的技術(shù)路線就有可能取得突破,至少可能獲得長(zhǎng)足的進(jìn)步。在高技術(shù)產(chǎn)業(yè)已經(jīng)出現(xiàn)了這種“向上兼容”的趨勢(shì)。噴霧熱解法制備ZnO薄膜的初始目標(biāo)是研究開發(fā)一種透明的導(dǎo)電材料。近來(lái)發(fā)現(xiàn)

6、它作為中間層,顯著地提高了金屬化層在高光潔度的無(wú)機(jī)非金屬材料表面的結(jié)合力;ZnO薄膜的光催化反應(yīng)特性有可能使其成為一種創(chuàng)新性的全加法工藝。這一發(fā)現(xiàn)目前正受到國(guó)際電化學(xué)和固體電子科技界的高度重視。11《微電子材料制備技術(shù)》課程論文1.1ZnO薄膜性質(zhì)1.2.1光電特性ZnO薄膜是直接帶隙半導(dǎo)體，具有很好的光電性質(zhì)，對(duì)紫外光有較為強(qiáng)烈的吸收，在可見(jiàn)光區(qū)，光透過(guò)率接近90%。ZnO薄膜的光電特性與其化學(xué)組成、能帶結(jié)構(gòu)、氧空位數(shù)量及結(jié)晶密度相關(guān)，在適當(dāng)?shù)闹苽錀l件及摻雜條件下，ZnO薄膜表現(xiàn)出很好的低阻特征，使其成為一種重要的電極材料，如太陽(yáng)能電池的電極、液晶元件電極等。用氫等離子處

7、理的ZnO:Ga薄膜也可用于太陽(yáng)能電池，η=13%。高的光透過(guò)率和大的禁帶寬度使其可作太陽(yáng)能電池窗口材料、低損耗光波導(dǎo)器件及紫外光探測(cè)器等。而它的發(fā)光性質(zhì)及電子輻射穩(wěn)定性則使其成為一種很好的單色場(chǎng)發(fā)射低壓平面顯示器材料，并在紫外光二極管激光器等發(fā)光器件領(lǐng)域有潛在的應(yīng)用前景。尤其是ZnO光泵浦紫外激光的獲得和自形成諧振腔的發(fā)現(xiàn)更加激起了人們對(duì)其研究的熱情。同時(shí)由于ZnO對(duì)光波具有的選擇性(可見(jiàn)光區(qū)的高透射性和紅外光區(qū)的高反射性)，可作為一種熱鏡材料來(lái)制成低輻射幕墻玻璃。ZnO在室溫時(shí)典型的PL譜中在3.30eV(37