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1、柳州職業(yè)技術學院計算機課程2004年微機組裝與維護第2章計算機硬件組成內存編主講教師：譚耀堅2.3內存2.3.1內存分類一：ROMA:EPROM2.3內存2.3.1內存分類一：ROMB:FLASHMEMORY2.3內存2.3.1內存分類二：RAMA:SRAM用觸發(fā)器工作，體積龐大，不易集成。但速度快。2.3內存2.3.1內存分類二：RAMB:DRAM用電容工作，體積小，易集成。但要刷新。1.SDRAMSDRAM-SD（SynchronousDynamic）RAM也稱為“同步動態(tài)內存”，是168線，帶寬64bit，工作電壓
2、為3.3V。它的工作原理是將RAM與CPU以相同的時鐘頻率進行控制，使RAM和CPU的外頻同步，徹底取消等待時間，所以它的數據傳輸速度比早期的EDORAM快了13%以上。同時由于采用64bit的數據寬，所以只需一根內存條就可以安裝使用。2.3內存2.3.1內存分類二：RAMB:DRAM用電容工作，體積小，易集成。但要刷新。a.SDRAM2.3內存2.3.1內存分類二：RAMB:DRAM用電容工作，體積小，易集成。但要刷新。b.DDRSDRAM－DDR（DoubleDataRateDRAM），它是在SDRAM的基礎上，利用
3、時鐘脈沖的上升沿和下降沿傳輸數據，因此不需提高工作頻率就能成倍提高DRAM的速度，而且制造成本并不高。DDR發(fā)展很快，從剛開始時的DDR200、DDR266，已經發(fā)展到了現在的DDR333、DDR400。2.3內存2.3.1內存分類二：RAMB:DRAM用電容工作，體積小，易集成。但要刷新。b.DDR2.3內存2.3.1內存分類*關于內存表示：早期JEDEC規(guī)定的DDR標準并不是以“DDRXXX”來標識，而都是以內存的帶寬來標識的，如DDR266應為PC2100、DDR333應為PC2700。只是大家都已經習慣了速度來標
4、識內存，所以“DDRXXX”也就成為了一種默認的標準。換算：位寬X頻率X倍頻/8（結果為MB/S,即M字節(jié)每秒。)若不除8,則結果為Mb/s,即M比特每秒。2.3內存2.3.1內存分類二：RAMB:DRAM用電容工作，體積小，易集成。但要刷新。c.rambusRambus（DirectRambusDRAM），也叫RDRAM，Rambus是Intel所推崇的未來內存的發(fā)展方向，它將RISC（精簡指令集）引入其中，依靠高時鐘頻率來簡化每個時鐘周期的數據量。它具有相對SDRAM較高的工作頻率（300MHz以上），但其數據通道接
5、口帶寬較低，只有16bit。當工作時鐘為400MHz時，Rambus利用時鐘的上沿和下沿分別傳輸數據，因此它的數據傳輸率能達到400X16X2/8=1.6GB/秒。2.3內存2.3.1內存分類二：RAMB:DRAM用電容工作，體積小，易集成。但要刷新。c.rambus由于工作頻高，發(fā)熱量大，故規(guī)定用金屬片散熱.2.3內存2.3.2內存性能指標一：Tck,時鐘周期它代表SDRAM所能運行的最大頻率。顯然這個數字越小說明SDRAM芯片所能運行的頻率就越高。如，對于一片普通的PC100SDRAM來說，它芯片上的標識10代表了它
6、的運行時鐘周期為10ns，即可以在100MHZ的外頻下正常工作。目前一般可有133/166/200MHz,寫成周期則為7ns,6ns,5ns。2.3內存2.3.2內存性能指標一：Tck,時鐘周期2.3內存2.3.2內存性能指標二：Tac,存取時間(時鐘觸發(fā)后的訪問時間)由于芯片體積的原因，存儲單元中的電容容量很小，所以信號要經過放大來保證其有效的識別性，要有一個準備時間才能保證信號的發(fā)送強度.故盡管此時數據已經被觸發(fā)，但要經過一定的驅動時間才最終傳向數據I/O總線進行輸出，這段時間我們稱之為tAC（AccessTimef
7、romCLK，時鐘觸發(fā)后的訪問時間）。tAC的單位是ns，對于不同的頻率各有不同的明確規(guī)定，但必須要小于一個時鐘周期，否則會因訪問時過長而使效率降低。2.3內存2.3.2內存性能指標二：Tac,存取時間目前大多數SDRAM芯片的存取時間為5、6、7、8或10ns。如LG的PC100SDRAM芯片上的標識為7J或7K，將說明它的存取時間為7ns，但它的系統(tǒng)時鐘頻率依然是10ns，外頻為100MHz。它們的數值肯定要比其時鐘周期小。2.3內存2.3.2內存性能指標三：Cl,CAS的延遲時間要讀數據，先發(fā)出行地址（RAS),等
8、若干周期后發(fā)出列地址（CAS），（它們共用數據線）此時間間隔為Trcp。兩個地址到達后方可進行讀/寫（發(fā)指令）.2.3內存2.3.2內存性能指標三：CL，CAS的延遲時間讀取數據的周期(CLK)已開始，但存儲體中晶體管的反應時間仍會造成數據不可能與CAS在同一上升沿（T0）觸發(fā)，肯定要延后至少一個時鐘周期(T2),才
