硅集成電路制造工藝

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1、SiliconVLSITechnology硅基大規(guī)模集成電路制作技術(shù)集成電路的發(fā)展單個器件的尺寸越來越小晶片的尺寸越來越大器件變小減小光刻的特征線寬（Lateralfeaturesize)從設(shè)計上縮小器件的尺寸設(shè)計功能強大，集成度更高的器件晶片變大硅晶的生產(chǎn)工藝提高，可以生成更大直徑的晶體薄膜生長，光刻，蝕刻等制作工藝的性能提高制作生產(chǎn)線的改進Moore’sLaw半導(dǎo)體材料：硅1960年以前，Ge和GaAs占半導(dǎo)體的主導(dǎo)地位。1953年，Brattain和Bardeen發(fā)現(xiàn)可以利用氧氣，水等使半導(dǎo)體表面氧化；1960年，高質(zhì)量的SiO2

2、直接生長在Si表面1947年，第一個點接觸式半導(dǎo)體器件（復(fù)合鍺晶體）誕生，兩年后基于單晶硅的器件產(chǎn)生硅還具有其它良好特性，自此以后成為半導(dǎo)體領(lǐng)域的主導(dǎo)者IntelCPU的發(fā)展例：SiliconIC關(guān)鍵步驟或工藝晶體生長光刻氧化擴散離子注入蝕刻薄膜生長后道工藝光刻掩膜和套刻Photolithography氧化薄膜生長薄膜外延生長刻蝕離子注入CMOS工藝固體物理知識半導(dǎo)體摻雜PNJunction二極管MOS電容nMOSFET,pMOSFETMOSFETMOSFET工作原理

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