mos管驅(qū)動(dòng)電流計(jì)算資料

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1、第一種:可以使用如下公式估算:Ig=Qg/Ton其中:Ton=t3-t0≈td(on)+trtd(on):MOS導(dǎo)通延遲時(shí)間,從有駛?cè)腚妷荷仙?0%開(kāi)始到VDS下降到其幅值90%的時(shí)間。Tr:上升時(shí)間。輸出電壓VDS從90%下降到其幅值10%的時(shí)間Qg=(CEI)(VGS)或Qg=Qgs+Qgd+Qod(可在datasheet中找到)?第二種:(第一種的變形)密勒效應(yīng)時(shí)間(開(kāi)關(guān)時(shí)間)Ton/off=Qgd/Ig;Ig=[Vb-Vgs(th)]/Rg;Ig:MOS柵極驅(qū)動(dòng)電流;Vb:穩(wěn)態(tài)柵極驅(qū)動(dòng)電壓;?第三種:以IR的IRF640為例,看DATASHEET里有條TotalGateCha

2、rge曲線(xiàn)。該曲線(xiàn)先上升然后幾乎水平再上升。水平那段是管子開(kāi)通(密勒效應(yīng))假定你希望在0.2us內(nèi)使管子開(kāi)通,估計(jì)總時(shí)間(先上升然后水平再上升)為0.4us,由Qg=67nC和0.4us可得:67nC/0.4us=0.1675A,當(dāng)然,這是峰值,僅在管子開(kāi)通和關(guān)短的各0.2us里有電流,其他時(shí)間幾乎沒(méi)有電流,平均值很小,但如果驅(qū)動(dòng)芯片不能輸出這個(gè)峰值,管子的開(kāi)通就會(huì)變慢。

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