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《國(guó)外紅外探測(cè)器材料技術(shù)新進(jìn)展》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫(kù)。
1、萬(wàn)方數(shù)據(jù)第32卷2009年第3期5月兵器材料科學(xué)與工程ORDNANCEMATERIALSCIENCEANDENGINEERINGV01．32No．3May，2009國(guó)外紅外探測(cè)器材料技術(shù)新進(jìn)展郭瑞萍1，李靜1，孫葆森2(1．北方科技信息研究所，北京100089；2．中國(guó)兵器科學(xué)研究院寧波分院，浙江寧波315103)摘要紅外探測(cè)器材料是光電子材料的重要一類。近十幾年來(lái)受到國(guó)內(nèi)外學(xué)者的廣泛關(guān)注和研究。綜述美、法等國(guó)有關(guān)碲鎘汞、量子阱制冷型紅外探測(cè)器材料以及非晶硅、VO。、氧化物晶體、熱釋電陶瓷等非制冷紅外探測(cè)器材料的研究現(xiàn)狀，對(duì)它們各自的特點(diǎn)及發(fā)展作了較為詳細(xì)的評(píng)述?？梢灶A(yù)測(cè)，多色、大規(guī)格
2、、異質(zhì)外延碲鎘汞薄膜材料和低成本、高靈敏度非制冷材料是紅外探測(cè)器材料技術(shù)的主要發(fā)展方向。關(guān)鍵詞碲鎘汞；量子阱；綜述；非制冷；紅外探測(cè)器材料中圖分類號(hào)TN21文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼A文章編號(hào)1004—244X(2009)03-009伽3NewdevelopmentofforeigninfrareddetectormaterialtechnologyGUORuipin91，LIJin91，SUNBaosen2(1．NorthInstituteforScientific＆TechnologyInformation．Beijing100089．China；2．NingboBranchofChinaAcad
3、emyofOrdnanceScience，Ninsha315103，China)Ahm．a(chǎn)etInfrareddetectormaterialisonekindofimportantoptoelectronicmaterialwhichhasbeenwidelyconcerned刪studiedbydomesticandoverseasresearchersinrecent10弦岫．ThisarticlereviewsthepresentreasearchsituationofHgCdTe，QuantumWellcooledinfrareddetectormaterialandsuch
4、uncooledinfrareddetectormateriala8amorphousBilicon，VO，，oxidecrystal。pyroelectricceramicintheUSandFranceetc．Thecharacteristicsanddevelopmentofthemhavebeendiscussed．Itispointedthatmulti-color，la呼format，heteroepitaxialHSCdTethinfilmmaterialandlowcost，llighsensitiveuncoolmaterialwillbethedevelopment
5、directionoftheinfrareddetectormaterial．KeyminisHgCdTe；QWIP；reveiw；uncooled；infrareddetectormaterials在現(xiàn)代戰(zhàn)爭(zhēng)所用電子裝備中。紅外熱成像技術(shù)對(duì)提高夜視、防空和偵察能力起著十分重要的作用。20世紀(jì)70年代末期和80年代初研制的第一代HgCd代光導(dǎo)通用組件在軍事電子裝備中得到了廣泛應(yīng)用，目前正面臨著進(jìn)一步提高性能和降低成本的要求。為滿足夜視、火控、偵察、監(jiān)視、精確制導(dǎo)和光電對(duì)抗等軍事應(yīng)用．需要發(fā)展高密度的第二代焦平面探測(cè)器和第三代大規(guī)格、多色、非制冷的焦平面探測(cè)器，這對(duì)紅外探測(cè)器及其材料提出
6、了新的更高的要求，必須提高原有探測(cè)器材料的性能．并開發(fā)新型的材料。目前，國(guó)外主要發(fā)展的紅外探測(cè)器材料有碲鎘汞紅外探測(cè)器材料、量子阱紅外探測(cè)器材料以及非制冷型紅外探測(cè)器材料。1碲鎘汞(HgCdTe)紅外探測(cè)器材料碲鎘汞(Hg．-ICdITe)是直接帶隙半導(dǎo)體，在制備過(guò)程中適當(dāng)?shù)乜刂平M分的x值，就可使其帶隙在0—1．45eV問(wèn)變化，理論上可以探測(cè)l弘m以上所有波長(zhǎng)的紅外輻射，具有中波紅外、長(zhǎng)波紅外和超長(zhǎng)波紅外的波長(zhǎng)靈活性和多色能力。而且，碲鎘汞的有效質(zhì)量小、電子遷移率高、少子壽命長(zhǎng)。能夠達(dá)到80％左右的極高量子效率。所有這些優(yōu)點(diǎn)使其成為紅外探測(cè)器中應(yīng)用最收稿日期：2008-05—22；修回
7、日期：2009-01-05作者簡(jiǎn)介：韓瑞萍．女．副研究員。E-mail：guon∞O@hotmall．c鋤。廣泛、最重要的材料。早期的碲鎘汞材料使用體單晶技術(shù)制備，但自20世紀(jì)80年代國(guó)外已開始把碲鎘汞材料的生長(zhǎng)重點(diǎn)由體材料轉(zhuǎn)向了外延薄膜材料。近年來(lái)隨著分子束外延技術(shù)的迅速發(fā)展，H西dTe薄膜材料也取得了較大的進(jìn)展。主要體現(xiàn)在大規(guī)格Si、Ge襯底碲鎘汞薄膜材料以及多色異質(zhì)外延碲鎘汞薄膜材料技術(shù)方面．以適應(yīng)紅外焦平面器件對(duì)材料的大面積、均勻、高性
