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《內(nèi)存時序詳解》由會員上傳分享，免費在線閱讀，更多相關內(nèi)容在工程資料-天天文庫。
1、內(nèi)存時序詳解超頻內(nèi)存的時候有兩種，一種是提高內(nèi)存的主頻，這個可以使得內(nèi)存的讀寫數(shù)據(jù)的速度更快，類似高速公路上的車速，而內(nèi)存時序是指控制內(nèi)存數(shù)據(jù)讀寫指令的速度，類似收費口，路上的車速再快最終也是要上下高速公路的，只不過并不是只有一個口，因此內(nèi)存時序只要夠用就可以了。內(nèi)存頻率和時序的超頻都有可能導致內(nèi)存的不穩(wěn)定，導致無法開機，解決辦法就是清BIOS恢復BIOS的默認設置。內(nèi)存時序一種參數(shù)，一般存儲在內(nèi)存條的SPD上。2-2-2-84個數(shù)字的含義依次為：CASLatency（簡稱CL值）內(nèi)存CAS延遲時間，他是內(nèi)存的重要參數(shù)之一，某些牌子的內(nèi)存會把CL值印在內(nèi)存條的標簽上。RA
2、S－to－CASDelay（tRCD），內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時間。Row－prechargeDelay（tRP），內(nèi)存行地址選通脈沖預充電時間。Row－activeDelay（tRAS），內(nèi)存行地址選通延遲。這是玩家最關注的4項時序調(diào)節(jié)，在大部分主板的BIOS中可以設定，內(nèi)存模組廠商也有計劃的推出了低于JEDEC認證標準的低延遲型超頻內(nèi)存模組，在同樣頻率設定下，最低“2-2-2-5”這種序列時序的內(nèi)存模組確實能夠帶來比“3-4-4-8”更高的內(nèi)存性能，幅度在3至5個百分點。在一些技術文章里介紹內(nèi)存設置時序參數(shù)時，一般數(shù)字“A-B-C-D”分別對應的參數(shù)是“CL-t
3、RCD-tRP-tRAS”，現(xiàn)在你該明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就這幾個參數(shù)及BIOS設置中影響內(nèi)存性能的其它參數(shù)逐一給大家作一介紹：一、內(nèi)存延遲時序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的設置首先，需要在BIOS中打開手動設置，在BIOS設置中找到“DRAMTimingSelectable”，BIOS設置中可能出現(xiàn)的其他描述有：AutomaticConfiguration、DRAMAuto、TimingSelectable、TimingConfiguringBySPD等，將其值設為“Menual”（視BIOS的不同可能的選項有：On/Off或Enab
4、le/Disable），如果要調(diào)整內(nèi)存時序，應該先打開手動設置，之后會自動出現(xiàn)詳細的時序參數(shù)列表：CommandPerClock(CPC)可選的設置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。CommandPerClock(CPC：指令比率，也有翻譯為：首命令延遲)，一般還被描述為DRAMCommandRate、CMDRate等。由于目前的DDR內(nèi)存的尋址，先要進行P-Bank的選擇（通過DIMM上CS片選信號進行），然后才是L-Bank/行激活與列地址的選擇。這個參數(shù)的含義就是指在P-Bank選擇完之后多少時間可以發(fā)出具體的尋址的L-Bank/行激活命令，
5、單位是時鐘周期。顯然，也是越短越好。但當隨著主板上內(nèi)存模組的增多，控制芯片組的負載也隨之增加，過短的命令間隔可能會影響穩(wěn)定性。因此當你的內(nèi)存插得很多而出現(xiàn)不太穩(wěn)定的時間，才需要將此參數(shù)調(diào)長。目前的大部分主板都會自動設置這個參數(shù)。該參數(shù)的默認值為Disable(2T)，如果玩家的內(nèi)存質(zhì)量很好，則可以將其設置為Enable(1T)。CASLatencyControl(tCL)可選的設置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。一般我們在查閱內(nèi)存的時序參數(shù)時，如“3-4-4-8”這一類的數(shù)字序列，上述數(shù)字序列分別對應的參數(shù)是“CL-tRCD-tRP-tRAS”
6、。這個3就是第1個參數(shù)，即CL參數(shù)。CASLatencyControl(也被描述為tCL、CL、CASLatencyTime、CASTimingDelay)，CASlatency是“內(nèi)存讀寫操作前列地址控制器的潛伏時間”。CAS控制從接受一個指令到執(zhí)行指令之間的時間。因為CAS主要控制十六進制的地址，或者說是內(nèi)存矩陣中的列地址，所以它是最為重要的參數(shù)，在穩(wěn)定的前提下應該盡可能設低。內(nèi)存是根據(jù)行和列尋址的，當請求觸發(fā)后，最初是tRAS（ActivetoPrechargeDelay），預充電后，內(nèi)存才真正開始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（RowAddressStr
7、obe）開始進行需要數(shù)據(jù)的尋址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期結(jié)束，接著通過CAS訪問所需數(shù)據(jù)的精確十六進制地址。期間從CAS開始到CAS結(jié)束就是CAS延遲。所以CAS是找到數(shù)據(jù)的最后一個步驟，也是內(nèi)存參數(shù)中最重要的。這個參數(shù)控制內(nèi)存接收到一條數(shù)據(jù)讀取指令后要等待多少個時鐘周期才實際執(zhí)行該指令。同時該參數(shù)也決定了在一次內(nèi)存突發(fā)傳送過程中完成第一部分傳送所需要的時鐘周期數(shù)。這個參數(shù)越小，則內(nèi)存的速度越快。必須注意部分內(nèi)存不能運行在較低的延遲，可能會丟失數(shù)據(jù)，因此在提醒大家把CAS延遲設為2或2.5的同時，如果不穩(wěn)定就只有
