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1、三極管與場效應(yīng)管的區(qū)別場效應(yīng)管是場效應(yīng)晶體管(FieldEffectTransistor,FET)的簡稱。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件,具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)?、受溫度和輻射影響小等?yōu)點(diǎn),特別適用于高靈敏度和低噪聲的電路,現(xiàn)已成為普通晶體管的強(qiáng)大競爭者。??普通晶體管(三極管)是一種電流控制元件,工作時,多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都參與運(yùn)行,所以被稱為雙極型晶體管;而場效應(yīng)管(FET)是一種電壓控制器件(改變其柵源電壓就可以改變其漏極電流),工作時,只有一種載流子參與導(dǎo)電,因此它是單極型晶體管。????場效應(yīng)管和三極管一樣都能實(shí)現(xiàn)信號的控制和放大,但
2、由于他們構(gòu)造和工作原理截然不同,所以二者的差異很大。在某些特殊應(yīng)用方面,場效應(yīng)管優(yōu)于三極管,是三極管無法替代的,三極管與場效應(yīng)管區(qū)別見下表。??場效應(yīng)管是電壓控制元件,而三極管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下,應(yīng)選用場效應(yīng)管。而在信號源電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應(yīng)用三極管。??場效應(yīng)管靠多子導(dǎo)電,管中運(yùn)動的只是一種極性的載流子;三極管既用多子,又利用少子。由于多子濃度不易受外因的影響,因此在環(huán)境變化較強(qiáng)烈的場合,采用場效應(yīng)管比較合適。???場效應(yīng)管的輸入電阻高,適用于高輸入電阻的場合。場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)小,適用于低噪聲放大器的前置級。場效應(yīng)管與雙極
3、型三極管的比較:1、普通三極管參與導(dǎo)電的,既有多數(shù)載流子,又有少數(shù)載流子,故稱為雙極型三極管;而在場效應(yīng)管中只是多子參與導(dǎo)電,故又稱為單極型三極管。因少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大,所以場效應(yīng)管比三極管的溫度穩(wěn)定性好、抗輻射能力強(qiáng)、噪聲系數(shù)很小。在環(huán)境條件(溫度等)變化很大的情況下應(yīng)選用場效應(yīng)管。2、三極管是電流控制器件,通過控制基極電流到達(dá)控制輸出電流的目的。因此,基極總有一定的電流,故三極管的輸人電阻較低;場效應(yīng)管是電壓控制器件,其輸出電流決定于柵源極之間的電壓,柵極基本上不取電流,因此,它的輸入電阻很高,可達(dá)109~1014Ω。高輸入電阻是場效應(yīng)管的突出優(yōu)點(diǎn)。3、場效應(yīng)管的
4、漏極和源極可以互換(某些),耗盡型絕緣柵管的柵極電壓可正可負(fù),靈活性比三極管強(qiáng)。但要注意,分立的場效應(yīng)管,有時已經(jīng)將襯底和源極在管內(nèi)短接,源極和漏極就不能互換使用了。4、場效應(yīng)管和三極管都可以用于放大或作可控開關(guān)。但場效應(yīng)管還可以作為壓控電阻使用,可以在微電流、低電壓條件下工作,具有功耗低,熱穩(wěn)定性好,容易解決散熱問題,工作電源電壓范圍寬等優(yōu)點(diǎn),且制作工藝簡單,易于集成化生產(chǎn),因此在目前的大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路中,MOS管占主要地位。5、MOS管具有很低的級間反饋電容,一般為5—10pF,而三極管的集電結(jié)電容一般為20pF左右。6、場效應(yīng)管組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組
5、成放大電路的電壓放大系數(shù)。7、由于MOS觀的柵源極之間的絕緣層很薄,極間電容很小,而柵源極之間電阻又很大,帶電物體靠近柵極時,柵極上感應(yīng)少量電荷產(chǎn)生很高的電壓,就很難放掉,以至于柵源極之間的絕緣層擊穿,造成永久性損壞。因此管子存放時,應(yīng)使柵極與源極短接,避免柵極懸空。尤其是焊接MOS管時,電烙鐵外殼要良好接地。8、BJT是利用小電流的變化控制大電流的變化;JFET是利用PN結(jié)反向電壓對耗盡層厚度的控制,來改變導(dǎo)電溝道的寬窄,從而控制漏極電流的大??;MOSEFET是利用柵源電壓的大小,來改變半導(dǎo)體表面感生電荷的多少,從而控制漏極電流的大小。9、場效應(yīng)管的噪聲系數(shù)很小,在低噪聲放大電路的
6、輸入級及要求信噪比較高的電路中要選用場效應(yīng)管。10、三極管導(dǎo)通電阻大,場效應(yīng)管導(dǎo)通電阻小,只有幾百毫歐姆,在現(xiàn)在的用電器件上,一般都用場效應(yīng)管做開關(guān)來用,他的效率是比較高的。11、場效應(yīng)管G極必須有一個對地的放電電阻,不然上電就燒,而三極管基極不需要12、場效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應(yīng)管集成在一塊硅片上,因此場效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用MOSFET用雙極性三極管的代替方法:一般說來,雙極性三極管不能直接代替MOSFET,這是因?yàn)樗鼈兊目刂铺匦圆灰粯?,MOSFET是電壓控制的器件,而雙極性三極管是電流控制的器件。MOS
7、FET的控制電路是電壓型的,雙極性三極管不能直接代換MOSFET的,原驅(qū)動MOSFET的電路由于驅(qū)動電流太小,不足于驅(qū)動雙極性三極。要想用原電路驅(qū)動雙極性三極管,必須要在雙極性三極管之前加裝電流放大裝置。基于這個思想,在雙極性三極管之前加裝電流放大器,把電壓驅(qū)動改為了電流驅(qū)動,即可代換成功。MOS器件保護(hù)措施:1、MOS器件出廠時通常裝在黑色的導(dǎo)電泡沫塑料袋中,切勿自行隨便拿個塑料袋裝。也可用細(xì)銅線把各個引腳連接在一起,或用錫紙包裝。2、取出的MOS器件不