VoLTE MOS優(yōu)化思路及方法V1

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1、兩維四階MOS問(wèn)題定位分析一、VoLTE語(yǔ)音MOS采樣點(diǎn)機(jī)制?VoLTE語(yǔ)音MOS采樣機(jī)制如下：?（1）主叫起呼，進(jìn)行錄音（8s左右）；?（2）被叫放音，主叫收音，被叫記錄第1個(gè)MOS采樣點(diǎn)（8s）；?（3）主叫放音，被叫收音，主叫記錄第1個(gè)MOS采樣點(diǎn)（8s）；?（4）被叫放音，主叫收音，被叫記錄第2個(gè)MOS采樣點(diǎn)（8s，與第1個(gè)采樣點(diǎn)間隔16s）；?（5）主叫放音，被叫收音，主叫記錄第2個(gè)MOS采樣點(diǎn)（8s，與第1個(gè)采樣點(diǎn)間隔16s）；?（6）被叫放音，主叫收音，被叫記錄第3個(gè)MOS采樣點(diǎn)（8s），如此類推…二

2、、VoLTE語(yǔ)音MOS問(wèn)題定位分析方法?通過(guò)兩維四階方法分析后中山MOS從8月份的88.99%上升到9月份的93%左右，高于省公司基準(zhǔn)值90%。兩維　　前臺(tái)分析　　炎強(qiáng)分析　　　　　　四階　無(wú)線問(wèn)題　基站問(wèn)題　語(yǔ)音編碼與參數(shù)設(shè)置　核心網(wǎng)/傳輸　　由于無(wú)線環(huán)境引起覆蓋問(wèn)題、干擾、切換過(guò)多等原因　由于基站故障或者隱性故障導(dǎo)致閃斷、質(zhì)差問(wèn)題及基站擁塞　由于引用的語(yǔ)音編碼方式設(shè)置問(wèn)題采用NB、WB對(duì)MOS影響很大　由于核心網(wǎng)側(cè)引起端到端時(shí)延、抖動(dòng)、丟包，傳輸質(zhì)量導(dǎo)致丟包等問(wèn)題　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　

3、　1、MOS差的問(wèn)題點(diǎn)定位?測(cè)試log單次通話連續(xù)兩個(gè)采樣點(diǎn)MOS值小于3的問(wèn)題點(diǎn)定義為MOS差的問(wèn)題點(diǎn)。?注意事項(xiàng)：需剔除通話結(jié)束的最后一個(gè)采樣點(diǎn)與下次通話第一個(gè)采樣點(diǎn)的MOS值都小于3的問(wèn)題點(diǎn)。?2、MOS優(yōu)化分析方法???由MOS采樣點(diǎn)機(jī)制可以看出，MOS采樣點(diǎn)收集的是采樣時(shí)間點(diǎn)前8秒的語(yǔ)音質(zhì)量，所以在分析的時(shí)候，需著重分析MOS采樣時(shí)間前8秒U(xiǎn)E本端的下行（包括：無(wú)線環(huán)境、語(yǔ)音編碼、抖動(dòng)、丟包、頻繁切換、RRC重建、異頻測(cè)量頻次等），以及對(duì)端的上行（包括：頻繁切換、RRC重建、異頻測(cè)量頻次等）。?3、MOS

4、值的影響因素?MOS值的直接影響因素為：端到端時(shí)延、抖動(dòng)、丟包；?VoLTE端到端時(shí)延可以分解為：UE語(yǔ)音編/解碼時(shí)延、空口傳輸時(shí)延、核心網(wǎng)的處理時(shí)延、傳輸網(wǎng)的傳輸時(shí)延。丟包和抖動(dòng)的影響因素包括：空口信號(hào)質(zhì)量、eNB負(fù)載、傳輸網(wǎng)的丟包和抖動(dòng)。?故將以上因素分解后，MOS的影響因素包括：語(yǔ)音編碼、覆蓋、干擾、切換、鄰區(qū)、基站負(fù)荷、基站故障、傳輸、核心網(wǎng)、測(cè)試終端、人為操作失誤等。4、MOS值的優(yōu)化思路?結(jié)合以上影響因素和前期VoLTE拉網(wǎng)測(cè)試時(shí)遇到的MOS問(wèn)題，共總結(jié)出四類問(wèn)題點(diǎn)類型：無(wú)線問(wèn)題、基站異常、測(cè)試規(guī)范和設(shè)

5、備、核心網(wǎng)/傳輸。?在分析MOS問(wèn)題時(shí)，我們首先要考慮基站是否正常工作，其次考慮測(cè)試是否規(guī)范、測(cè)試設(shè)備是否正常，再次判斷是否為無(wú)線問(wèn)題造成的，最后才考慮是否核心網(wǎng)及傳輸網(wǎng)引起的。三、案例分析中山項(xiàng)目針對(duì)MOS分析時(shí)，利用前臺(tái)軟件進(jìn)行MOS優(yōu)化分析及炎強(qiáng)系統(tǒng)協(xié)助分析，案例如下：1、前臺(tái)MOS問(wèn)題點(diǎn)定位案例（1）基站問(wèn)題：??是指問(wèn)題路段中心經(jīng)緯度150米以內(nèi)的基站及主瓣65度范圍的小區(qū)，若存在基站負(fù)荷過(guò)大、影響業(yè)務(wù)的告警、斷站等問(wèn)題，必將影響MOS值。處理方法：在測(cè)試前確保基站正常工作。?案例1：基站故障導(dǎo)致MOS值

6、低?【問(wèn)題分析】：車輛由從翠洲路左轉(zhuǎn)進(jìn)入新居路的過(guò)程中，UE占用中山西區(qū)翠景市場(chǎng)D-ZLH-2小區(qū)的信號(hào)，RSRP約為-121.31dBm左右，SINR約為-1.8dB左右，MOS值1.24。經(jīng)測(cè)試數(shù)據(jù)分析，發(fā)現(xiàn)UE未能收到距離更近站點(diǎn)中山城區(qū)麗豪制衣F-ZLH站點(diǎn)信號(hào)，經(jīng)查詢告警得知，發(fā)現(xiàn)該站點(diǎn)網(wǎng)元斷鏈，因而導(dǎo)致該路段出現(xiàn)弱覆蓋現(xiàn)象，最終導(dǎo)致MOS值差。【優(yōu)化措施】：處理處理建議中山城區(qū)麗豪制衣F-ZLH站點(diǎn)故障。（2）測(cè)試設(shè)備原因：??包括MOS設(shè)備調(diào)試造成的MOS設(shè)備性能低、MOS差、音頻線松動(dòng)、終端異常等。

7、?處理方法：在測(cè)試前確保MOS設(shè)備正常工作、事先調(diào)試好MOS值、音頻線插緊、檢查終端等。?案例1:無(wú)線環(huán)境良好，MOS采樣點(diǎn)前8s信令丟失?問(wèn)題描述：周圍站點(diǎn)狀態(tài)正常，無(wú)線環(huán)境良好；主叫19：26：08發(fā)起INVITE請(qǐng)求，19：26：39出現(xiàn)低MOS，分析被叫前臺(tái)測(cè)試數(shù)據(jù)，此時(shí)占用中山開(kāi)發(fā)區(qū)張家邊沙邊F-ZLH-2時(shí)RSRP=-82.81dbm，SINR=16.30。19：26：39至19:27:35被叫無(wú)信令交互。無(wú)RTP丟包異常，RTP抖動(dòng)正常，分析主叫LOG，無(wú)異常。初步判斷為終端問(wèn)題導(dǎo)致MOS差。?【優(yōu)化

8、措施】：建議按測(cè)試規(guī)范進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試前確保UE終端正常工作（3）無(wú)線問(wèn)題：?主要包括弱覆蓋（RSRP<-110dBm，SINR<-3）、質(zhì)差、頻繁切換等。?引起弱覆蓋的原因包括：周邊缺站（需新規(guī)劃）、已規(guī)劃站點(diǎn)但未建設(shè)、周邊基站故障、室分泄露、鄰區(qū)漏配、切換參數(shù)不當(dāng)。?質(zhì)差包括弱覆蓋質(zhì)差和強(qiáng)覆蓋質(zhì)差，前者優(yōu)先處理弱覆蓋，后者通常是由MOD3干擾、GPS失步引