專業(yè)名稱：微電子學與固體電子學

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1、專業(yè)名稱：微電子學與固體電子學課程編號：SOI12020702020課程名稱：現(xiàn)代通信測量儀器課程英文名稱：TestSetinModernCommunication學分：2總學時：36課程性質(zhì)：跨專業(yè)選修課適用專業(yè)：通信與信息系統(tǒng)、無線電物理教學內(nèi)容及基本要求：本課程介紹現(xiàn)代通信領域經(jīng)常使用的測量儀器，講授這些儀器的設計原理，使用方法，各項主要技術(shù)指標的物理含義，及目前最先進的產(chǎn)品現(xiàn)狀。涉及的主要儀器有四大類，包括；1光纖通信測量儀器，主耍有光源、光功率計、光時域反射計、光譜分析儀、光纖熔接機等。2數(shù)字通信測試儀器，包括PDH誤碼測試儀、抖動測試儀、SDH分析儀、邏輯分析儀

2、等。3通用基礎測試儀，包括數(shù)字存儲示波器、精密LCR測試儀、程控直流電源、數(shù)字力?用表等。4微波測量儀器，包括頻譜分析儀、網(wǎng)絡分析儀、微波信號源、頻率計、功率計、噪聲系數(shù)測試儀等。考試形式：考查為主學習本課程的前期課程要求：通信原理、光纖通信、微波通信教材及主要參考書目、文獻與資料：填寫人：陳徳智審核人：鄭正奇課程編號：S0112020809004課程名稱：VLSI工藝技術(shù)課程英文名稱：S訂iconVLSITechnology學分：3周學時總學時：54課程性質(zhì)：碩士學位基礎課適用專業(yè)：微電子學與固體電子學教學內(nèi)容及基本要求：教學內(nèi)容：詳細介紹了與硅超人規(guī)模集成電路芯片制造相

3、關的工藝技術(shù)，及與之相應的科學原理，分析了單項工藝過程的物理圖象及對應的測量方法，如光刻、氧化、摻雜、薄膜淀積、刻蝕、多層金屬布線等，在此基礎上討論了主要工藝模塊及技術(shù)的流程及發(fā)展趨勢。要求學生掌握規(guī)定的課堂教學內(nèi)容，深入理解集成電路工藝技術(shù)的基木知識，了解前沿技術(shù)的發(fā)展?？己朔绞郊耙螅嚎荚?。學習本課程的前期課程要求：半導體物理。教材及主要參考書目、文獻與資料：1.DistributedDatabaseSystem,清華出版社；《分布數(shù)據(jù)庫技術(shù)》，科學出版社；2.《SiliconVLSITechnology:FundamentaIs,PracticcandModeling

4、》電了工業(yè)出版社3?《半導體工藝》美K.A.杰克遜主編科學出版社填寫人：石艷玲審核人：鄭正奇課程編號：S0112020809005課程名稱：VLSI設計原理課程英文名稱：PrinciplesofVLSIDesign學分：3總學時：54課程性質(zhì)：學位基礎必修課適用專業(yè)：微電子學與固體電子學教學內(nèi)容及基本要求：一?M0S器件制程、器件模型及深亞微米尺寸下設計中的非常重耍的互連線問題；二.從電路設計的角度來分析數(shù)字集成電路基礎一反相器、CMOS組合邏輯電路一靜態(tài)門、動態(tài)門、時序電路（靜態(tài)、動態(tài)閉鎖器、非穩(wěn)態(tài)電路、流水線結(jié)構(gòu)NORA電路）三?邏輯電路系統(tǒng)設計一基于單元和基于陣列的邏

5、輯IC設計，數(shù)字電路信號完整性，算邏單元模塊設計一加法器、乘法器、移位器、數(shù)據(jù)通道、ROM、RAM、FLASH等。講授中注意將數(shù)字IC設計中電路與系統(tǒng)的視角統(tǒng)一起來，從簡到繁，即從最簡單的門一反相器設計開始逐步進入對各種邏輯門、存儲器、控制器、加法器、乘法器和存貯器的從系統(tǒng)角度的設計。其次，針對深亞微米工藝下設計人員所面對的新挑戰(zhàn)，諸如：互連線問題，信號完整性問題，時鐘分布問題，低功耗問題將給出解決方案。考核方式及要求：考試。學習本課程的前期課程要求：模擬集成電路系統(tǒng)設計教材及主要參考書目、文獻與資料：DigitalIntegratedCircuitsADesignPers

6、pective（SecondEdition）作者：JanM.Rabaey等清華大學出版社2004.3填寫人：賴宗聲審核人：鄭正奇課程編號：S0112020809006課程名稱：半導休測量技術(shù)課程英文名稱：Theanalyticaltechniqueforsemiconductormaterials學分：2總學時：36課程性質(zhì)：專業(yè)選修課適用專業(yè)：微電子和固體電子學教學內(nèi)容及基本要求：教學內(nèi)容：1、半導休結(jié)構(gòu)及其表征（X射線結(jié)構(gòu)分析、電子顯微術(shù)）；2、半導體光學測量技術(shù)（半導體吸收光譜、發(fā)光譜、紅外振動光譜、Raman光譜）；3、半導體電學測量技術(shù)（I-V/C-V測量、Ila

7、ll效應、深能級瞬態(tài)譜）；4、半導體表面分析技術(shù)（X射線光電子能譜、二次離子質(zhì)譜、掃描探針顯微鏡）基本要求：在講解基木的半導體測量原理基礎上，結(jié)合口前微電子和光電子領域常見的半導體材料，深入分析各種技術(shù)綜合應用的實例，著重于測量后數(shù)據(jù)分析、擬合以及物理模型的建立。指導學生閱讀相關科研論文，冇針對性地培養(yǎng)學生提出問題、分析問題和解決問題的實際能力?？己朔绞郊耙螅嚎疾閷W習本課程的前期課程要求：固體物理，半導體物理教材及主要參考書目、文獻與資料：1.固體物理實驗方法，王華馥，吳自勤主編，高等教育出版社；2.半導體物理學