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《背面刻蝕對(duì)單晶硅太陽電池性能影響的研究》由會(huì)員上傳分享，免費(fèi)在線閱讀，更多相關(guān)內(nèi)容在行業(yè)資料-天天文庫。
1、第34卷第2期電子器件Vo.l34No.22011年4月ChineseJournalofElectronDevicesApr.2011StudyoftheInfluenceofBackSideEtchingonthePerformanceof*MonocrystallineSiliconSolarCells112111YANGChao,SHENHonglie,WUJingbo,CHENGHaili,JIANGFen,LIBingbing1.CollegeofMaterialsScience&Techno
2、logy,NanjingUniversityofAeronauticsandAstronautics,Nanjing210016,China;2.NanjingShiningsunTechnologyDevelopmentCo.,Ltd,Nanjing211300,ChinaAbstract:Toreducethecarrierrecombinationontherearsideofsolarcells,thisarticlecarriedouttheionbeametchingontherearside
3、ofsinglesidediffusedanddoublesidediffusedsiliconwafersafterdepositingSiNxantireflectioncoating.Theinfluenceofetchingtimeontheperformanceofsolarcellswasinvestigated.Theperformanceofsolarcellswasmeasuredbyastandardsolarcelltester.Theresultsshowedthatthe
4、shuntresistance,opencircuitvoltage,fillfactorandefficiencyofthesolarcellswereimprovedaftertheionbeametchingontherearside,whilethechangesofseriesresistanceandshortcircuitcurrentwerenotobvious.Thesiliconwafersusedinthisexperimentwereclass.Afterthesiliconw
5、aferswereetched,themaximumefficiencyofsolarcellsbysinglesidediffusionreached15.99%,withanincreaseof0.69%thanthatfromsolarcellswithoutetching,whilethemaximumefficiencyofsolarcellsbydoublesidediffusionreached16.4%withanincreaseof0.68%thanthatfromsolarcel
6、lswithoutetching.Keywords:solarcells;ionbeametching;opencircuitvoltage;fillfactor;efficiencyEEACC:8420do:i10.3969/j.issn.1005-9490.2011.02.002*背面刻蝕對(duì)單晶硅太陽電池性能影響的研究11*2111楊超,沈鴻烈,吳京波,陳海力,江豐,李斌斌1.南京航空航天大學(xué)材料科學(xué)與技術(shù)學(xué)院,南京210016;2.南京沙寧申科技開發(fā)有限公司,南京211300摘要:為
7、了減少太陽電池載流子的背面復(fù)合,采用離子束對(duì)沉積完SiNx減反射膜后的單面擴(kuò)散和雙面擴(kuò)散的單晶硅片背面進(jìn)行刻蝕,研究了刻蝕時(shí)間對(duì)太陽電池性能的影響。采用標(biāo)準(zhǔn)的太陽電池單片測(cè)試儀測(cè)試電池性能。發(fā)現(xiàn)背面經(jīng)離子束刻蝕后,單面擴(kuò)散和雙面擴(kuò)散電池片的并聯(lián)電阻、開路電壓、填充因子和轉(zhuǎn)換效率都有所提高,而串聯(lián)電阻和短路電流的變化則不是很明顯。本實(shí)驗(yàn)采用的是類單晶硅片,單面擴(kuò)散電池片通過背面刻蝕后最高轉(zhuǎn)換效率達(dá)到15.99%,比不刻蝕樣品增加了0.69%;雙面擴(kuò)散電池片通過背面刻蝕后最高轉(zhuǎn)換效率則達(dá)到16.4%,比不刻
8、蝕樣品增加了0.68%。關(guān)鍵詞:太陽電池;離子束刻蝕;開路電壓;填充因子;轉(zhuǎn)換效率中圖分類號(hào):TM914.4文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼:A文章編號(hào):1005-9490(2011)02-0125-04太陽能電池產(chǎn)生的電能中,有一部分因電池內(nèi)并聯(lián)電阻對(duì)電池的電性能影響很大,在電池制作過[2-3]部漏電而損失。對(duì)于單晶硅和多晶硅電池,形成漏程中,總是希望Rsh能夠盡可能大。本文以減少電的主要原因有:由于結(jié)區(qū)存在晶體缺陷和外來雜太
