CdS敏化TiO2納米管的制備和性能研究

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1、2010年第31卷第3期CdS敏化Ti02納米管的制備和性能研究程浩,隋小濤,趙修建(武漢理工大學(xué)硅酸鹽材料工程教育部重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,武漢430070)摘要:采用聯(lián)系離子層沉積法,在透明的TiOt納米管陣列薄膜上沉積CdS,制備CAS敏化Ti02納米管陣列薄膜光陽(yáng)極材料。通過(guò)改變沉積液的溶刺和控制沉積次數(shù),研究不同量的CdS對(duì)Tiq納米管薄膜的光電性能的影響。結(jié)果表明,在以乙醇、甲醇/水為溶劑的條件下,循環(huán)沉積4次后制備的CAS/Ti02光陽(yáng)極表現(xiàn)最好的光電轉(zhuǎn)換效率。關(guān)鍵詞:CdS納米粒子;TiOz納米管陣列;光陽(yáng)極Fabrica

2、tionandPropertiesofCdSSensitizedTi02NanotubesCHENGHao,SUIXiao—tao,ZHAOXiu-jian(KeyLaboratoryforSilicateMaterialsScienceandEngineeringofMinistryofEducation,WuhanUniversityofTechnology,Wuhan430070,China)Abstract:ThephotoelectrodeofCdSsensitizedtransparentTi02nanotubes

3、arrayfilmwasfabricatedbysuccessiveioniclayeradsorptionandreaction(SILAR)technique.Basedonthemodulationofdissolventandcycletimes,theevolutionofphotoelectricpropertieswasinvestigated.TheresultsshowedthattheperformanceoftheCdSsensitizedTi02nanotubesar—rayfilm,whichwasf

4、abricatedintheethanol,methanol/watersolvent,wasoptimalafter4cycledeposition.Keywords:CASnanoparticle;Ti02nanotubesarray;photoelectrode自1991年Gratzel發(fā)明染料敏化太陽(yáng)能電池以來(lái),有機(jī)染料敏化太陽(yáng)能電池逐漸成為太陽(yáng)能電池研究領(lǐng)域的一個(gè)熱點(diǎn)研究方向[1]。然而,由于有機(jī)染料的不穩(wěn)定性,見(jiàn)光易分解,以及有機(jī)染料的價(jià)格比較昂貴,影響了染料敏化太陽(yáng)能電池的應(yīng)用。和有機(jī)燃料相比,由于無(wú)機(jī)納米半導(dǎo)體

5、材料更好的光化學(xué)穩(wěn)定性和良好的光吸收能力,無(wú)機(jī)納米粒子敏化太陽(yáng)能電池的研究逐步引起了人們的廣泛關(guān)注L2J。已有的研究表明,CdS、CdSe、PbS、InP、Bi2s3等納米半導(dǎo)體材料均可用作無(wú)機(jī)敏化荊E3-8]。其中,CdS是一種帶隙適中的半導(dǎo)體,其E。=2.42eV;在可見(jiàn)光區(qū)域具有良好的光學(xué)吸收性能,其導(dǎo)帶能級(jí)比Ti02的高,有利于光生載流子的有效分離,同時(shí)CdS具有較大的消光系數(shù)和光化學(xué)穩(wěn)定性,因此,CdS是一種很好的無(wú)機(jī)敏化劑。目前,制備CdS量子點(diǎn)敏化Ti02太陽(yáng)能電池的方法主要是化學(xué)浴沉積法,雖然這種方法操作簡(jiǎn)單,

6、容易實(shí)現(xiàn),但是其制備的光陽(yáng)極材料的穩(wěn)定性較差,量子點(diǎn)很容易溶解脫落。鑒于此,本實(shí)驗(yàn)采用連續(xù)離子層沉積法制備CdS敏化Ti02納米管,這種方法操作簡(jiǎn)單,容易實(shí)現(xiàn),而且還可以通過(guò)調(diào)節(jié)鹽的濃度和沉積次數(shù)實(shí)現(xiàn)對(duì)沉積的CdS量子點(diǎn)的量的控制。1實(shí)驗(yàn)采用陽(yáng)極氧化法在透明導(dǎo)電玻璃上制備Ti02納米管陣列薄膜,制備方法按照參考文獻(xiàn)[9]提供的方法。然后采用聯(lián)系離子層沉積法將CdS納米粒子沉積在已經(jīng)制備好的Ti02納米管陣列薄膜上,詳細(xì)的沉積過(guò)程為:首先將制備好的Ti02納米管陣列薄膜浸漬到以0.5MCd(N03)2的乙醇溶液中5min,使Cd

7、+離子充分吸附到Ti02納米管陣列中,】建枋世界2010年第31卷第3期然后用去離子水沖洗,洗掉吸附不緊密的Cd21,然后在0.5MNa2S的水溶液中浸漬5min,使吸附的Cd2+與溶液中的S2一離子充分反應(yīng)生成CdS,然后再用去離子水沖洗,使沒(méi)有吸附緊密的CdS洗凈,這就是聯(lián)系離子層沉積法的一個(gè)循環(huán),然后通過(guò)控制循環(huán)沉積的次數(shù)來(lái)控制沉積不同量的CdS。其沉積的過(guò)程如圖1所示。O!/l?10L一(:rl(N(J、)!的乙醇U芻L-一N;I!s的甲陴/水L一甲璃基片1。l溶液中浸泡5n,il,li醉Il溶液浸泡5mi.}l酵圖1

8、聯(lián)系離子層沉積法制備CdS敏化Ti02納米管陣列薄膜的流程以多硫的水溶液為電解質(zhì),以制備CdS敏化透明的Tio’納米管陣列薄膜為光陽(yáng)極,以鍍有Pt的ITO為陰極,中間用厚度為60/xm的石蠟?zāi)じ糸_(kāi),在石蠟?zāi)ぶ腥?.25cm。2的小孔,將電解質(zhì)注入其中,然后密封,這樣就組裝成了

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