高性能PWM型DCDC升壓變換器研究

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1、第!"卷第#期固體電子學研究與進展1234!"5624#!$$"年%月&’(’)&*+,-&./&’((.0((’)8945!$$"7777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777777!!!!!!"!"!"硅微電子學!!!!!!"高性能#$%型&’(&’升壓變換器研究)余華*+,鄒雪城*陳朝陽*-*華中科技大學電子科學與技術(shù)系+武漢+./001.2-,武漢船舶職業(yè)技術(shù)學院電子系+武漢+./00302,0034**40,收稿+,00540*405收改稿摘要6設(shè)計了一種單片集成789型電流模式升壓變換器+芯片內(nèi)

2、部集成了耐壓,,:的;9<=功率開關(guān)管+開關(guān)頻率為*>59?@+采用*>3ABCD;工藝實現(xiàn)E芯片具有很寬的輸入電壓-,>1F*.:2G高效率-H3I2G低關(guān)斷電流G快速暫態(tài)響應(yīng)和低功耗等特性+適宜于用作便攜式設(shè)備的電源管理+也可作為J7核+嵌入同種工藝下的其它芯片E文中除了對芯片設(shè)計方法G思路及主要電路模塊結(jié)構(gòu)的設(shè)計方案進行討論外+還提出了減小單片集成開關(guān)電源噪聲的措施E關(guān)鍵詞6直流4直流K升壓變換器K電流模式K脈寬調(diào)制K開關(guān)噪聲中圖分類號6LM.//文獻標識碼6N文章編號6*0004/H*O-,00520/4.,0405PQRQSTUVWXSYZ[V#QTXWT]S^UQ#$%&’

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16、3him65m67d:9g5mJjd88373mj7m8g43kjBg7im84dj84higBd73hm>7igBd3jhg99h36hc37Bm8c9g4+7i345d5g6d94m5c7>m66g8ch3jk4<37hi3jkjm34gmjBmjm937i3h4<37hi3jk5mAQBCWTDR6&’(&’K2WWRUW^‘QTQTKUETTQ^]WDQKFEGRQCZDV]WDEGSZW^K

17、RCZUVZ^[^WZRQHH1’’6*,O0產(chǎn)品中+如手機G個人數(shù)字助理-7;N2G筆記本電腦*引言等E為了滿足這種需求+將功率開關(guān)管及控制電路集;D4;D變換器已廣泛應(yīng)用于各種便攜式電子成在一起的單片集成開關(guān)電源就具有廣闊的發(fā)展前)基金項目6國家自然科學基金項目-Mm4>O0,010,02l4Bd396incIhmBKncicdic47I43jd>hmBI期余華等M高性能;B7型.-6.-升壓變換器研究W&%景!由于采用了單片集成"以致芯片外所需外部器件<0D為電壓輸入端C9E.F為使能端C?,為反饋輸?shù)靡詼p少"開關(guān)電源的功率密度得到了顯著提高"同入端C8GA為電壓輸出

18、端CHF.為接地端!芯片由時外部器件的寄生效應(yīng)也顯著減少"更適宜于在高帶隙電路#誤差放大器#關(guān)斷電路#;B7比較器#振頻和噪聲敏感場所應(yīng)用!但是"因為控制電路和功率蕩電路#控制邏輯電路及驅(qū)動電路等組成!模擬控制開關(guān)管都集成在芯片內(nèi)部"如何設(shè)計控制電路和功電路部分主要采用,012345或-789"數(shù)字電路部分率開關(guān)管都集成在芯片內(nèi)部"使電源在較寬的輸入#采用-789"高壓管采用.789工藝實現(xiàn)"開關(guān)功率輸出電壓范圍內(nèi)具有良好的穩(wěn)定性"